STB7NK80Z ， STB7NK80Z - 1
STP7NK80ZFP ， STP7NK80Z
N沟道800 V ， 1.5
,
5.2 A， TO- 220 ， TO- 220FP ，D
2
PAK ，我
2
PAK
齐纳保护的超网功率MOSFET
特点
TYPE
STP7NK80Z
STP7NK80ZFP
STB7NK80Z
STB7NK80Z-1
■
■
■
■
■
V
DSS
（ @Tjmax ）
800V
800V
800V
800V
R
DS （ ON）
< 1.8Ω
< 1.8Ω
< 1.8Ω
< 1.8Ω
I
D
5.2A
5.2A
5.2A
5.2A
1
2
3
TO-220
TO-220FP
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
很不错的重复性制造
图1 。
内部原理图
D(2)
1
3
3
12
D
2
PAK
I
2
PAK
应用
■
开关应用
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
这种系列的补充ST全系列高
电压功率MOSFET包括革命
的MDmesh 产品。
表1中。
设备简介
记号
B7NK80Z
B7NK80Z
P7NK80Z
P7NK80ZFP
包
DPAK
IPAK
TO-220
TO-220FP
管
包装
带ê卷轴
G(1)
S(3)
AM01476v1
订购代码
STB7NK80ZT4
STB7NK80Z-1
STP7NK80Z
STP7NK80ZFP
2010年3月
文档编号8979第六版
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17
目录
STB7NK80Z ， STB7NK80Z -1， STP7NK80ZFP ， STP7NK80Z
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/17
文档编号8979第六版
STB7NK80Z ， STB7NK80Z -1， STP7NK80ZFP ， STP7NK80Z
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
绝对最大额定值
价值
参数
TO- 220
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
5.2
3.3
20.8
125
1
4000
4.5
2500
2
PAK
I
2
PAK
单位
TO-220FP
V
V
5.2
(1)
3.3
(1)
20.8
(1)
30
0.24
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
°C
800
± 30
V
ESD （G -S ）
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
j
T
英镑
门源ESD
（ HBM -C = 100 pF的， R = 1.5千欧）
峰值二极管恢复电压斜率
从绝缘耐受电压（有效值）
所有这三个导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
最大工作结温
储存温度
-55到150
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
5.2 A， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
表3中。
符号
热数据
价值
参数
TO- 220
2
PAK我
2
PAK TO- 220FP
1
62.5
300
4.2
单位
° C / W
° C / W
°C
R
THJ情况
热阻结案件最大
R
THJ - AMB
T
l
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
价值
5.2
210
单位
A
mJ
文档编号8979第六版
3/17
电气特性
STB7NK80Z ， STB7NK80Z -1， STP7NK80ZFP ， STP7NK80Z
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.6 A
3
3.75
1.5
分钟。
800
1
50
± 10
4.5
1.8
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(2)
动态
参数
测试条件
分钟。
-
典型值。
5
1138
122
25
50
20
12
45
20
40
7
21
12
10
20
56
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
ns
ns
ns
正向跨导V
DS
= 15 V，I
D
= 2.6 A
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
V
DS
=0 , V
DS
= 0至640 V
V
DD
= 400 V，I
D
= 2.6 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图17）
V
DD
= 640 V，I
D
= 5.2 A,
V
GS
= 10 V
（见
图18）
V
DD
= 640 V，I
D
= 5.2 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图17）
-
t
D（上）
t
r
t
R（ OFF）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
R（ Voff时）
t
r
t
c
-
-
-
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
.
4/17
文档编号8979第六版
STB7NK80Z ， STB7NK80Z -1， STP7NK80ZFP ， STP7NK80Z
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 5.2 A，V
GS
= 0
I
SD
= 5.2 A， di / dt的= 100
A / μs的
V
DD
= 50V， TJ = 150℃
（见
图22）
测试条件
分钟。
-
-
530
3.31
12.5
典型值。
马克斯。
5.2
20.8
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
-
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2.脉冲宽度有限的安全工作区
表8 。
符号
BV
GSO
门源稳压二极管
参数
测试条件
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅源击穿电压I
GS
= ± 1毫安（漏极开路）
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅
该器件的ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变
这可能偶尔会从栅极施加到源极。在这方面的齐纳电压是
适合于实现一个高效和具有成本效益的干预措施，以保护设备的
诚信。这些集成稳压二极管从而避免了外部元件的使用情况。
文档编号8979第六版
5/17
STP7NK80Z - STP7NK80ZFP
STB7NK80Z - STB7NK80Z - 1
N沟道800V - 1.5Ω - 5.2A - TO- 220 / TO- 220FP / D
2
PAK / I
2
PAK
齐纳保护的超网功率MOSFET
一般特点
TYPE
STP7NK80Z
STP7NK80ZFP
STB7NK80Z
STB7NK80Z-1
■
■
■
■
■
V
DSS
（ @Tjmax ）
800V
800V
800V
800V
R
DS （ ON）
< 1.8Ω
< 1.8Ω
< 1.8Ω
< 1.8Ω
I
D
5.2A
5.2A
5.2A
5.2A
1
2
3
TO-220
TO-220FP
DV dt能力极高/
100 ％ avalange测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
很不错的重复性制造
1
3
3
12
D
2
PAK
I
2
PAK
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
这种系列的补充ST全系列高
电压功率MOSFET包括革命
的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STP7NK80Z
STP7NK80ZFP
STB7NK80ZT4
STB7NK80Z-1
记号
P7NK80Z
P7NK80ZFP
B7NK80Z
B7NK80Z-1
包
TO-220
TO-220FP
DPAK
IPAK
包装
管
管
带ê卷轴
管
2006年10月
第5版
1/18
www.st.com
18
目录
STP7NK80Z - STP7NK80ZFP - STB7NK80Z - STB7NK80Z - 1
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
2.1
电特性（曲线）
............................. 7
3
4
5
6
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/18
STP7NK80Z - STP7NK80ZFP - STB7NK80Z - STB7NK80Z - 1
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
的TO- 220 / DPAK
IPAK
800
± 30
5.2
3.3
20.8
125
1
4000
4.5
--
2500
5.2
(1)
3.3
(1)
20.8
(1)
30
0.24
单位
