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STB70N10F4 ， STD70N10F4
STP70N10F4 ， STW70N10F4
N型沟道100伏， 0.015
60 A ，的STripFET DeepGATE
,
在TO-220， DPAK ，TO- 247 ，D功率MOSFET
2
PAK
特点
TYPE
STB70N10F4
STD70N10F4
STP70N10F4
STW70N10F4
■
■
■
V
DSS
100 V
100 V
100 V
100 V
R
DS （ ON）
最大
< 0.0195
< 0.0195
< 0.0195
< 0.0195
I
D
65 A
60 A
65 A
65 A
1
2
3
1
2
3
TO-247
TO-220
DV dt能力EXCEPTIONAL /
非常低的导通电阻R
DS （ ON）
100％的雪崩测试
3
1
3
1
DPAK
DPAK
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这的STripFET DeepGATE 功率MOSFET
技术是其中的最新改进，
已特别针对减少
通态电阻，用新的栅结构，
提供出色的开关性能。
表1中。
设备简介
记号
70N10F4
70N10F4
70N10F4
70N10F4
包
DPAK
DPAK
TO-220
TO-247
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
管
管
订购代码
STB70N10F4
STD70N10F4
STP70N10F4
STW70N10F4
2009年10月
文档ID 15207牧师3
1/18
www.st.com
18
目录
STB/D/P/W70N10F4
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
............................................... 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/18
文档ID 15207牧师3
STB/D/P/W70N10F4
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
的TO-220 ，TO- 247 ，
DPAK
100
± 20
65
46
260
150
1
120
- 55 175
马克斯。工作结温
60
43
240
125
0.83
单位
DPAK
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
E
AS （2）
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 32.5 A，V
DD
= 45 V
表3中。
符号
热数据
价值
参数
的TO-220 ，TO- 247 ，
DPAK
1
62.5
300
单位
DPAK
1.2
50
(1)
° C / W
° C / W
°C
R
THJ情况
热阻结案件最大
R
THJ -A
T
l
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
1.当安装在FR-4板1英寸2 ， 2盎司铜
文档ID 15207牧师3
3/18
电气特性
STB/D/P/W70N10F4
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
=125 °C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
2
0.015
分钟。
100
1
100
100
4
0.0195
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
测试条件
分钟。
典型值。
5800
300
190
V
DD
= 80 V，I
D
= 65 A,
V
GS
= 10 V
（参见图16）
85
-
20
25
-
-
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 50 V，I
D
= 30 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（参见图15）
V
DD
= 50 V，I
D
= 30 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图15）
分钟。
典型值。
30
20
65
20
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
-
-
4/18
文档ID 15207牧师3
STB/D/P/W70N10F4
表7中。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
电气特性
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
-
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 60 A，V
GS
= 0
I
SD
= 60 A，V
DD
= 25 V
的di / dt = 100 A / μs的，
T
j
= 150 °C
（参见图17）
-
80
280
6.7
240
1.5
A
V
ns
nC
A
测试条件
分钟。
典型值。
最大
60
单位
A
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档ID 15207牧师3
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