STP80NF06 - STB80NF06
STW80NF06
N沟道60V - 0.0065Ω - 80A TO- 220 / D
2
PAK/TO-247
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STB80NF06
STP80NF06
STW80NF06
s
s
s
s
V
DSS
60 V
60 V
60 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 0.010
＆ LT ; 0.010
＆ LT ; 0.010
I
D
80 A
80 A
80 A
3
1
2
1
2
3
典型
DS
（上） = 0.0065Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
低阈值DRIVE
TO-220
3
1
TO-247
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管显示
极高的堆积密度低的导通电阻
tance ，坚固耐用的雪崩特性和更少
因此，严格的对准步骤显着
制造重复性。
D
2
PAK
内部原理图
应用
s
DC -AC & DC -DC转换器
s
大电流，高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
电机控制，音频放大器
订购代码
产品型号
STB80NF06T4
STP80NF06
STW80NF06
记号
B80NF06
P80NF06
W80NF06
包
D
2
PAK
TO-220
TO-247
包装
磁带&卷轴
管
管
2004年3月
1/10
STP80NF06 - STB80NF06 - STW80NF06
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(*)
I
D
I
DM
( )
P
合计
E
AS
(1)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
60
60
±20
80
80
320
300
2
870
-65 175
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
°C
(
q
）脉冲宽度有限的安全工作区
（ 1 ）起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 40A ，V
DD
= 40V
（ * ）电流限制通过引线键合
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
0.5
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ±20V
分钟。
60
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 40 A
分钟。
2
典型值。
3
0.0065
马克斯。
4
0.010
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ; 2.5 V
,
I
D
=18 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
20
3850
800
250
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/10
STP80NF06 - STB80NF06 - STW80NF06
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 27V ，我
D
= 40A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 80V ，我
D
= 80A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
25
85
115
24
46
150
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
D（关闭）
t
f
t
c
参数
关断延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 27V ，我
D
= 40A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
VCLAMP = 44V ，我
D
=80A
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
70
25
85
75
110
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80A ，V
GS
= 0
I
SD
= 80A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 50V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
80
250
6.4
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/10
STP80NF06 - STB80NF06 - STW80NF06
输出特性
转院特点
Tranconductance
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/10
STP80NF06 - STB80NF06 - STW80NF06
归一化门Thereshold电压随温度。
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
NormalizedBreakdownVoltage与温度
5/10
STP80NF06 - STB80NF06
STW80NF06
N沟道60V - 0.0065Ω - 80A TO- 220 / D
2
PAK/TO-247
的STripFET II 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB80NF06
STP80NF06
STW80NF06
■
■
■
V
DSS
60V
60V
60V
R
DS （ ON）
<0.010
<0.010
<0.010
I
D
80A
80A
1
3
2
80A
TO-220
TO-247
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
低阈值DRIVE
3
1
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的"Single功能
大小 "条为基础的过程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此，一个显着的制造
重现。
DPAK
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB80NF06T4
STP80NF06
STW80NF06
记号
B80NF06
P80NF06
W80NF06
包
DPAK
TO-220
TO-247
包装
磁带&卷轴
管
管
2006年9月
REV 3
1/14
www.st.com
14
目录
STP80NF06 - STB80NF06 - STW80NF06
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
STP80NF06 - STB80NF06 - STW80NF06
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D
I
DM （2）
P
合计
E
的AS （3）
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
gs
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
60
±20
80
80
320
300
2
870
- 65 175
175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
1.电流限制通过引线键合
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 40A ，V
DD
=40V
表2中。
R
THJ -A
T
l
热数据
0.5
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
R
THJ情况
热阻结案件最大
3/14
电气特性
STP80NF06 - STB80NF06 - STW80NF06
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
=125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
2
3
分钟。
60
1
10
±100
4
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
0.0065 0.010
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 80V ，我
D
= 80A,
V
GS
= 10V
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
测试条件
V
DS
= 2.5V
,
I
D
=18A
分钟。
典型值。
20
3850
800
250
115
24
46
150
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（关闭）
t
f
t
c
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 27V ，我
D
= 40A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（参见图13）
V
DD
= 27V ，我
D
= 40A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图13）
VCLAMP = 44V ，我
D
=80A
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图15）
分钟。
典型值。
25
85
70
25
85
75
110
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4/14
STP80NF06 - STB80NF06 - STW80NF06
表6 。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
电气特性
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80A ，V
GS
= 0
I
SD
= 80A ，V
DD
= 50V
的di / dt = 100A / μs的，
T
j
= 150°C
（参见图15）
80
250
6.4
测试条件
民
典型值。
最大
80
320
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/14
STP80NF06 - STB80NF06
STW80NF06
N沟道60V - 0.0065Ω - 80A TO- 220 / D
2
PAK/TO-247
