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STP60NE10
STP60NE10FP
N - CHANNEL 100V - 0.016Ω - 60A TO- 220 / TO- 220FP
的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STP60NE10
STP60NE10FP
s
s
s
s
V
DSS
100 V
100 V
R
DS （ ON）
< 0.022
< 0.022
I
D
60 A
30 A
典型
DS （ ON）
= 0.016
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
3
1
2
3
1
2
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程。由此产生的跃迁
STOR显示了极高的堆积密度低
导通电阻，崎岖雪崩特征
并不太重要，因此调整步骤一重
可标记制造重复性。
应用
s
电磁阀和继电器驱动器
s
电机控制，音频放大器
s
DC- DC转换器
s
汽车环境（注射，
ABS ，气囊， LAMPDRIVERS ，等等）
TO-220
TO-220FP
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
)
P
合计
V
ISO
dv / dt的
T
s TG
T
j
1999年5月
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100 C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25 C
降额F演员
绝缘耐压（ DC ）
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
o
o
价值
STP60NE10
STP60NE10FP
100
100
±
20
60
42
240
160
1.06
7
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤
60 A ， di / dt的
≤
300 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
取消它
V
V
30
21
120
50
0.37
2000
V
A
A
A
W
W /
o
C
V
V / ns的
o
o
C
C
1/9
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
STP60NE10/FP
热数据
TO-220
R
THJ -case
R
THJ -amb
R
THC-汇
T
l
热阻结案件
最大
0.94
62.5
0.5
300
TO-220FP
2.7
o
o
o
C / W
C / W
C / W
o
C
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大的铅温度F或焊接用途
雪崩特性
Symbo升
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= I
AR
, V
DD
= 35V)
最大值
60
100
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
Symbo升
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
100
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125 C
o
开（ *）
Symbo升
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（ 0：N ）
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
V
GS
= 10V
测试刀豆ditions
I
D
= 250
A
I
D
= 30 A
60
分钟。
2
典型值。
3
0.016
马克斯。
4
0.022
单位
V
A
V
DS
＆ GT ;我
D（ 0：N ）
个R
DS （ ON）马X
V
GS
= 10 V
动态
Symbo升
g
F小号
()
C
国际空间站
C
OS s
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试刀豆ditions
V
DS
＆ GT ;我
D（ 0：N ）
个R
DS （ ON）马X
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
=18 A
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
30
5300
640
215
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/9
STP60NE10/FP
电气特性
（续）
接通
Symbo升
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延时T IME
上升时间
总摹吃费
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试刀豆ditions
V
DD
= 50 V
I
D
= 30 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（电阻性负载，参见图3）
V
DD
= 80 V I
D
= 60 A V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
28
100
142
27
59
185
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
Symbo升
t
（六中）D
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关断延时T IME
秋季牛逼IME
关闭电压上升牛逼IME
秋季牛逼IME
交叉时间
测试刀豆ditions
V
DD
= 50 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
（电阻性负载，参见图3）
V
钳
= 80 V
I
D
= 60 A
V
GS
= 10 V
R
G
=
4.7
（导入一件IVE负载，参见图5）
分钟。
典型值。
160
45
40
45
85
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
Symbo升
I
SD
I
SDM
(
)
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 60 A
V
GS
= 0
170
1.02
12
I
SD
= 60 A
的di / dt = 100 A /
s
T
j
= 150
o
C
V
DD
= 50 V
（见测试电路，图5）
测试刀豆ditions
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
(
）脉冲：脉冲宽度= 300
S，占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区TO- 220
安全工作区TO- 220FP
3/9
STP60NE10/FP
对于TO- 220热阻抗
热阻抗forTO - 220FP
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
4/9
STP60NE10/FP
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
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