N沟道100V - 0.019
- 80A DPAK / TO-220
的STripFET II功率MOSFET
表1 ：一般特点
TYPE
STB60NF10
STP60NF10
■
■
■
■
STB60NF10
STP60NF10
图1 ：包装
R
DS （ ON）
I
D
80 A
80 A
V
DSS
100 V
100 V
< 0.023
< 0.023
典型
DS
（上） = 0.019
DV dt能力EXTREMELY极力推/
100％的雪崩测试
表面贴装D2PAK （ TO- 263 ）
电源包装在磁带& REEL
（后缀“ T4" ）
3
1
3
1
2
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
TO-220
描述
这实现了与STMicroelec- MOSFET系列产品
TRONICS独特的STripFET 过程specifical-
LY旨在最大限度地减少输入电容
和栅极电荷。因此，适合于作为主
开关在先进的高效率，高频率
隔离式DC -DC转换器，电信和COM的
计算机应用。它也适用于任何应用程序
阳离子与低栅极驱动要求。
应用
■
高效DC / DC转换器，
工业和照明设备。
■
电机控制
图2 ：内部原理图
表2：
订购信息
销售类型
STB60NF10T4
STP60NF10
记号
B60NF10
P60NF10
包
TO-263
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
表3 ：绝对
最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(*)
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
T
英镑
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
价值
100
100
± 20
80
66
320
300
2
16
485
-55至175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
（ ** ）电流限制通过包装
(1) I
SD
≤80A,
的di / dt
≤300A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 40A ，V
DD
= 30V
2005年5月
启示录
2.0
1/10
STB60NF10 STP60NF10
电气特性
（续）
表8：
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 50 V
I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
（阻性负载，图）
V
DD
= 50V我
D
= 80A V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
17
56
104
20
32
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
表9 ：
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 50 V
I
D
= 40 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7,
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
82
23
马克斯。
单位
ns
ns
表10：
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80 A
V
GS
= 0
92
340
7.4
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
320
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
I
SD
= 80 A
的di / dt = 100A / μs的
T
j
= 150°C
V
DD
= 50 V
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
图3：
安全工作区
图4：
热阻抗
3/10
STB60NF10
STB60NF10-1 - STP60NF10
N沟道100V - 0.019Ω - 80A - TO- 220 - D
2
PAK - 我
2
PAK
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB60NF10
STB60NF10-1
STP60NF10
■
■
V
DSS
（ @Tjmax ）
100V
100V
100V
R
DS （ ON）
<0.023
<0.023
<0.023
I
D
3
80A
80A
80A
1
1
3
2
DPAK
3
12
TO-220
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
IPAK
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与
意法半导体独有的STripFET 工艺
有专门设计以减少输入
电容和栅极电荷。因此，它是
适合作为先进的高初级开关
效率，高频隔离直流 - 直流
转换器电信和计算机
应用程序。它也适用于任何
应用具有低栅极驱动要求。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB60NF10T4
STB60NF10-1
STP60NF10
记号
B60NF10
B60NF10
P60NF10
包
DPAK
IPAK
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
管
2006年9月
转4
1/15
www.st.com
15
目录
STB60NF10 - STB60NF10 -1 - STP60NF10
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/15
STB60NF10 - STB60NF10 -1 - STP60NF10
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D
I
DM(2)
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
100
± 20
80
66
320
300
2
16
485
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
J
°C
dv / dt的
(3)
峰值二极管恢复电压斜率
E
的AS （4）
T
英镑
单脉冲雪崩能量
储存温度
1.电流限制通过包装
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
80A ， di / dt的
≤
300A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
T
JMAX
4.
起始物为
J
= 25
o
C，我
D
= 40A ，V
DD
= 30V
表2中。
符号
R
thJC
R
thJA
T
l
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
价值
0.5
62.5
300
单位
° C / W
° C / W
°C
3/15
电气特性
STB60NF10 - STB60NF10 -1 - STP60NF10
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 40A
2
3
0.019
分钟。
100
1
10
±100
4
0.023
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25V ，我
D
= 40A
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
78
4270
470
140
104
20
32
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DD
= 50V ，我
D
= 80A
V
GS
=10V
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/15
STB60NF10 - STB60NF10 -1 - STP60NF10
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 50V ，我
D
= 40A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
图13第8页
分钟。
典型值。
17
56
82
23
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80A ，V
GS
= 0
I
SD
= 80A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 25V ，T
J
= 150°C
图15第8页
92
340
7.4
测试条件
民
典型值。
最大
80
320
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/15
QQ：2880707522 复制
