STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1
STP6NK60ZFP - STP6NK60Z
N沟道600 V - 1
- 6 A - TO- 220 / TO- 220FP / D
2
PAK / I
2
PAK
齐纳保护的超网功率MOSFET
特点
TYPE
STB6NK60Z
STB6NK60Z-1
STP6NK60ZFP
STP6NK60Z
■
■
■
V
DSS
600 V
600 V
600 V
600 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
I
D
6A
6A
6A
6A
P
W
110 W
110 W
30 W
110 W
TO-220
1
2
3
3
1
DPAK
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
IPAK
3
12
3
1
2
TO-220FP
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
表1中。
设备简介
记号
B6NK60Z
B6NK60Z
P6NK60ZFP
P6NK60Z
包
DPAK
IPAK
TO-220FP
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
管
管
订购代码
STB6NK60Z
STB6NK60Z-1
STP6NK60ZFP
STP6NK60Z
2007年11月
转8
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目录
STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1 - STP6NK60ZFP - STP6NK60Z
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/17
STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1 - STP6NK60ZFP - STP6NK60Z
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
绝对最大额定值
价值
参数
TO- 220 / D / IPAK TO- 220FP
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
6
3.8
24
110
0.88
3500
4.5
--
-55到150
2500
600
± 30
6
(1)
3.8
(1)
24
(1)
30
0.24
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
单位
V
ESD （G -S ）
摹-S ESD （ HBM C = 100 pF的， R = 1.5千欧）
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
j
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.
I
SD
≤
6 A， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
热数据
价值
参数
TO- 220 / D / IPAK TO- 220FP
1.14
62.5
300
4.2
单位
° C / W
° C / W
°C
Rthj外壳热阻结案件最大
Rthj - AMB热阻结磁悬浮最大
T
l
最大无铅焊接温度的
用途
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
价值
6
210
单位
A
mJ
3/17
电气特性
STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1 - STP6NK60ZFP - STP6NK60Z
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 3 A
3
3.75
1
分钟。
600
1
50
±10
4.5
1.2
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
(2)
EQ 。
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 8 V
,
I
D
= 3 A
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
5
905
115
25
56
33
6
17
46
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
GS
= 0, V
DS
= 0 480 V
V
DD
= 480 V，I
D
= 6 A,
V
GS
= 10 V
（参见图18）
pF
nC
nC
nC
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/17
STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1 - STP6NK60ZFP - STP6NK60Z
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 3 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（参见图17）
分钟。
典型值。
14
14
47
19
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 6 A，V
GS
= 0
I
SD
= 6 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 50 V ，T
j
= 150 °C
（参见图19）
445
2.7
12
测试条件
民
典型值。
最大
6
24
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表9 。
符号
BV
GSO(1)
门源稳压二极管
参数
栅源击穿
电压
测试条件
鸡蛋±1 MA（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
1.内置背到背的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
5/17
STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1
STP6NK60ZFP - STP6NK60Z
N沟道600V - 1Ω - 6A - TO- 220 / TO- 220FP / D
2
PAK / I
2
PAK
齐纳保护的超网功率MOSFET
特点
TYPE
STB6NK60Z
STB6NK60Z-1
STP6NK60ZFP
STP6NK60Z
■
■
■
V
DSS
600V
600V
600V
600V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
I
D
6A
6A
6A
6A
P
W
110W
110W
30W
110W
TO-220
1
2
3
3
1
DPAK
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
IPAK
3
12
3
1
2
TO-220FP
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
内部原理图
应用
■
切换应用程序
订购代码
产品型号
STB6NK60Z
STB6NK60Z-1
STP6NK60ZFP
STP6NK60Z
记号
B6NK60Z
B6NK60Z
P6NK60ZFP
P6NK60Z
包
DPAK
IPAK
TO-220FP
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
管
管
2007年5月
第七版
1/17
www.st.com
17
目录
STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1 - STP6NK60ZFP - STP6NK60Z
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
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STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1 - STP6NK60ZFP - STP6NK60Z
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
绝对最大额定值
价值
参数
TO- 220 / D / IPAK TO- 220FP
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
6
3.8
24
110
0.88
3500
4.5
--
-55到150
2500
600
± 30
6
(1)
3.8
(1)
24
(1)
30
0.24
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
单位
V
ESD （G -S ）
摹-S ESD （ HBM C = 100pF电容， R = 1.5kΩ上）
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
j
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.
