STB80NF10
STP80NF10
N沟道100V - 0.012Ω - 80A - TO- 220 / D
2
PAK
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STP80NF10
STB80NF10
■
■
■
V
DSS
100V
100V
R
DS ( ON)
<0.015
<0.015
I
D(1)
80A
80A
3
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100%的雪崩测试
面向应用的表征
TO-220
1
2
3
1
DPAK
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与
意法半导体独有的STripFET进程
专门设计以减少输入
电容和栅极电荷。因此,它是
适合作为先进的高初级开关
效率的隔离式DC -DC转换器,电信
和计算机应用。它也被用于
低栅极电荷驱动的应用程序
要求。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STP80NF10
STB80NF10T4
记号
P80NF10@
B80NF10@
包
TO-220
DPAK
包装
管
磁带&卷轴
2007年1月
转16
1/14
www.st.com
14
目录
STP80NF10 - STB80NF10
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
STP80NF10 - STB80NF10
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D (1)
I
DM(2)
P
合计
dv / dt的
(3)
E
AS(4)
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
工作结温
价值
100
±20
80
80
320
300
2
7
350
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
mJ
°C
1.限制由包
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
< 80A , di / dt的< 300A / μs的,V
DD
= 80 % V
( BR ) DSS
4.启动TJ = 25 ° C,I
D
= 80A ,V
DD
= 50V
表2中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
价值
0.5
62.5
300
单位
° C / W
° C / W
°C
3/14
电气特性
STP80NF10 - STB80NF10
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编)
表3中。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 40A
2
3
0.012
分钟。
100
1
10
±100
4
0.015
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表4 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
=25V
,
I
D
=40 A
V
DS
= 25V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
50
5500
700
175
135
23
51.3
182
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DD
= 50V ,我
D
= 80A,
V
GS
= 10V
1.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
4/14
STP80NF10 - STB80NF10
表5 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
电气特性
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 50V ,我
D
= 40A,
R
G
= 4.7, V
GS
=10V
(参见图14)
分钟。
典型值。
26
80
116
60
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
的SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80A ,V
GS
= 0
I
SD
= 80A ,V
DD
= 50V
的di / dt = 100A / μs的,T
j
=150°C
106
450
8.5
测试条件
民
典型值。
最大
80
320
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
5/14
STP80NF10
STP80NF10FP
N沟道100V - 0.012Ω - 80A TO- 220 / TO- 220FP
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STP80NF10
STP80NF10FP
s
s
s
s
V
DSS
100 V
100 V
R
DS ( ON)
< 0.015
< 0.015
I
D
80 A
38 A
典型
DS
(上) = 0.012Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100%的雪崩测试
面向应用
表征
TO-220
3
1
2
1
2
3
TO-220FP
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与STMicro-
电子产品独有的STripFET进程specifical-
LY旨在最大限度地减少输入电容和
栅极电荷。因此,适合于作为主
开关在先进的高效率隔离直流 - 直流
转换器电信和计算机应用。它
也适用于具有低门的任何应用程序
充电驱动要求。
应用
s
高效率的DC -DC转换器
s
UPS和电机控制
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(*)
I
D
I
DM
(
l
)
P
合计
dv / dt的( 1 )
E
AS
(2)
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
内部原理图
价值
STP80NF10
STP80NF10FP
100
100
±20
80
66
320
300
2
9
360
-
- 55 175
(1) I
SD
≤80A,
的di / dt
≤300A/s,
V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
( 2 )起始物为
j
= 25 ° C,I
D
= 80A ,V
DD
= 50V
单位
V
V
V
38
27
152
45
0.3
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
mJ
2500
V
°C
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
绝缘耐压( DC )
储存温度
马克斯。工作结温
(
q
)脉冲宽度有限的安全工作区
( * )有限公司按封装
2002年9月
1/9
STP80NF10/STP80NF10FP
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 50V ,我
D
= 40A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 80V ,我
D
= 80A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
40
145
140
23
51
189
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D(关闭)
t
f
参数
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 50V ,我
D
= 40A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
