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STP4NA100
N - 沟道增强型
快速功率MOS晶体管
初步数据
TYPE
STP4NA100
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
1000 V
R
DS （ ON）
<3. 5
I
D
4.2 A
典型
DS （ ON）
= 2.9
±
30V栅极至源极电压额定值
100％的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
低的固有电容
栅极电荷最小化
化阈值电压蔓延
1
3
2
描述
该系列功率MOSFET的代表
最先进的高电压技术。
再加上新的optmized单元布局
专有的边缘终端同意放弃
该设备的低RDS （ ON）和栅极电荷，
无比
耐用性
和
优
开关性能。
应用
s
大电流，高开关速度
s
开关模式电源（ SMPS ）
s
DC -AC转换器，用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
TO-220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100
o
C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
价值
1000
1000
±
30
4.2
2.6
16.8
125
1
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
C
o
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1997年10月
1/5
STP4NA100
热数据
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
THC-汇
T
l
热阻结案件
最大
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大无铅焊接温度的目的
1
62.5
0.5
300
C / W
摄氏度/ W
o
C / W
o
C
o
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
最大，
δ
＆ LT ; 1％）的
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
4.2
160
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0
分钟。
1000
50
250
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
零
门
电压V
DS
=最大额定值
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体
泄漏V
GS
=
±
30 V
电流（V
DS
= 0)
T
c
= 100
o
C
开（ *）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
测试条件
I
D
= 250
A
分钟。
2.25
典型值。
3
3
马克斯。
3.75
3.5
单位
V
A
静态漏源V
GS
= 10V我
D
= 2.1 A
阻力
论国有漏电流V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
V
GS
= 10 V
动态
符号
g
fs
()
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
ReverseTransfer
电容
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
=2.1 A
V
GS
= 0
分钟。
2
典型值。
5.5
1650
127
31
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/5
STP4NA100
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 500 V
I
D
= 2.1 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
V
DD
= 800 V
V
I
D
= 4.2 A
V
GS
= 10
分钟。
典型值。
14
12
59
9.4
26.5
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 800 V I
D
= 4.2 A
R
G
= 47
V
GS
= 10 V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
94
30
142
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
()
V
SD
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极
当前
（脉冲的）
正向电压上
反向
时间
反向
收费
反向
当前
I
SD
= 4.2 A
V
GS
= 0
1000
14
28
我恢复
SD
= 4.2的di / dt = 100 A / μs的
o
V
DD
= 100 V
T
j
= 150 C
恢复（见电路，图5）
恢复
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
4.2
16.8
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
3/5
STP4NA100
TO- 220机械数据
DIM 。
分钟。
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA 。
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
16.4
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
4.40
1.23
2.40
1.27
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.645
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
mm
典型值。
马克斯。
4.60
1.32
2.72
分钟。
0.173
0.048
0.094
0.050
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
寸
典型值。
马克斯。
0.181
0.051
0.107
A
C
D1
L2
F1
D
G1
E
DIA 。
L5
L7
L6
L4
P011C
L9
4/5
F2
F
G
H2
STP4NA100
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ST3232
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