I
SD
≤
图6A中， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表2中。
符号
热数据
价值
参数
TO- 220 / D / IPAK TO- 220FP
1.14
62.5
300
4.2
单位
° C / W
° C / W
°C
Rthj外壳热阻结案件最大
Rthj - AMB热阻结磁悬浮最大
T
l
最大无铅焊接温度的
用途
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C，I
D
=I
AR
, V
DD
= 50V)
价值
6
210
单位
A
mJ
3/17
电气特性
STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1 - STP6NK60ZFP - STP6NK60Z
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
GS
= 10V ，我
D
= 3 A
3
3.75
1
分钟。
600
1
50
±10
4.5
1.2
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
(2)
EQ 。
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 8 V
,
I
D
= 3 A
分钟。
典型值。
5
905
115
25
56
33
6
17
46
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25V ， F = 1海量
GS
=
0
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
V
DD
= 480V ，我
D
= 6 A,
V
GS
= 10V
（参见图17）
pF
nC
nC
nC
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/17
STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1 - STP6NK60ZFP - STP6NK60Z
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 3 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（参见图16）
分钟。
典型值。
14
14
47
19
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 6 A，V
GS
= 0
I
SD
= 6 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 50 V ，T
j
= 150°C
（参见图18）
445
2.7
12
测试条件
民
典型值。
最大
6
24
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
表8 。
符号
BV
GSO(1)
门源稳压二极管
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
1.内置背到背的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
5/17
STP6NK60Z - STP6NK60ZFP
STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1
N沟道600V - 1Ω - 6A TO- 220 / TO- 220FP / D
2
PAK / I
2
PAK
齐纳保护的超网功率MOSFET
TYPE
STP6NK60Z
STP6NK60ZFP
STB6NK60Z
STB6NK60Z-1
s
s
s
s
s
s
V
DSS
600
600
600
600
V
V
V
V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
I
D
6
6
6
6
A
A
A
A
Pw
110 W
32 W
110 W
110 W
1
典型
DS
（上）= 1
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
3
3
1
2
TO-220
D
2
PAK
TO-220FP
3
12
I
2
PAK
描述
在超网系列是通过获得
ST的确立带钢的极端优化
基础的PowerMESH 布局。除了推
导通电阻显著下降，特别护理着以
恩，确保了很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列完井
ments ST全系列高电压MOSFET的IN-
cluding革命性的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
IDEAL离线电源，
转接器和PFC
s
灯光
订购信息
销售类型
STP6NK60Z
STP6NK60ZFP
STB6NK60ZT4
STB6NK60Z-1
记号
P6NK60Z
P6NK60ZFP
B6NK60Z
B6NK60Z
包
TO-220
TO-220FP
D
2
PAK
I
2
PAK
包装
管
管
磁带&卷轴
管
2003年4月
1/13
STP6NK60Z - STP6NK60ZFP - STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1
绝对最大额定值
符号
参数
STP6NK60Z
STB6NK60Z
STB6NK60Z-1
价值
STP6NK60ZFP
单位
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
-
6
3.8
24
110
0.88
600
600
± 30
6 (*)
3.8 (*)
24 (*)
32
0.24
3500
4.5
2500
-55到150
-55到150
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
V
°C
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤6A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
热数据
TO- 220 / D
2
PAK /
I
2
PAK
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1.14
62.5
300
TO-220FP
4.2
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
6
210
单位
A
mJ
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从大门到烃源应用。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和成本
有效的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免了使用
的外部元件。
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STP6NK60Z - STP6NK60ZFP - STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
GS
= 10V ，我
D
= 3 A
3
3.75
1
分钟。
600
1
50
±10
4.5
1.2
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(3)
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 8 V
,
I
D
= 3 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
5
905
115
25
56
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至480V
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 3 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 6 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
14
14
33
6
17
46
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 3 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（阻性负载参见图3 ）
V
DD
= 480V ，我
D
= 6 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（感性负载参见图5 ）
分钟。
典型值。
47
19
16
16
29
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 6 A，V
GS
= 0
I
SD
= 6 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 50 V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
445
2.7
12
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
6
24
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
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STP6NK60Z - STP6NK60ZFP - STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1
对于TO- 220 / D2PAK / I2PAK安全工作区
安全工作区TO- 220FP
对于TO- 220 / D2PAK / I2PAK热阻抗
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
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STP6NK60Z - STP6NK60ZFP - STB6NK60Z - STB6NK60Z - 1
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压随温度。
归一通电阻与温度
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