STP3NB100
STP3NB100FP
N - CHANNEL 1000V - 5.3
- 3 A - TO- 220 / TO- 220FP
的PowerMESH MOSFET
目标数据
TYPE
ST P3NB100
ST P3NB100FP
s
s
s
s
s
V
DSS
1000 V
1000 V
R
DS ( ON)
< 6
< 6
I
D
3 A
3 A
典型
DS ( ON)
= 5.3
DV dt能力极高/
100%的雪崩测试
非常低的固有电容
栅极电荷最小化
3
1
2
3
1
2
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中,意法半导体设计了一个
功率MOSFET具有先进的家庭
出色的表现。新专利
未决带布局再加上公司的
专有的边缘终端结构,给出了
单位面积最低的RDS(on ) ,特殊的雪崩
和dv / dt性能和无与伦比的栅极电荷
和开关特性。
应用
s
大电流,高开关速度
s
开关模式电源( SMPS )
s
DC -AC转换器,用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
的dv / dt (
1
)
V
ISO
T
s TG
T
j
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
摹吃 - 源极电压
漏电流(连续)在T
c
= 25 C
漏电流(连续)在T
c
= 100 C
漏电流(脉冲)
牛逼otal耗散在T
c
= 25 C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘W ithstand电压(DC )
储存温度
马克斯。工作结温
o
o
o
TO-220
TO-220FP
内部原理图
价值
ST P3NB100 STP3NB100F P
1000
1000
±
30
3
1.9
12
100
0.8
4.5
-65到150
150
(
1
) I
SD
≤ 3 Α,
的di / dt
≤
200 A/
S,V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, TJ
≤
T
JMAX
取消它
V
V
V
3(**)
1.1
12
35
0.28
4.5
2000
A
A
A
W
W / C
V / ns的
V
o
o
o
C
C
(
)脉冲宽度有限的安全工作区
(
**)仅通过电讯有限公司
最大
1998年10月
1/6