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STP40NS15
N沟道150V - 0.042Ω - 40A TO- 220
MESH OVERLAY MOSFET
初步数据
TYPE
STP40NS15
s
s
s
s
V
DSS
150 V
R
DS ( ON)
<0.052
I
D
40A
典型
DS
(上) = 0.042Ω
DV dt能力极高/
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
3
1
2
描述
此功率MOS MOSFET的使用而设计
公司的综合带状布局,基于MESH
覆盖
流程。该技术匹配
而相比提高了性能
标准件从各种来源。
TO-220
国内
原理图
应用
s
大电流开关
s
不间断电源( UPS )
s
PRIMARYSWITCH隔离式DC -DC
转换器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
q
)
P
合计
dv / dt的
T
英镑
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续的)在T
C
= 25°C
漏电流(连续的)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
价值
150
150
±20
40
25
160
140
0.933
9
-65 175
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
°C
°C
( )脉冲宽度有限的安全工作区
2000年10月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。
1/6
STP40NS15
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
Rthc散热器
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
热阻案例散热器典型值
最大无铅焊接温度的目的
1.07
62.5
0.5
300
° C / W
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
MAX )
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25 ° C,I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
40
500
单位
A
mJ
电气特性
( TCASE = 25°C除非另有说明)
关闭
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值,T
C
= 125 °C
V
GS
= ±20V
分钟。
150
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON(1 )
符号
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 40 A
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值,
V
GS
= 10V
40
分钟。
2
典型值。
3
0.044
马克斯。
4
0.052
单位
V
A
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值,
I
D
= 20A
V
DS
= 25V , F = 1兆赫,V
GS
= 0
分钟。
典型值。
20
2400
380
160
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/6
STP40NS15
电气特性
(续)
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 75V ,我
D
= 20A
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 120V ,我
D
= 40A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
25
45
100
17
47
110
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D(关闭)
T
f
t
R( Voff时)
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
测试条件
V
DD
= 75V ,我
D
= 20A
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
(见测试电路,图3 )
V
= 120V ,我
D
= 20 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
(见测试电路,图5 )
分钟。
典型值。
85
马克斯。
单位
ns
47
ns
t
f
t
c
下降时间
交叉时间
35
70
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
I
SD
= 40A ,V
GS
= 0
I
SD
= 40A ,的di / dt = 100A / μs的,
V
DD
= 50V ,T
j
= 150°C
(见测试电路,图5 )
270
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
40
160
1.5
单位
A
A
V
ns
Q
rr
I
RRM
反向恢复电荷
反向恢复电流
200
1.5
nC
A
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3/6
STP40NS15
图。 1 :
非钳位电感负载测试电路
图。 2 :
非钳位感应波形
图。 3 :
开关时间测试电路
阻性负载
图。 4 :
栅极电荷测试电路
图。 5 :
测试电路感应负载开关
和二极管恢复时间
4/6
STP40NS15
TO- 220机械数据
DIM 。
分钟。
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA 。
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
16.4
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
4.40
1.23
2.40
1.27
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.645
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
mm
典型值。
马克斯。
4.60
1.32
2.72
分钟。
0.173
0.048
0.094
0.050
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
典型值。
马克斯。
0.181
0.051
0.107
A
C
D1
L2
D
F1
G1
E
DIA 。
L5
L7
L6
L4
P011C
L9
F2
F
G
H2
5/6
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