STP80N05-09
N - 沟道增强型
“超高密度”功率MOS晶体管
TYPE
STP80N05-09
s
s
s
s
s
s
V
DS S
50 V
R
DS (O N)
< 0.009
I
D
80 A
超高密度技术
典型
DS ( ON)
= 7 m
雪崩坚固的技术
低栅电荷
高电流能力
o
175°C工作温度
1
2
3
应用
s
SYNCROUNOUS整流器
s
大电流,高开关速度
s
的DC-DC &直流 - 交流转换器绝对
最大额定值
TO-220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
吨OT
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏 - 栅卷踏歌(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
C
减额外交事务委员会器
的dv / dt (
1
)峰值二极管RECOV红霉素VO ltage慢镜头PE
T
英镑
T
j
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
50
50
±
20
80
60
320
150
1
5
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤
60 A , di / dt的
≤
200 A / MS ,V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, T
J
≤
T
JMAX
单位
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V / ns的
o
o
C
C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1997年3月
1/9