STP50N06
STP50N06FI
N - 沟道增强型
功率MOS晶体管
TYPE
STP50N06
STP50N06FI
s
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
60 V
60 V
R
DS ( ON)
< 0.028
< 0.028
I
D
50 A
27 A
典型
DS ( ON)
= 0.022
雪崩坚固的技术
100%的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
低栅电荷
高电流能力
175
o
C的工作温度
面向应用
表征
3
1
2
1
2
3
TO-220
ISOWATT220
应用
s
大电流,高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
稳压器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
电机控制,音频放大器
s
汽车环境(注射,
ABS ,气囊, LAMPDRIVERS ,等等)
内部原理图
绝对最大额定值
符号
参数
STP50N06
V
S
V
DG
V
GS
I
D
I
D
I
D M
()
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100
o
C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
绝缘耐压( DC )
储存温度
马克斯。工作结温
50
35
200
150
1
-65 175
175
60
60
±
20
27
19
200
45
0.3
2000
价值
STP50N06FI
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V
o
o
单位
C
C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1993年7月
1/10
STP50N06/FI
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
参数
开启时间
上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
DD
= 25 V I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 40 V I
D
= 50 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(见测试电路,图5 )
V
DD
= 40 V
I
D
= 50 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
50
110
460
马克斯。
70
160
单位
ns
ns
A / μs的
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
50
14
25
70
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R( VOF F)
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 40 V
I
D
= 50 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(见测试电路,图5 )
分钟。
典型值。
55
50
110
马克斯。
80
70
160
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
S.D。
I
SDM
()
V
S.D。
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 50 A
V
的s
= 0
150
0.45
6
I
SD
= 50 A的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 30 V
T
j
= 150
o
C
(见测试电路,图5 )
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
50
200
2
单位
A
A
V
ns
C
A
( * )脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
( )脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作领域对于TO- 220
安全工作区为ISOWATT220
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