STP55NF06L - STP55NF06LFP
STB55NF06L - STB55NF06L - 1
N沟道60V - 0.014Ω - 55A TO- 220 / FP / D
2
PAK / I
2
PAK
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STP55NF06L
STP55NF06LFP
STB55NF06L
STB55NF06L-1
s
s
s
V
DSS
60 V
60 V
60 V
60 V
R
DS （ ON）
<0.018
<0.018
<0.018
<0.018
I
D
55
55
55
55
A
A
A
A
3
1
2
1
3
2
典型
DS
（上） = 0.014Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
面向应用
表征
TO-220
TO-220FP
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征
SIZE
”
条形基础的过程。由此产生的转录
体管显示了极高的堆积密度
低导通电阻，坚固的雪崩characteris-
抽动和不太重要的调整措施，因此一重
可标记制造重复性。
应用
s
大电流，高开关速度
s
电机控制，音频放大器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
汽车环境（注射，
ABS ，气囊， LAMPDRIVERS ，等等）
绝对最大额定值
符号
参数
1
D
2
PAK
3
12
I
2
PAK
内部原理图
价值
STP55NF06L
STB55NF06L/-1
STP55NF06LFP
60
60
± 16
55
39
220
95
0.63
20
300
-
- 55 175
2500
30
21
120
30
0.2
单位
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
l
)
P
合计
的dV / dt （2）
E
AS
(1)
V
ISO
T
英镑
T
j
2002年8月
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
绝缘耐压（ DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
V
°C
(
q
）脉冲宽度有限的安全工作区
（ 1 ）起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 27.5A ，V
DD
=30V
(2) I
SD
≤
55 A， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
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STP55NF06L - STP55NF06LFP - STB55NF06L - STB55NF06L - 1
热数据
TO-220
D
2
PAK
I
2
PAK
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1.58
62.5
300
TO-220FP
5.0
° C / W
° C / W
°C
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 16 V
分钟。
60
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 5 V，I
D
= 27.5 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 27.5 A
分钟。
1
典型值。
1.7
0.016
0.014
0.020
0.018
马克斯。
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 27.5 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
30
1700
300
105
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
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STP55NF06L - STP55NF06LFP - STB55NF06L - STB55NF06L - 1
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gs
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 30 V，I
D
= 27.5A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 48 V，I
D
= 55 A,
V
GS
= 4.5V
分钟。
典型值。
20
100
27
7
10
37
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 30 V，I
D
= 27.5 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
40
20
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 55 A，V
GS
= 0
I
SD
= 55A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 30 V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
80
200
5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
55
220
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区TO-220 / D2PAK / I2PAK
ThermalImpedanceforTO-220/D2PAK/I2PAK
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STP55NF06L - STP55NF06LFP - STB55NF06L - STB55NF06L - 1
安全工作区TO- 220FP
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
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STP55NF06L - STP55NF06LFP - STB55NF06L - STB55NF06L - 1
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压随温度。
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
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QQ：2881677436 复制