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STB80NF06
STP80NF06
STW80NF06
s
s
s
s
V
DSS
60 V
60 V
60 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 0.010
＆ LT ; 0.010
＆ LT ; 0.010
I
D
80 A
80 A
80 A
3
1
2
1
2
3
典型
DS
（上） = 0.0065Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
低阈值DRIVE
TO-220
3
1
TO-247
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管显示
极高的堆积密度低的导通电阻
tance ，坚固耐用的雪崩特性和更少
因此，严格的对准步骤显着
制造重复性。
D
2
PAK
内部原理图
应用
s
DC -AC & DC -DC转换器
s
大电流，高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
电机控制，音频放大器
订购代码
产品型号
STB80NF06T4
STP80NF06
STW80NF06
记号
B80NF06
P80NF06
W80NF06
包
D
2
PAK
TO-220
TO-247
包装
磁带&卷轴
管
管
2004年3月
1/10
STP80NF06 - STB80NF06 - STW80NF06
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(*)
I
D
I
DM
( )
P
合计
E
AS
(1)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
60
60
±20
80
80
320
300
2
870
-65 175
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
°C
(
q
）脉冲宽度有限的安全工作区
（ 1 ）起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 40A ，V
DD
= 40V
（ * ）电流限制通过引线键合
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
0.5
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ±20V
分钟。
60
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 40 A
分钟。
2
典型值。
3
0.0065
马克斯。
4
0.010
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ; 2.5 V
,
I
D
=18 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
20
3850
800
250
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/10
STP80NF06 - STB80NF06 - STW80NF06
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 27V ，我
D
= 40A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 80V ，我
D
= 80A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
25
85
115
24
46
150
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
D（关闭）
t
f
t
c
参数
关断延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 27V ，我
D
= 40A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
VCLAMP = 44V ，我
D
=80A
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
70
25
85
75
110
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80A ，V
GS
= 0
I
SD
= 80A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 50V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
80
250
6.4
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/10
STP80NF06 - STB80NF06 - STW80NF06
输出特性
转院特点
Tranconductance
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/10
STP80NF06 - STB80NF06 - STW80NF06
归一化门Thereshold电压随温度。
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
NormalizedBreakdownVoltage与温度
5/10
STP80NF06 - STB80NF06
STW80NF06
N沟道60V - 0.0065Ω - 80A TO- 220 / D
2
PAK/TO-247
的STripFET II 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB80NF06
STP80NF06
STW80NF06
■
■
■
V
DSS
60V
60V
60V
R
DS （ ON）
<0.010
<0.010
<0.010
I
D
80A
80A
1
3
2
80A
TO-220
TO-247
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
低阈值DRIVE
3
1
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的"Single功能
大小 "条为基础的过程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此，一个显着的制造
重现。
DPAK
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB80NF06T4
STP80NF06
STW80NF06
记号
B80NF06
P80NF06
W80NF06
包
DPAK
TO-220
TO-247
包装
磁带&卷轴
管
管
2006年9月
REV 3
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www.st.com
14
目录
STP80NF06 - STB80NF06 - STW80NF06
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
STP80NF06 - STB80NF06 - STW80NF06
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D
I
DM （2）
P
合计
E
的AS （3）
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
gs
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
60
±20
80
80
320
300
2
870
- 65 175
175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
1.电流限制通过引线键合
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 40A ，V
DD
=40V
表2中。
R
THJ -A
T
l
热数据
0.5
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
R
THJ情况
热阻结案件最大
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电气特性
STP80NF06 - STB80NF06 - STW80NF06
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
=125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
2
3
分钟。
60
1
10
±100
4
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
0.0065 0.010
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 80V ，我
D
= 80A,
V
GS
= 10V
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
测试条件
V
DS
= 2.5V
,
I
D
=18A
分钟。
典型值。
20
3850
800
250
115
24
46
150
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（关闭）
t
f
t
c
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 27V ，我
D
= 40A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（参见图13）
V
DD
= 27V ，我
D
= 40A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图13）
VCLAMP = 44V ，我
D
=80A
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图15）
分钟。
典型值。
25
85
70
25
85
75
110
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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STP80NF06 - STB80NF06 - STW80NF06
表6 。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
电气特性
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80A ，V
GS
= 0
I
SD
= 80A ，V
DD
= 50V
的di / dt = 100A / μs的，
T
j
= 150°C
（参见图15）
80
250
6.4
测试条件
民
典型值。
最大
80
320
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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QQ：2881677436 复制
