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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1586页 > STP4NB80FP
STP4NB80
STP4NB80FP
N - CHANNEL 800V - 3Ω - 4A - TO- 220 / TO- 220FP
的PowerMESH MOSFET
TYPE
STP4NB80
STP4NB80FP
s
s
s
s
s
V
DSS
800 V
800 V
R
DS （ ON）
3.3
3.3
I
D
4A
4A
典型
DS （ ON）
= 3
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
3
1
2
3
1
2
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中，意法半导体设计了一个
功率MOSFET具有先进的家庭
出色的表现。新专利
未决带布局再加上公司的
专有的边缘终端结构，给出了
单位面积最低的RDS（on ） ，特殊的雪崩
和dv / dt性能和无与伦比的栅极电荷
和开关特性。
应用
s
大电流，高开关速度
s
开关模式电源（ SMPS ）
s
DC -AC转换器，用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
的dv / dt （
1
)
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100
o
C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘耐压（ DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
TO-220
TO-220FP
内部原理图
价值
STP4NB80
STP4NB80FP
800
800
±
30
4
2.4
16
100
0.8
4.5
-65到150
150
(
1
) I
SD
≤4
A， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
T
JMAX
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / C
V / ns的
o
o
o
4(*)
2.4(*)
16
35
0.28
4.5
2500
V
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
(*)
只允许最高温度限制
2001年9月
1/9
STP4NB80/FP
热数据
TO-220
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
THC-汇
T
l
热阻结案件
最大
1.25
62.5
0.5
300
TO220-FP
3.6
o
o
o
C / W
C / W
C / W
o
C
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大无铅焊接温度的目的
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
4
230
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
800
1
50
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
零栅极电压
V
DS
=最大额定值
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
=
±
30 V
T
c
= 125 C
o
开（ *）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
V
GS
= 10V
测试条件
I
D
= 250
A
I
D
= 2 A
4
分钟。
3
典型值。
4
3
马克斯。
5
3.3
单位
V
A
论国有漏电流V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
V
GS
= 10 V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 2 A
V
GS
= 0
分钟。
1.5
典型值。
2.9
700
95
9
920
126
12
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/9
STP4NB80/FP
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 400 V
R
G
= 4.7
V
DD
= 640 V
I
D
= 2 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 4 A V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
14
8
21
7
9
马克斯。
20
12
29
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 640V我
D
= 4 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
12
9
16
马克斯。
17
13
22
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
=4 A
V
GS
= 0
600
3.3
11
I
SD
= 4的的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 100 V
T
j
= 150
o
C
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
4
16
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区TO- 220
安全工作区TO- 220FP
3/9
STP4NB80/FP
对于TO- 220热阻抗
热阻抗forTO - 220FP
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
4/9
STP4NB80/FP
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压VS
温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/9
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