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STP80NE06-10
N - 沟道增强型
“单一特征尺寸 ” POWER MOSFET
TYPE
ST P80NE06-10
s
s
s
s
V
DSS
60 V
R
DS （ ON）
<0.01
I
D
80 A
典型
DS （ ON）
= 0.0085
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
2
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
SGS - THOMSON独有的“单一特征尺寸 ”
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低
导通电阻，崎岖雪崩特征
因此，问题不大的调整步骤
卓越的制造重复性。
应用
s
电磁阀和继电器驱动器
s
电机控制，音频放大器
s
DC- DC转换器
s
汽车环境
1
TO-220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
吨OT
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25 C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额F演员
dv / dt的
T
英镑
T
j
峰值二极管恢复电压斜率
存储牛逼emperature
马克斯。操作摄像结温
o
o
价值
60
60
±
20
80
57
320
150
1
7
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤
80 A ， di / dt的
≤
300 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
UNI吨
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V / ns的
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1998年2月
1/8
STP80NE06-10
热数据
R
吨HJ -CA SE
Rthj -amb
R
thc- SI NK
T
l
热阻结案件
最大
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大无铅焊接温度的目的
1
62.5
0.5
300
C / W
摄氏度/ W
o
C / W
o
C
o
雪崩特性
SYMB OL
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= I
AR
, V
DD
= 30 V)
最大VALU ê
80
250
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
SYMB OL
V
（ BR ） DSS
I
DSS
参数
漏源
击穿电压
测试电导率银行足球比赛s
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
60
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
取消它
V
A
A
nA
零加速度吃的电压
V
DS
=最大额定值
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
o
C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
I
GSS
开（ *）
SYMB OL
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（ 0：N ）
参数
栅极阈值
电压
V
DS
= V
GS
测试电导率银行足球比赛s
I
D
= 250
A
I
D
= 40 A
80
分钟。
2
典型值。
3
8.5
马克斯。
4
10
取消它
V
m
A
静态漏源V
GS
= 10V
阻力
论国有漏电流V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON） MAX
V
GS
= 10 V
动态
SYMB OL
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
倒T转让（BOT）
电容
测试电导率银行足球比赛s
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON） MAX
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
=40 A
V
GS
= 0
分钟。
19
典型值。
38
7600
890
150
10000
1100
200
马克斯。
取消它
S
pF
pF
pF
2/8
STP80NE06-10
电气特性
（续）
接通
SYMB OL
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试电导率银行足球比赛s
V
DD
= 30 V
I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V
R
G
=4.7
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 48 V
I
D
= 80 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
50
150
140
20
50
马克斯。
65
200
取消它
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
SYMB OL
t
R（ VOF F）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试电导率银行足球比赛s
V
DD
= 48 V I
D
= 40 A
R
G
=4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
45
75
130
马克斯。
60
100
170
取消它
ns
ns
ns
源漏二极管
SYMB OL
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 80 A
V
GS
= 0
100
0.4
8
测试电导率银行足球比赛s
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
1.5
取消它
A
A
V
ns
C
A
的di / dt = 100 A / μs的
I
SD
= 80 A
o
T
j
= 150 C
V
DD
= 30 V
（见测试电路，图5 ）
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
对于安全工作区
热阻抗
3/8
STP80NE06-10
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/8
STP80NE06-10
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/8
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SN74LS122DRE4
SGM321YN5/TR
SF-0402S300
SCL-2Y2012-900
SN74ALVCHR162601DGV
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