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
°C
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
V
ESD （G -S ）
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
j
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（ T = 1秒; TC = 25 ° C）
最大工作结温
储存温度
-55到150
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
5.2 A， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
表2中。
热数据
价值
符号
参数
TO-220/D
2
PAK
I
2
PAK
单位
TO-220FP
4.2
° C / W
° C / W
°C
R
THJ情况
R
THJ - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
1
62.5
300
3/18
电气额定值
STP7NK80Z - STP7NK80ZFP - STB7NK80Z - STB7NK80Z - 1
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n = IAR， VDD = 50V ）
价值
5.2
210
单位
A
mJ
4/18
STP7NK80Z - STP7NK80ZFP - STB7NK80Z - STB7NK80Z - 1
电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.6 A
3
3.75
1.5
分钟。
800
1
50
± 10
4.5
1.8
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(2)
动态
参数
测试条件
分钟。
典型值。
5
1138
122
25
50
20
12
45
20
40
7
21
12
10
20
56
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
ns
ns
ns
正向跨导V
DS
= 15V ，我
D
= 2.6 A
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DS
=0V, V
DS
= 0V至640V
t
D（上）
t
r
t
R（ OFF）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
R（ Voff时）
t
r
t
c
V
DD
= 400 V，I
D
= 2.6 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图16）
V
DD
= 640 V，I
D
= 5.2 A,
V
GS
= 10 V
（见
图17）
V
DD
= 640 V，I
D
= 5.2 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图16）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
.
5/18
STP7NK80Z - STP7NK80ZFP
STB7NK80Z - STB7NK80Z - 1
N-二CHANNEL800V - 1.5Ω - 5.2A TO- 220 / TO- 220FP / I
2
PAK / D
2
PAK
齐纳保护的超网功率MOSFET
TYPE
STP7NK80Z
STP7NK80ZFP
STB7NK80Z
STB7NK80Z-1
s
s
s
s
s
s
V
DSS
800
800
800
800
V
V
V
V
R
DS （ ON）
< 1.8
< 1.8
< 1.8
< 1.8
I
D
5.2 A
5.2 A
5.2 A
5.2 A
Pw
125 W
30 W
125 W
125 W
3
1
2
典型
DS
（上） = 1.5
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
TO-220
TO-220FP
3
3
12
1
D
2
PAK
I
2
PAK
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
SMPS的工业应用。
s
照明（预备加热）
订购信息
销售类型
STP7NK80Z
STP7NK80ZFP
STB7NK80ZT4
STB7NK80Z
STB7NK80Z-1
记号
P7NK80Z
P7NK80ZFP
B7NK80Z
B7NK80Z
B7NK80Z
包
TO-220
TO-220FP
D
2
PAK
D
2
PAK
I
2
PAK
包装
管
管
磁带&卷轴
管
（ ONLY应请求）
管
2002年8月
1/13
STP7NK80Z - STP7NK80ZFP - STB7NK80Z - STB7NK80Z - 1
绝对最大额定值
符号
参数
STP7NK80Z
STB7NK80Z
STB7NK80Z-1
价值
STP7NK80ZFP
单位
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
-
5.2
3.3
20.8
125
1
800
800
± 30
5.2 (*)
3.3 (*)
20.8 (*)
30
0.24
4000
4.5
2500
-55到150
-55到150
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤5.2A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
TO-220
D
2
PAK
I
2
PAK
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1
62.5
300
TO-220FP
4.2
50
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
5.2
210
单位
A
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
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STP7NK80Z - STP7NK80ZFP - STB7NK80Z - STB7NK80Z - 1
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
GS
= 10V ，我
D
= 2.6 A
3
3.75
1.5
分钟。
800
1
50
±10
4.5
1.8
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 2.6 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
5
1138
122
25
50
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至640V
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
= 400 V，I
D
= 2.6 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 640V ，我
D
= 5.2 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
20
12
40
7
21
56
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 400 V，I
D
= 2.6 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 640V ，我
D
= 5.2 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
45
22
12
10
20
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 5.2 A，V
GS
= 0
I
SD
= 5.2 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 50V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
530
3.31
12.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
5.2
20.8
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
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STP7NK80Z - STP7NK80ZFP - STB7NK80Z - STB7NK80Z - 1
安全工作区TO-220 / D2PAK / I2PAK
安全工作区TO- 220FP
热阻抗对于TO- 220 / D2PAK / I2PAK
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
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STP7NK80Z - STP7NK80ZFP - STB7NK80Z - STB7NK80Z - 1
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压随温度。
归一通电阻与温度
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