(见测试电路,图3 )
分钟。
典型值。
134
115
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80A ,V
GS
= 0
I
SD
= 80A ,的di / dt = 100A / μs的,
V
DD
= 50V ,T
j
= 150°C
(见测试电路,图5 )
155
0.85
11
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区TO- 220
安全工作区TO- 220FP
3/9
STP80NF10
STB80NF10
N沟道100V - 0.012Ω - 80A - TO- 220 / D
2
PAK
低栅电荷的STripFET II MOSFET
表1 :一般特点
TYPE
STB80NF10
STP80NF10
s
s
s
s
图1 :包装
R
DS ( ON)
< 0.015
< 0.015
I
D
80 A
80 A
V
DSS
100 V
100 V
典型
DS
(上) = 0.012Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100%的雪崩测试
面向应用
表征
1
3
3
2
1
描述
这实现了与STMicroelec- MOSFET系列产品
TRONICS独特的STripFET工艺有专门
被设计以减少输入电容和
栅极电荷。因此,适合于作为主
开关在先进的高效率隔离直流 - 直流
转换器电信和计算机应用。
它也适用于具有低门的任何应用程序
充电驱动要求。
D
2
PAK
TO-220
图2 :内部原理图
应用
s
高效率的DC- AC转换器
s
UPS和电机控制
表2 :订购代码
销售类型
STB80NF10T4
STP80NF10
记号
B80NF10@
P80NF10@
包
D
2
PAK
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
第3版
2005年2月
1/11
STP80NF10 - STB80NF10
电气特性(续)
表7 :动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 15V
,
I
D
= 40A
V
DS
= 25V , F = 1兆赫,V
GS
= 0
分钟。
典型值。
50
5500
700
175
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
表8 :接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 50V ,我
D
= 40A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
(参见图14)
V
DD
= 80V ,我
D
= 80A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
26
80
135
23
51.3
182
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
表9 :关闭
符号
t
D(关闭)
t
f
参数
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 50V ,我
D
= 40A,
R
G
=4.7, V
GS
= 10V
(参见图14)
分钟。
典型值。
116
60
马克斯。
单位
ns
ns
表10 :源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80A ,V
GS
= 0
I
SD
= 80A ,的di / dt = 100A / μs的,
V
DD
= 50V ,T
j
= 150°C
(见测试电路,图5 )
106
0.45
8.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
( 1 )脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
( 2 )脉冲宽度有限的安全工作区。
3/11
目录
STB80NF10 , STP80NF10
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 5
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/14
文档编号6958修订版18
STB80NF10 , STP80NF10
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D (1)
I
DM(2)
P
合计
dv / dt的
(3)
E
AS(4)
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25 °C
漏电流(连续)在T
C
= 100 °C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
工作结温
价值
100
±20
80
80
320
300
2
7
350
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
mJ
°C
1.限制由包
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
< 80 A , di / dt的< 300 A / μs的,V
DD
= 80% V
( BR ) DSS
4.启动TJ = 25 ° C,I
D
= 40 A,V
DD
= 50 V
表3中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
价值
0.5
62.5
300
单位
° C / W
° C / W
°C
文档编号6958修订版18
3/14
电气特性
STB80NF10 , STP80NF10
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明)
表4 。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 40 A
2
3
0.012
分钟。
100
500
10
±100
4
0.015
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
A
nA
V
表5 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25 V
,
I
D
=40 A
V
DS
= 25 V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
分钟。
-
典型值。
50
5500
700
175
135
23
51.3
182
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
-
V
DD
= 50 V,I
D
= 80 A,
V
GS
= 10 V
-
1.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
表6 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 50 V,I
D
= 40 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
=10 V
(参见图15)
分钟。
典型值。
26
80
116
60
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
4/14
文档编号6958修订版18
STB80NF10 , STP80NF10
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
的SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80 A,V
GS
= 0
I
SD
= 80 A,V
DD
= 50 V
的di / dt = 100 A / μs的,
T
j
=150 °C
测试条件
分钟。
-
-
-
-
106
450
8.5
典型值。
最大
80
320
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2,脉冲持续时间= 300μS ,占空比1.5 %
文档编号6958修订版18
5/14