STP5NK90Z
STF5NK90Z
N沟道900V - 2Ω - 4.5A - TO- 220 / TO- 220FP
齐纳 - 保护超网 MOSFET
一般特点
TYPE
STP5NK90Z
STF5NK90Z
V
DSS
（ @Tjmax ）
900 V
900 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 2.5
I
D
4.5 A
P
W
125W
30W
3
1
2
＆ LT ; 2.5
4.5 A
(1)
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
■
■
■
DV dt能力极高/
改进的ESD能力
100 ％额定雪崩
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
很不错的重复性制造
TO-220
TO-220FP
内部原理图
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
stripbased的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
这种系列的补充ST全系列高
电压的MOSFET包括革命
的MDmesh 产品。
应用
■
开关应用
O
代码
订单
产品型号
STP5NK90Z
STF5NK90Z
记号
P5NK90Z
F5NK90Z
包
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
so
b
te
le
ro
P
uc
d
s)
t(
so
b
-O
P
te
le
od
r
s)
t(
uc
2006年8月
转4
1/15
www.st.com
15
目录
STP5NK90Z - STF5NK90Z
目录
1
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
1.1
的栅极 - 源极的齐纳二极管的保护功能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
2.1
电特性（曲线）
............................ 7
3
4
5
测试电路包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
O
so
b
te
le
ro
P
uc
d
s)
t(
so
b
-O
P
te
le
od
r
s)
t(
uc
2/15
STP5NK90Z - STF5NK90Z
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
绝对最大额定值
参数
价值
STP5NK90Z
STF5NK90Z
V
V
V
4.5
(2)
2.8
(2)
18
(2)
30
A
A
A
单位
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20K)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
4.5
2.8
18
125
1
900
900
± 30
0.24
V
ESD （G -S ）
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
J
T
英镑
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.有限只能由最高允许温度
3.
I
SD
≤
4.5 A ， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
表2中。
符号
R
THJ情况
热数据
O
so
b
te
le
T
l
R
THJ -A
ro
P
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
uc
d
s)
t(
so
b
-O
P
te
le
-
od
r
4.5
4000
s)
t(
uc
V
V
W
W / ℃，
V / ns的
2500
-55到150
-55到150
°C
°C
价值
单位
TO-220
1
62.5
300
TO-220FP
4.2
° C / W
° C / W
°C
参数
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n = IAR， VDD = 50V ）
最大值
4.5
230
单位
A
mJ
3/15
电气额定值
STP5NK90Z - STF5NK90Z
表4 。
符号
BV
GSO
门源稳压二极管
参数
栅源击穿
电压
测试条件
Igs=±1mA
（漏极开路）
民
30
典型值。
最大
单位
V
1.1
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅
该器件的ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变
这可能偶尔会从栅极施加到源极。在这方面的齐纳电压是
适合于实现一个高效和具有成本效益的干预措施，以保护设备的
诚信。这些集成稳压二极管从而避免了外部元件的使用情况。
O
so
b
te
le
ro
P
uc
d
s)
t(
so
b
-O
P
te
le
od
r
s)
t(
uc
4/15
STP5NK90Z - STF5NK90Z
电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， TC = 125°C
分钟。
900
1
50
±
10
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
门体漏电流
V
GS
= ± 20V
(V
GS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.25 A
3
3.75
2
4.5
2.5
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
osseq(2).
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
测试条件
分钟。
正向跨导V
DS
= 15V ，我
D
= 2.25A
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
b
O
so
te
le
ro
P
导通延迟时间
上升时间
关闭电压上升时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
uc
d
s)
t(
so
b
-O
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
P
te
le
od
r
典型值。
4.8
ct
u
s)
(
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
1160
105
21.5
65.5
27
7.2
52
19
41.5
69
21.9
V
GS
=0, V
DS
= 0V至720V
V
DD
= 400 V，I
D
= 2.2 A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（见
图19）
V
DD
= 720V ，我
D
= 4.4A
V
GS
=10V
（见
图18）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
5/15
STP5NK90Z
STF5NK90Z
N沟道900V - 2Ω - 4.5A TO- 220 / TO- 220FP
齐纳保护的超网 MOSFET
表1 ：一般特点
TYPE
STP5NK90Z
STF5NK90Z
s
s
s
s
s
s
s
图1 ：包装
I
D
4.5 A
4.5 A (*)
Pw
125 W
30 W
V
DSS
900 V
900 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 2.5
＆ LT ; 2.5
典型
DS
（上）= 2
DV dt能力极高/
改进的ESD能力
100 ％额定雪崩
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
VERY GOOD MANUFACTURING
重复性
3
1
2
TO-220
TO-220FP
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
stripbased的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被照顾，以确保一个很好的dv / dt能力
为要求最苛刻的应用程序。这种系列
补充ST全系列高电压MOSFET导
场效应管，包括革命性的MDmesh 产品。
图2 ：内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
IDEAL离线电源，
转接器和PFC
表2 ：订购代码
销售类型
STP5NK90Z
STF5NK90Z
记号
P5NK90Z
F5NK90Z
包
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
第3版
2005年9月
1/12
STP5NK90Z - STF5NK90Z
表3 ：绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
V
ISO
T
j
T
英镑
参数
STP5NK90Z
价值
STF5NK90Z
单位
V
V
V
4.5 (*)
2.8 (*)
18 (*)
30
0.24
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
2500
V
°C
°C
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
-
4.5
2.8
18
125
1
900
900
± 30
4000
4.5
-55到150
-55到150
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1) I
SD
≤4.5A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
表4 ：热数据
TO-220
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1
62.5
300
TO-220FP
4.2
° C / W
° C / W
°C
表5：雪崩特征
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
4.5
230
单位
A
mJ
表6 ：门源齐纳二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
2/12
STP5NK90Z - STF5NK90Z
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表7 ：开/关
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （上
参数
漏源击穿
电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.25 A
3
3.75
2
分钟。
900
1
50
± 10
4.5
2.5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
表8 ：动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ
(3)
.
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
4.8
1160
105
21.5
65.5
27
7.2
52
19
41.5
6.9
21.9
58
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
正向跨导V
DS
= 15 V，I
D
= 2.25 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0720 V
V
DD
= 450 V，I
D
= 2.2 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图19）
V
DD
= 720 V，I
D
= 4.4 A,
V
GS
= 10 V
（参见图22）
表9 ：源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 4.5 A，V
GS
= 0
I
SD
= 4.5 A ， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 35V
（参见图20）
I
SD
= 4.5 A ， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 35V ，T
j
= 150°C
（参见图20）
518
3.2
12.2
712
4.66
13.1
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
4.5
18
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
（ 1 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
（ 2 ）脉冲宽度有限的安全工作区。
(3) C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
.
3/12
QQ：2880707522 复制
