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STD6N95K5 ， STF6N95K5 ，

STP6N95K5 ， STW6N95K5 ， STU6N95K5

N沟道950 V， 1

（典型值）， 9齐纳保护超网 5

在DPAK功率MOSFET ，TO- 220FP ，TO- 220，TO- 247和IPAK

数据表 - 生产数据

特点

TAB

TYPE

STD6N95K5

STF6N95K5

STP6N95K5

STW6N95K5

STU6N95K5

■

DSS

DS （ ON）

马克斯。

90 W

25 W

TAB

DPAK

950 V

< 1.25

90 W

TO-220FP

TAB

世界各地的DPAK 950 V最佳R

DS （ ON）

世界范围内最好的FOM （品质因数）

超低栅极电荷

100％的雪崩测试

齐纳保护

图1 。

TO-220

TO-247

IPAK

内部原理图

D(2,TAB)

应用

■

切换应用程序

描述

这些器件是N沟道功率MOSFET

使用超网 5技术开发。

这一革命性的，雪崩坚固，高

电压功率MOSFET技术是基于

一个创新的专有垂直结构。该

结果是大幅度减少导通电阻和

应用超低栅极电荷而

需要卓越的功率密度和高

EF网络效率。

表1中。

设备简介

记号

包

DPAK

TO-220FP

6N95K5

TO-220

管

STW6N95K5

STU6N95K5

2012年8月

这是在满负荷生产一个产品信息。

G(1)

S(3)

AM01476v1

订购代码

STD6N95K5

STF6N95K5

STP6N95K5

包装

磁带和卷轴

TO-247

IPAK

文档ID 16958牧师3

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www.st.com

STD6N95K5 ， STF6N95K5 ， STP6N95K5 ， STW6N95K5 ， STU6N95K5

电气额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

电特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

2.1

电特性（曲线）

............................ 6

测试电路

.............................................. 9

包装机械的数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 10

包装机械数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 20

修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 22

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STD6N95K5 ， STF6N95K5 ， STP6N95K5 ， STW6N95K5 ， STU6N95K5

电气额定值

表2中。

符号

绝对最大额定值

价值

参数

TO-220， DPAK

的TO- 247 ， IPAK

± 30

(1)

单位

TO-220FP

DM （2）

合计

AR（3）

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

= 25 °C

漏电流（连续）在T

= 100 °C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25 °C

在重复或单最大电流

脉冲雪崩

单脉冲雪崩能量

（起始物为

= 25 ° C，I

, V

= 50 V)

从绝缘耐受电压（有效值）

所有这三个导到外部的散热器

（T = 1秒;吨

=25 °C)

峰值二极管恢复电压斜率

工作结温

储存温度

ISO

dv / dt的

(4)

英镑

2500

4.5

- 55 150

V / ns的

°C

1.包装有限公司。

2.脉冲宽度有限的安全工作区。

3.脉冲宽度限制T

JMAX 。

4. I

≤

9 A， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

PEAK

≤

（ BR ） DSS

表3中。

热数据

价值

符号

参数

TO-220

IPAK

单位

DPAK

的TO- 247 TO- 220FP

Rthj情况

Rthj - AMB

RthJ -PCB

(1)

热阻结案件

最大

热阻结大使

最大

热阻结到PCB

最大

62.5

1.39

62.5

° C / W

1.当安装在1inch FR-4板， 2盎司铜

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电气特性

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电气特性

例

= 25 ° C除非另有说明）

表4 。

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

开/关状态

参数

漏源击穿

电压

零栅压漏

电流（V

= 0)

门体漏电流

= 0)

栅极阈值电压

静态漏源导通

阻力

测试条件

= 1毫安， V

= 0

= 950 V

= 950 V ，TC = 125°C

= ± 20 V

= V

, I

= 100 A

= 10 V，I

= 3 A

分钟。

950

±10

1.25

典型值。

马克斯。

单位

表5 。

符号

国际空间站

OSS

RSS

o(tr)(1)

O（ ER ）

(2)

动态

参数

输入电容

输出电容

反向传输

电容

等效电容时

相关

等效电容

能源相关

内在的栅极电阻

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 0, V

= 0 760 V

F = 1MHz的漏极开路

= 760 V，I

= 6 A

=10 V

（见

图20）

= 100 V，F = 1兆赫，V

测试条件

分钟。

典型值。

450

1.6

马克斯。

单位

1.时间有关的被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C

OSS

当

增加了从0到80 ％的V

DSS

2.能源有关的被定义为一个常数等效电容给出相同存储的能量为C

OSS

当V

增加了从0到80 ％的V

DSS

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电气特性

表6 。

符号

D（上）

D（关闭）

开关时间

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

测试条件

= 475 V，I

= 3 A,

=4.7

Ω,

=10 V

（见

图22）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

表7中。

符号

SDM

SD(1)

RRM

源漏二极管

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 6 A，V

= 60 V

的di / dt = 100 A / μs的，

（见

图21）

= 6 A，V

= 60 V

的di / dt = 100 A / μs的，

TJ = 150℃

（见

图21）

测试条件

分钟。

372

522

典型值。

马克斯。

1.6

单位

脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％

表8 。

符号

门源稳压二极管

参数

测试条件

民

典型值。

马克斯。

单位

（ BR ）， GSO

栅源击穿电压的Ig ± 1mA时，我

= 0

所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅

该器件的ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变

这可能偶尔会从栅极施加到源极。在这方面的齐纳电压是

适合于实现一个高效和具有成本效益的干预措施，以保护设备的

诚信。这些集成稳压二极管从而避免了外部元件的使用情况。

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