STB34NM60ND ， STF34NM60ND ，
STP34NM60ND ， STW34NM60ND
N沟道600 V ， 0.097
Ω
（典型值） ， 29一FDmesh II功率MOSFET
（快速二极管）在D中
2
PAK ，TO- 220FP ，TO- 220和TO- 247
数据表 - 生产数据
特点
TAB
订购代码
STB34NM60ND
STF34NM60ND
STP34NM60ND
STW34NM60ND
■
■
■
■
■
V
DSS
@T
J
马克斯。
R
DS （ ON）
马克斯。
I
D
3
1
3
1
2
650 V
0.110
Ω
29 A
TAB
D
2
PAK
TO-220FP
全球最佳R
DS （ ON）
在TO- 220之间
快恢复二极管器件
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
极高的dv / dt和雪崩
能力
图1 。
内部原理图
TO-220
1
3
2
2
1
3
TO-247
应用
■
切换应用程序
描述
这些FDmesh II功率MOSFET
固有的快速恢复的体二极管产生
使用该第二代的MDmesh 的
技术。利用新的带状布局垂直
结构，这些革命性的设备功能
非常低的导通电阻和优越的
开关性能。他们是理想的桥梁
拓扑与ZVS移相器。
表1中。
设备简介
记号
34NM60ND
34NM60ND
34NM60ND
34NM60ND
包
D
2
PAK
TO-220FP
TO-220
TO-247
包装
磁带和卷轴
管
管
管
订购代码
STB34NM60ND
STF34NM60ND
STP34NM60ND
STW34NM60ND
2012年10月
这是在满负荷生产一个产品信息。
文档ID 18099第5版
1/22
www.st.com
22
目录
STB34NM60ND ， STF34NM60ND ， STP34NM60ND ， STW34NM60ND
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
2/22
文档ID 18099第5版
STB34NM60ND ， STF34NM60ND ， STP34NM60ND ， STW34NM60ND
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
V
ISO
dv / dt的
(3)
T
英镑
T
J
绝对最大额定值
价值
参数
漏源电压
栅 - 源电压
漏极电流（连续）在
T
C
= 25 °C
漏极电流（连续）在
T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
绝缘耐受电压（有效值）
来自所有三个导到外部的热
水槽（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
40
- 55 150
°C
150
29
18
116
190
D
2
PAK ，TO- 220，TO- 247
600
± 25
29
(1)
18
(1)
116
(1)
40
2500
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
V
V / ns的
单位
1.电流限制通过包装
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.
I
SD
≤
29 A， di / dt的
≤
600 A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
,V
DSpeak
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境
最大
62.5
的TO-220 TO-247
2
PAK TO- 220FP
0.66
50
30
3.1
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
R
thj-pcb(1)
热阻结到PCB最大
1.当安装在FR-4基板的1英寸2 ， 2盎司铜。
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不可─
重复（脉冲宽度限制T
J
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
7
345
单位
A
mJ
文档ID 18099第5版
3/22
电气特性
STB34NM60ND ， STF34NM60ND ， STP34NM60ND ， STW34NM60ND
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
测试条件
分钟。
600
1
100
±100
3
4
5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
Ω
漏源
我= 1毫安
击穿电压（V
GS
= 0)
D
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
V
DS
= 600 V
V
DS
= 600 V ，T
C
=125 °C
V
GS
= ± 25 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 14.5 A
0.097 0.110
表6 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（1）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
测试条件
分钟。
典型值。
2785
168
5
43.8
30
53.4
111
61.8
80.4
16
41.4
2.87
马克斯。
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Ω
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
V
GS
= 0, V
DS
= 0 480 V
V
DD
= 300 V，I
D
= 14.5 A
R
G
= 4.7
Ω,
V
GS
= 10 V
（见
图18
和
23)
V
DD
= 480 V，I
D
= 29 A,
V
GS
= 10 V,
（见
图19）
F = 1MHz时，漏极开路
-
-
-
-
-
-
-
-
1. C
OSS EQ
。被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/22
文档ID 18099第5版
STB34NM60ND ， STF34NM60ND ， STP34NM60ND ， STW34NM60ND
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 29 A，V
GS
= 0
I
SD
= 29 A，V
DD
= 60 V
的di / dt = 100 A / μs的
（见
图20）
I
SD
= 29 A，V
DD
= 60 V
的di / dt = 100 A / μs的，
T
J
= 150 °C
（见
图20）
测试条件
分钟。
-
-
-
175
1.4
16
255
2.6
20
典型值。
马克斯。
29
116
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
文档ID 18099第5版
5/22
QQ：2880707522 复制
