STP4NC80Z - STP4NC80ZFP
STB4NC80Z - STB4NC80Z - 1
N沟道800V - 2.4Ω - 4A TO- 220 / FP / D
2
PAK / I
2
PAK
齐纳保护的PowerMESH III MOSFET
TYPE
STP4NC80Z/FP
STB4NC80Z/-1
s
s
V
DSS
800V
800V
R
DS （ ON）
< 2.8
< 2.8
I
D
4A
4A
1
3
s
s
s
典型
DS
（上） = 2.4
极高的dv / dt和能力的
栅 - 源齐纳二极管
100％的雪崩测试
非常低门输入电阻
栅极电荷最小化
D
2
PAK
1
3
2
TO-220
TO-220FP
我PAK
（无接头的TO-220 ）
描述
第三代MESH OVERLAY 电源的
MOSFET，以非常高的电压展品unsur-
导通电阻的每单位面积通过的同时integrat-
荷兰国际集团栅极之间背到背的齐纳二极管
源。这样的安排使额外的ESD capa-
相容性与高耐用性的性能，重
quested由大量的各种单开关的
应用程序。
2
12
3
应用
监护仪单端开关电源，
计算机和工业应用
s
焊接设备
s
订购信息
销售类型
STP4NC80Z
STP4NC80ZFP
STB4NC80ZT4
STB4NC80Z-1
记号
P4NC80Z
P4NC80ZFP
B4NC80Z
B4NC80Z
包
TO-220
TO-220FP
D
2
PAK
I
2
PAK
包装
管
管
磁带&卷轴
磁带&卷轴
2003年11月
1/14
STP4NC80Z - STP4NC80ZFP - STB4NC80Z - STB4NC80Z - 1
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
q
)
P
合计
I
GS
V
ESD （G -S ）
dv/dt(1)
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
栅极 - 源极电流
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 15KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘Winthstand电压（DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
--
-65到150
150
4
2.5
16
100
0.8
±50
2.5
3
2000
价值
STP(B)4NC80Z(-1)
800
800
± 25
4(*)
2.5(*)
16(*)
35
0.28
STP4NC80ZFP
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mA
KV
V / ns的
V
°C
°C
单位
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(1)I
SD
≤4A,
的di / dt
≤100A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
.
（ * ）脉冲宽度由最高温度的限制使
热数据
TO- 220 / D
2
PAK /
I
2
PAK
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1.25
30
300
TO-220FP
3.57
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
4
225
单位
A
mJ
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ±20V
分钟。
800
0.9
1
50
±10
典型值。
马克斯。
单位
V
V /°C的
A
A
A
ΔBV
DSS
/T
J
击穿电压温度。
系数
I
DSS
I
GSS
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
2/14
STP4NC80Z - STP4NC80ZFP - STB4NC80Z - STB4NC80Z - 1
电气特性
（续）
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 2 A
分钟。
3
典型值。
4
2.4
马克斯。
5
2.8
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 2A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
4
1200
90
11
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 400 V，I
D
= 2 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 640V ，我
D
= 4A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
27
10
27
7
10
36.5
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 640V ，我
D
= 4 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
11
10
24
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 4 A，V
GS
= 0
I
SD
= 4 A的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 50V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
560
3.4
13
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
4
16
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
3/14
STP4NC80Z - STP4NC80ZFP - STB4NC80Z - STB4NC80Z - 1
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
αT
Rz
参数
栅源击穿
电压
电压温度系数
动态电阻
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
T = 25 ° C注（ 3 ）
I
D
= 50毫安，
分钟。
25
1.3
90
典型值。
马克斯。
单位
V
10
-4
/°C
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3.
