STP45NE06L
STP45NE06LFP
N - CHANNEL 60V - 0.022Ω - 45A - TO- 220 / TO- 220FP
的STripFET 功率MOSFET
初步数据
TYPE
STP45NE06L
STP45NE06LFP
s
s
s
s
s
V
DSS
60 V
60 V
R
DS ( ON)
< 0.028
< 0.028
I
D
45 A
25 A
典型
DS ( ON)
= 0.022
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100%的雪崩测试
低栅电荷100
o
C
低阈值DRIVE
1
2
3
1
2
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的"Single功能
大小 "条为基础的过程。由此产生的跃迁
STOR显示了极高的堆积密度低
导通电阻,崎岖雪崩特征
并不太重要,因此调整步骤一重
可标记制造重复性。
应用
s
大电流,高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
电机控制,音频放大器
s
DC-DC & DC- AC转换器
TO-220
TO-220FP
内部原理图
绝对最大额定值
符号
参数
价值
STP45NE06L STP45NE06LFP
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
V
ISO
dv / dt的
T
英镑
T
j
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
绝缘耐压( DC )
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
o
单位
60
60
±
20
45
31
180
100
0.67
7
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤
45 A, di / dt的
≤
300 A / μs的,V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, T
j
≤
T
JMAX
V
V
V
25
17.5
180
35
0.23
2000
A
A
A
W
W/
o
C
V
V / ns的
o
o
C
C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
1999年6月
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