STP60NH2LL
N沟道24V - 0.010Ω - 40A TO-220
的STripFET 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STP60NH2LL
V
DSS
（ @Tjmax ）
24V
R
DS （ ON）
<0.011
I
D
40A
(1)
1.价值限于通过引线接合
■
■
■
■
R
DS （ ON）
*的Qg行业的标杆
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
低阈值设备
TO-220
1
3
2
描述
该STP60NH2LL采用了最先进的
意法半导体独有的STripFET 设计规则
技术。这是适合于最
苛刻的DC-DC转换器的应用，其中
高效率来实现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STP60NH2LL
记号
P60NH2LL
包
TO-220
包装
管
2007年1月
REV 3
1/14
www.st.com
14
目录
STP60NH2LL
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
附录A 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
电气特性
STP60NH2LL
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 25 mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值
T
C
=125°C
V
GS
= ±16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 20A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 20A
1
0.010 0.011
0.012 0.0135
分钟。
24
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
oss(2)
R
g
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输出充电
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 10A
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
=0
分钟。
典型值。
18
990
385
40
5
56
13
10
8.7
4.2
2.4
7.6
1.3
27
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DD
= 10 V，I
D
= 20 A
,
R
G
= 4.7
V
GS
= 4.5 V
（参见图13）
0.44
≤
V
DD
= 10V ，我
D
= 40A
V
GS
=4.5V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
F = 1MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. QOSS =科斯* Δ输入电压，科斯= Cgd的+光盘。看
第4章：附录A
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STP60NH2LL
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 20A ，V
GS
=0
I
SD
=40A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 15V ， TJ = 150℃
（参见图15）
32.5
28
1.7
测试条件
分钟。
典型值。
最大
40
160
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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