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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第963页 > STP7NB40FP
STP7NB40
STP7NB40FP
N - 沟道增强型
的PowerMESH MOSFET
初步数据
TYPE
STP7NB40
STP7NB40FP
s
s
s
s
s
V
DSS
400 V
400 V
R
DS （ ON）
< 0.9
< 0.9
I
D
7.0 A
4.4 A
典型
DS （ ON）
= 0.75
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
3
1
2
3
1
2
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中， SGS - Thomson还设计了一个
功率MOSFET具有先进的家庭
出色的表现。新专利
未决带布局再加上公司的
专有的边缘终端结构，给出了
单位面积最低的RDS（on ） ，特殊的雪崩
和dv / dt性能和无与伦比的栅极电荷
和开关特性。
应用
s
大电流，高开关速度
s
开关模式电源（ SMPS ）
s
DC -AC转换器，用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
的dv / dt （
1
)
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100
o
C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25 C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
o
TO-220
TO-220FP
内部原理图
价值
STP7NB40
STP7NB40FP
400
400
±
30
7
4.4
28
100
0.8
4.5
-65到150
150
4.4
2.8
28
35
0.28
4.5
2000
单位
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V / ns的
V
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(
1
) I
SD
≤
图7A中， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
T
JMAX
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
1998年1月
1/4
STP7NB40/FP
热数据
TO-220
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
THC-汇
T
l
热阻结案件
最大
1.25
62.5
0.5
300
TO-220FP
3.57
o
o
o
C / W
C / W
C / W
o
C
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大无铅焊接温度的目的
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
7
300
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
400
1
50
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
零栅极电压
V
DS
=最大额定值
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 125 C
o
开（ *）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
参数
栅极阈值
电压
静态漏源
阻力
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V
测试条件
I
D
= 250
A
I
D
= 3.5 A
7
分钟。
3
典型值。
4
0.75
马克斯。
5
0.9
单位
V
A
论国有漏电流V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
V
GS
= 10 V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 3.5 A
V
GS
= 0
分钟。
2.5
典型值。
4.2
705
132
17
720
175
25
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/4
STP7NB40/FP
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 200 V I
D
= 3.5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 320 V
I
D
= 7 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
11.5
7.5
21
7.3
8.5
马克斯。
16
11
30
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 320 V I
D
= 7 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
9.5
9
16.5
马克斯。
15
14
25
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 7 A
V
GS
= 0
300
2
13.7
I
SD
= 7的的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 100 V
T
j
= 150
o
C
（见测试电路，图5 ）
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
7
28
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
3/4
STP7NB40/FP
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
SGS - THOMSON微电子产品不授权不明确的生命支持设备或系统中的关键组件
SGS - THOMSON Microelectonics的书面批准。
1998 SGS - THOMSON微电子 - 印刷意大利 - 版权所有
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...
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