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STP80N05-09
N - 沟道增强型
“超高密度”功率MOS晶体管
TYPE
STP80N05-09
s
s
s
s
s
s
V
DS S
50 V
R
DS (O N)
< 0.009
I
D
80 A
超高密度技术
典型
DS ( ON)
= 7 m
雪崩坚固的技术
低栅电荷
高电流能力
o
175°C工作温度
1
2
3
应用
s
SYNCROUNOUS整流器
s
大电流,高开关速度
s
的DC-DC &直流 - 交流转换器绝对
最大额定值
TO-220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
吨OT
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏 - 栅卷踏歌(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
C
减额外交事务委员会器
的dv / dt (
1
)峰值二极管RECOV红霉素VO ltage慢镜头PE
T
英镑
T
j
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
50
50
±
20
80
60
320
150
1
5
-65 175
175
(
1
) I
SD
60 A , di / dt的
200 A / MS ,V
DD
V
( BR ) DSS
, T
J
T
JMAX
单位
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V / ns的
o
o
C
C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1997年3月
1/9
STP80N05-09
热数据
R
吨HJ-情况
R
日J- AMB
R
THC-罪
T
l
热抵抗ANCE JUNC化情况
最大
热抵抗ANCE JUNC化, AMBI耳鼻喉科
最大
热抵抗ANCE案例-sink
典型值
马克斯imum焊接温度为太阳dering用途
1
62.5
0.5
300
o
o
C / W
C / W
o
C / W
o
C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
最大,
δ
& LT ; 1%)的
仙GLE普勒SE阿蛙勒anche能源
o
(起始物为
j
= 25℃ ,我
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
最大值
60
600
单位
A
mJ
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
关闭
符号
V
( BR ) DSS
I
DS S
I
GSS
参数
漏,所以urce
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
50
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
零加速度吃的电压
V
DS
=最大额定值
漏电流(V
的s
= 0) V
DS
=最大额定值
门体泄露年龄
电流(V
DS
= 0)
V
的s
=
±
20 V
T
c
= 125 C
o
开( *)
符号
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态德雷酒店正源在
阻力
测试条件
I
D
= 250
A
V
的s
= 10V我
D
= 40 A
80
分钟。
2
典型值。
3
0.007
马克斯。
4
0.009
单位
V
A
在国家德雷酒店电流V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值
V
的s
= 10 V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
输入卡帕克itance
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 40 A
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
25
5900
900
230
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/9
STP80N05-09
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
参数
开启时间
上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
DD
= 30 V
I
D
= 40 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 48 V
I
D
= 80 A
R
G
=50
V
GS
= 10 V
(见测试电路,图5 )
V
DD
= 40 V
I
D
= 80 A V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
32
160
240
马克斯。
42
200
单位
ns
ns
A / μs的
Q
g
Q
gs
Q
gd
总嘎忒费
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
230
30
60
280
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R( VOF F)
t
f
t
c
参数
关伏年龄上升时间
FAL L个时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 48 V
I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
(见测试电路,图5 )
分钟。
典型值。
35
175
240
马克斯。
46
230
300
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
标准差均值
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
蒂姆· ê
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 80 A
I
SD
= 80 A
V
GS
= 0
的di / dt = 100 A / μs的
125
0.6
10
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
V
R
= 30 V
T
j
= 150
o
C
(见测试电路,图5 )
( * )脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
( )脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区
热阻抗
3/9
STP80N05-09
降额曲线
输出特性
传输特性
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
4/9
STP80N05-09
电容变化
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
导通电流斜率
关断漏源电压斜率
交叉时间
5/9
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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