V
BV
=
αT
（25° -T） BV
GSO
(25°)
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变可能偶尔
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现有效的
和具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
外部元件的使用情况。
4/14
STP4NC80Z - STP4NC80ZFP - STB4NC80Z - STB4NC80Z - 1
安全工作区TO-220 / D2PAK / I2PAK
安全工作区TO- 220FP
热阻抗对于TO- 220 / D2PAK / I2PAK
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
5/14
STP4NC80Z - STP4NC80ZFP
STB4NC80Z - STB4NC80Z - 1
N沟道800V - 2.4Ω - 4A TO- 220 / FP / D
2
PAK / I
2
PAK
齐纳保护的PowerMESH III MOSFET
TYPE
STP4NC80Z/FP
STB4NC80Z/-1
s
s
V
DSS
800V
800V
R
DS （ ON）
< 2.8
< 2.8
I
D
4A
4A
1
3
s
s
s
典型
DS
（上） = 2.4
极高的dv / dt和能力的
栅 - 源齐纳二极管
100％的雪崩测试
非常低门输入电阻
栅极电荷最小化
D
2
PAK
1
3
2
TO-220
TO-220FP
描述
第三代MESH OVERLAY 电源的
MOSFET，以非常高的电压表现出无与伦比的
导通电阻的每单位面积上同时集成背用于─
栅极和源极之间的背的齐纳二极管。这种AR-
rangement提供额外的ESD能力与较高的rug-
gedness性能所要求的大量的各种
单开关应用。
应用
监护仪单端开关电源，
计算机和工业应用
s
焊接设备
s
我PAK
（无接头的TO-220 ）
2
12
3
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
q
)
P
合计
I
GS
V
ESD （G -S ）
dv/dt(1)
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
栅极 - 源极电流
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 15KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘Winthstand电压（DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
--
-65到150
150
4
2.5
16
100
0.8
±50
2.5
3
2000
价值
STP(B)4NC80Z(-1)
800
800
± 25
4(*)
2.5(*)
16(*)
35
0.28
STP4NC80ZFP
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mA
KV
V / ns的
V
°C
°C
单位
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
2002年12月
(1)I
SD
≤4A,
的di / dt
≤100A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
.
（ * ）脉冲宽度由最高温度的限制使
1/13
STP4NC80Z - STP4NC80ZFP - STB4NC80Z - STB4NC80Z - 1
热数据
TO- 220 / D
2
PAK /
I
2
PAK
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1.25
30
300
TO-220FP
3.57
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
4
225
单位
A
mJ
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ±20V
分钟。
800
0.9
1
50
±10
典型值。
马克斯。
单位
V
V /°C的
A
A
A
ΔBV
DSS
/T
J
击穿电压温度。
系数
I
DSS
I
GSS
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 2 A
分钟。
3
典型值。
4
2.4
马克斯。
5
2.8
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 2A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
4
1200
90
11
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/13
STP4NC80Z - STP4NC80ZFP - STB4NC80Z - STB4NC80Z - 1
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 400 V，I
D
= 2 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 640V ，我
D
= 4A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
27
10
27
7
10
36.5
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 640V ，我
D
= 4 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
11
10
24
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 4 A，V
GS
= 0
I
SD
= 4 A的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 50V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
560
3.4
13
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
4
16
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
αT
Rz
参数
栅源击穿
电压
电压温度系数
动态电阻
测试条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
T = 25 ° C注（ 3 ）
I
D
= 50毫安，
分钟。
25
1.3
90
典型值。
马克斯。
单位
V
10
-4
/°C
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3.
V
BV
=
αT
（25° -T） BV
GSO
(25°)
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变可能偶尔
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现有效的
和具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
外部元件的使用情况。
3/13
STP4NC80Z - STP4NC80ZFP - STB4NC80Z - STB4NC80Z - 1
安全工作区TO-220 / D2PAK / I2PAK
安全工作区TO- 220FP
热阻抗对于TO- 220 / D2PAK / I2PAK
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
4/13
STP4NC80Z - STP4NC80ZFP - STB4NC80Z - STB4NC80Z - 1
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压随温度。
归一通电阻与温度
5/13
QQ：2880707522 复制
