STF7N95K3
STP7N95K3 ， STW7N95K3
N沟道950 V， 1.1
,
7.2 A， TO- 220 ， TO- 220FP ， TO- 247
齐纳保护SuperMESH3 功率MOSFET
特点
TYPE
STF7N95K3
STP7N95K3
STW7N95K3
■
■
■
■
■
V
DSS
950 V
950 V
950 V
R
DS （ ON）
最大
< 1.35
< 1.35
< 1.35
I
D
7.2 A
Pw
35 W
TO-247
1
2
3
7.2 150W的
7.2 150W的
3
1
2
100％的雪崩测试
非常大的雪崩性能
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
齐纳保护
图1 。
TO-220
3
1
2
TO-220FP
应用
■
内部原理图
切换应用程序
描述
获得新SuperMESH3 系列
通过进一步的微调的组合
ST的确立带钢为主的PowerMESH
布局与新优化的垂直结构。在
除了推动的导通电阻显著
下，特别关注已采取保证
加上一个非常好的动态性能
对于大多数非常大的雪崩能力
苛刻的应用。
表1中。
设备简介
记号
7N95K3
7N95K3
7N95K3
包
TO-220FP
TO-220
TO-247
包装
管
管
管
订购代码
STF7N95K3
STP7N95K3
STW7N95K3
2009年1月
REV 1
1/15
www.st.com
15
目录
STF7N95K3 ， STP7N95K3 ， STW7N95K3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/15
STF7N95K3 ， STP7N95K3 ， STW7N95K3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
I
AR
E
AS
dv / dt的
(4)
V
ISO
T
j
T
英镑
绝对最大额定值
价值
参数
的TO-220 ，TO- 247 TO- 220FP
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
在重复或单脉冲最大电流
雪崩（脉冲宽度限制T
JMAX
)
单脉冲雪崩能量
(3)
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘材料来自三个耐受电压（有效值）
通向外部散热器
（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
工作结温
储存温度
-55到150
1.12
6
2000
7.2
4.5
28.8
150
9
220
0.24
± 30
7.2
(1)
4.5
(1)
28.8
(1)
35
V
A
A
A
W
A
mJ
W / ℃，
V / ns的
V
单位
°C
1.限制由包
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V
4. I
SD
≤
7.2 A， di / dt的= 100 A / μs的，V
PEAK
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
R
THJ情况
Rt
HJ- AMB
T
l
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
62.5
的TO-220 TO-247 TO- 220FP
0.83
50
300
3.57
62.5
单位
° C / W
° C / W
°C
3/15
电气特性
STF7N95K3 ， STP7N95K3 ， STW7N95K3
2
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
950
1
50
10
3
4
1.1
5
1.35
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.6 A
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
o(tr)(2)
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
当量
电容时间
相关
当量
电容能源
相关
门输入电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 3.6 A
分钟。
典型值。
5
1031
79
0.9
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 100 V，F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DS
= 0 760 V ，V
GS
= 0
60
pF
C
o(er)(3)
V
DS
= 0 760 V ，V
GS
= 0
F = 1 MHz的栅极的直流偏压为0测试
信号电平= 20 mV的开路
漏
V
DD
= 760 V，I
D
= 7.2 A,
V
GS
= 10 V
（见
图20）
36
pF
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.4
34
6
20
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
时间相关的被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
3. C
OSS EQ 。
能量相关的被定义为一个常数等效电容给出相同存储的能量作为
C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
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STF7N95K3 ， STP7N95K3 ， STW7N95K3
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 475 V，I
D
= 3.6 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图19）
分钟。
典型值。
14
9
36
23
最大单位
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 7.2 A，V
GS
= 0
I
SD
= 7.2 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 60 V （见
图24 ）
I
SD
= 7.2 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V ，T
j
= 150 °C
（见
图24 ）
450
6
28
550
8
28
测试条件
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
7.2
28.8
1.6
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表8 。
符号
BV
GSO(1)
门源稳压二极管
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
MAX 。 UNIT
V
1.内置背到背的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
外部元件的使用情况
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