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STP7NA40
STP7NA40FI
N - 沟道增强型
快速功率MOS晶体管
TYPE
STP7NA40
STP7NA40FI
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
400 V
400 V
R
DS ( ON)
& LT ; 1
& LT ; 1
I
D
6.5 A
4.1 A
典型
DS ( ON)
= 0.82
±
30V栅极至源极电压额定值
100%的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
低的固有电容
GATE GHARGE MINIMIZED
化阈值电压蔓延
TO-220
3
1
2
1
2
3
描述
该系列功率MOSFET的代表
最先进的高电压技术。该
再加上一个新的优化的小区布局
专有的边缘终端同意给
设备低R
DS ( ON)
和栅极电荷,无与伦比
耐用性和出色的开关性能。
应用
s
大电流,高开关速度
s
开关模式电源( SMPS )
s
DC -AC转换器,用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
绝对最大额定值
符号
参数
ISOWATT220
内部原理图
价值
STP7NA40
STP7NA40FI
400
400
±
30
6.5
4.1
26
100
0.8
-65到150
150
4.1
2.6
26
40
0.32
2000
o
单位
V
S
V
DG
V
GS
I
D
I
D
I
D M
()
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
的s
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
绝缘耐压( DC )
储存温度
马克斯。工作结温
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V
o
o
C
C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1996年11月
1/10
STP7NA40/FI
热数据
TO-220
R
THJ - CAS é
R
thj- AMB
R
吨HC-罪
T
l
热阻结案件
最大
1.25
62.5
0.5
300
ISOWATT220
3.12
o
o
o
C / W
C / W
C / W
o
C
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大无铅焊接温度的目的
雪崩特性
符号
I
A R
E
AS
E
AR
I
A R
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
最大,
δ
& LT ; 1%)的
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= I
AR
, V
D D
= 50 V)
重复性雪崩能量
(脉冲宽度限制T
j
最大,
δ
& LT ; 1%)的
雪崩电流,重复或不重复
(T
c
= 100
o
C,脉冲宽度为T的限制
j
最大,
δ
& LT ; 1%)的
o
最大值
6.5
210
8.4
4.1
单位
A
mJ
mJ
A
电气特性
(T
= 25℃ ,除非另有规定)
关闭
符号
V
( BR ) DSS
I
DS S
I
摹SS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
A
V
的s
= 0
分钟。
400
25
250
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
零栅极电压
V
DS
=最大额定值
漏电流(V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值×0.8
门体漏
电流(V
S
= 0)
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 125 C
o
开( *)
符号
V
的s (次)
R
DS ( ON)
I
D(上)
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
V
GS
= 10V
测试条件
I
D
= 250
A
I
D
= 3.5 A
6.5
分钟。
2.25
典型值。
3
0.82
马克斯。
3.75
1
单位
V
A
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
S(上)最大
V
GS
= 10 V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
S(上)最大
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 3.5 A
V
的s
= 0
分钟。
3.1
典型值。
4.6
700
120
31
900
160
43
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/10
STP7NA40/FI
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
参数
开启时间
上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
DD
= 200 V I
D
= 3.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 47
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 320 V I
D
= 7 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 47
(见测试电路,图5 )
V
DD
= 320 V
I
D
= 7 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
25
75
220
马克斯。
35
100
单位
ns
ns
A / μs的
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
34
7
15
45
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R( VOF F)
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 320 V I
D
= 7 A
R
G
= 47
V
GS
= 10 V
(见测试电路,图5 )
分钟。
典型值。
40
25
75
马克斯。
55
35
100
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
S.D。
I
SDM
()
V
S.D。
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 6.5 A
V
GS
= 0
380
4.8
25
I
SD
= 7的的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 100 V
T
j
= 150
o
C
(见测试电路,图5 )
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
6.5
26
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
( * )脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
( )脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作领域对于TO- 220
安全工作区为ISOWATT220
3/10
STP7NA40/FI
热Impedeance对于TO- 220
对于ISOWATT220热阻抗
降额曲线TO- 220
降额曲线ISOWATT220
输出特性
传输特性
4/10
STP7NA40/FI
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
5/10
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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