STP7NC80Z - STP7NC80ZFP
STB7NC80Z - STB7NC80Z - 1
N沟道800V - 1.3Ω - 6.5A TO- 220 / FP / D
2
PAK / I
2
PAK
齐纳保护的PowerMESH III MOSFET
TYPE
STP7NC80Z
STP7NC80ZFP
STB7NC80Z
STB7NC80Z-1
s
s
V
DSS
800
800
800
800
V
V
V
V
R
DS （ ON）
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
1.5
1.5
1.5
1.5
I
D
6.5 A
6.5 A
6.5 A
6.5 A
TO-220
3
1
s
s
s
典型
DS
（上） = 1.3Ω
极高的dv / dt和能力的
门 - 源齐纳二极管
100％的雪崩测试
非常低门输入电阻
栅极电荷最小化
D
2
PAK
3
1
2
TO-220FP
12
3
I
2
PAK
（无接头的TO-220 ）
描述
第三代MESH OVERLAY 电源的
MOSFET，以非常高的电压展品unsur-
导通电阻的每单位面积通过的同时结合
背到背栅之间的齐纳二极管
源。这样的安排使额外的ESD capabil-
性具有较高的耐用性表现，请求 -
通过大量的各种单开关应用编
内部原理图
应用
s
监护仪单端开关电源，
计算机和工业应用
s
焊接设备
订购信息
销售类型
STP7NC80Z
STP7NC80ZFP
STB7NC80ZT4
STB7NC80Z-1
记号
P7NC80Z
P7NC80ZFP
B7NC80Z
B7NC80Z
包
TO-220
TO-220FP
D
2
PAK
I
2
PAK
包装
管
管
磁带&卷轴
管
2003年5月
1/13
STP7NC80Z - STP7NC80ZFP - STB7NC80Z - STB7NC80Z - 1
绝对最大额定值
符号
参数
STP7NC80Z
STB7NC80Z
STB7NC80Z-1
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
I
GS
V
ESD （G -S ）
dv / dt的
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
栅极 - 源极电流
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
储存温度
最大工作结温
--
-65到150
150
6.5
4
26
135
1.08
±50
3
3
2000
800
800
±25
6.5 (*)
4(*)
26 (*)
40
0.32
价值
STP7NC80ZFP
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mA
KV
V / ns的
V
°C
°C
单位
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
TO- 220 / D
2
PAK /
I
2
PAK
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
0.93
30
300
TO-220FP
3.13
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
6.5
290
单位
A
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
αT
Rz
参数
栅源击穿
电压
电压温度系数
动态电阻
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
T = 25 ° C注（ 3 ）
I
D
= 20毫安，
分钟。
25
1.3
90
典型值。
马克斯。
单位
V
10
-4
/°C
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/13
STP7NC80Z - STP7NC80ZFP - STB7NC80Z - STB7NC80Z - 1
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.3 A
3
4
1.3
分钟。
800
0.9
1
50
±10
5
1.5
典型值。
马克斯。
单位
V
V /°C的
A
A
A
V
ΔBV
DSS
/T
J
击穿电压温度。
系数
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 3.3 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
6
2350
164
17
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
= 400 V，I
D
= 3 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 640 V，I
D
= 6 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
33
12
43
12
15
58
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 640 V，I
D
=6 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
13
13
20
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 6.1 A，V
GS
= 0
I
SD
= 6 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
≤ 40V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
680
6
18
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
6.5
26
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3.
V
BV
= αT （25° -T） BV
GSO
(25°)
3/13
STP7NC80Z - STP7NC80ZFP - STB7NC80Z - STB7NC80Z - 1
安全工作区的TO- 220 / I2PAK
热阻抗对于TO- 220 / D2PAK / I2PAK
安全工作区TO- 220FP
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
4/13
STP7NC80Z - STP7NC80ZFP - STB7NC80Z - STB7NC80Z - 1
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压随温度。
归一通电阻与温度
5/13
QQ：2880707522 复制
