【STP3NK60Z - STP3NK60ZFPSTB3NK60Z-STD3NK60Z-STD3NK6】,IC型号STP3NK60Z,STP3NK60Z PDF资料,STP3NK60Z经销商,ic,电子元器件-51电子网

STP3NK60Z - STP3NK60ZFP

STB3NK60Z-STD3NK60Z-STD3NK60Z-1

N沟道600V - 3.3Ω - 2.4A TO- 220 / FP / D2PAK / DPAK / IPAK

齐纳保护的超网功率MOSFET

TYPE

STP3NK60Z

STP3NK60ZFP

STB3NK60Z

STD3NK60Z

STD3NK60Z-1

DSS

600

DS （ ON）

< 3.6

2.4 A

45 W

20 W

45 W

典型

（上） = 3.3

DV dt能力极高/

100％的雪崩测试

栅极电荷最小化

非常低的固有电容

VERY GOOD MANUFACTURING

重复性

TO-220

TO-220FP

PAK

DPAK

IPAK

描述

在超网系列是通过获得

ST的确立带钢的极端优化

基础的PowerMESH 布局。除了推

导通电阻显著下降，特别护理着以

恩，确保了很好的dv / dt能力

最苛刻的应用。这种系列完井

ments ST全系列高电压MOSFET的IN-

cluding革命性的MDmesh 产品。

内部原理图

应用

大电流，高开关速度

IDEAL离线电源，

转接器和PFC

灯光

订购信息

销售类型

STP3NK60Z

STP3NK60ZFP

STB3NK60ZT4

STD3NK60Z-1

STD3NK60ZT4

2003年7月

记号

P3NK60Z

P3NK60ZFP

B3NK60Z

D3NK60Z

包

TO-220

TO-220FP

PAK

IPAK

DPAK

包装

管

磁带&卷轴

管

磁带&卷轴

1/15

STP3NK60Z / FP - STB3NK60Z - STD3NK60Z - STD3NK60Z - 1

绝对最大额定值

符号

参数

STP3NK60Z

STB3NK60Z

价值

STP3NK60ZFP

STD3NK60Z

STD3NK60Z-1

单位

DGR

( )

合计

ESD （G -S ）

dv / dt的（ 1 ）

ISO

英镑

漏源电压（V

= 0)

漏，栅极电压（R

= 20 k)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

= 25°C

漏电流（连续）在T

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

降额因子

门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）

峰值二极管恢复电压斜率

绝缘耐压（ DC ）

工作结温

储存温度

2.4

1.51

9.6

0.36

600

± 30

2.4 (*)

1.51 (*)

9.6 (*)

0.16

2100

4.5

2500

-55到150

2.4 (*)

1.51 (*)

9.6 (*)

0.36

W / ℃，

V / ns的

°C

（）脉冲宽度有限的安全工作区

(1) I

≤2.4

A， di / dt的

≤200A/s,

≤

（ BR ） DSS

, T

≤

JMAX 。

（*）限定仅由最大允许温度

热数据

TO-220

PAK

Rthj情况

Rthj - AMB

热阻结案件最大

热阻结到环境最大

最大无铅焊接温度的目的

2.78

62.5

300

TO-220FP

6.25

DPAK

IPAK

2.78

100

° C / W

°C

雪崩特性

符号

参数

雪崩电流，重复或不重复

（脉冲宽度限制T

MAX ）

单脉冲雪崩能量

（起始物为

= 25 ° C，I

= I

, V

= 50 V)

最大值

2.4

150

单位

门源稳压二极管

符号

GSO

参数

栅源击穿

电压

测试条件

IGS = ± 1毫安（漏极开路）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

栅 - 源齐纳二极管保护功能

所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的

ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会

从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和

具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免

使用外部元件。

2/15

STP3NK60Z / FP - STB3NK60Z - STD3NK60Z - STD3NK60Z - 1

电气特性

例

= 25 ° C除非另有规定编）

开/关

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

= 0)

门体漏

电流（V

= 0)

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= 1毫安， V

= 0

=最大额定值

=最大额定值，T

= 125 °C

= ± 20 V

= V

, I

= 50 A

= 10 V，I

= 1.2 A

3.75

3.3

分钟。

600

±10

4.5

3.6

典型值。

马克斯。

单位

动态

符号

(1)

国际空间站

OSS

RSS

OSS EQ 。

(3)

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

等效输出

电容

参数

导通延迟时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

= 20 V

= 1.2 A

= 25 V ， F = 1兆赫，V

= 0

分钟。

典型值。

1.8

311

马克斯。

单位

= 0, V

= 0到400伏

接通

符号

D（上）

测试条件

= 300 V，I

= 1.5 A

= 4.7 V

= 10 V

（阻性负载参见图3 ）

= 400 V，I

= 2.4 A,

= 10 V

分钟。

典型值。

11.8

2.6

6.4

马克斯。

单位

关闭

符号

D（关闭）

R（ Voff时）

参数

打开-O FF延迟时间

下降时间

关闭电压上升时间

下降时间

交叉时间

测试条件

= 480 V，I

= 3 A

= 4.7 V

= 10 V

（阻性负载参见图3 ）

= 480 V，I

= 3 A,

= 4.7, V

= 10 V

（感性负载参见图5 ）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

源漏二极管

符号

SDM

(2)

(1)

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 2.4 A，V

= 0

= 3 A， di / dt的= 100A / μs的

= 35V ，T

= 150°C

（见测试电路，图5 ）

306

948

6.2

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

2.4

9.6

1.6

单位

注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％。

2.脉冲宽度有限的安全工作区。

3. C

OSS EQ 。

被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C

OSS

当V

从0增加到80％

DSS

3/15

STP3NK60Z / FP - STB3NK60Z - STD3NK60Z - STD3NK60Z - 1

安全工作区

热阻抗

安全工作区TO- 220FP

热阻抗对于TO- 220FP

输出特性

传输特性

4/15

STP3NK60Z / FP - STB3NK60Z - STD3NK60Z - STD3NK60Z - 1

跨

静态漏源导通电阻

栅极电荷VS栅源电压

电容变化

归栅极阈值电压随温度。

归一通电阻与温度

5/15

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23+

700000

TO-220

柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分

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真实库存信息/只做原装正品/支持实单

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