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P沟道增强型MOSFET
STP3481
-5.2A
描述
该STP3481是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
采用高密度， DMOS沟槽技术生产。
这种高密度的工艺特别适合于减小导通电阻。
这些装置特别适用于低电压应用，如蜂窝电话
和笔记本电脑的电源管理和其它电池供电的电路，并且
低线都需要在一个非常小的轮廓表面的功率损耗贴装封装。
引脚配置
TSOP-6P
特征
-30V / -5.2A ，R
DS （ ON）
= 55米欧姆
@VGS = -10V
-30V / -4.2A ，R
DS （ ON）
= 75米欧姆
@VGS = -4.5V
超高密度电池设计
非常低R
DS （ ON）
呈导通电阻和最大
DC电流能力
TSOP- 6P包装设计
1.2.5.6.Drain
最热
TSOP-6P
3.Gate
4.Source
Y：年份代码
答：处理代码
订购信息
产品型号
STP3481S6RG
※
过程代码： AZ ; AZ
1
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STP3481 2006 V1
包
TSOP-6P
最热
81YA
P沟道增强型MOSFET
STP3481
-5.2A
※
STP3481S6RG
S6 ： TSOP- 6P ; R：带卷轴; G：铅 - 免费
ABSOULTE最大额定值
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏CurrentTJ = 150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
功耗
工作结温
Storgae温度范围
热阻，结到环境
T
A
=25℃
T
A
=70
℃
T
A
=25℃
T
A
=70
℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
典型
-30
±
20
-5.2
-4.2
-20
-1.7
2.0
1.3
150
-55/150
90
单位
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃
/W
2
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STP3481 2006 V1
P沟道增强型MOSFET
STP3481
-5.2A
电气特性
（ TA = 25
℃
除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅压漏
当前
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
开启时间
打开-O FF时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
tr
符号
条件
最小典型最大单位
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
GS
=0V,I
D
=-250
u
A
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250uA
V
DS
=0V,V
GS
=
±
20V
V
DS
=-24V,V
GS
=0V
V
DS
=-24V,V
GS
=0V
T
J
=55
℃
V
DS
≦-
5V,V
GS
=-10V
V
GS
=-10.0V,I
D
=-5.2A
V
GS
=-4.5V,I
D
=-4.2A
V
DS
=-5.0V,I
D
=-4.0A
I
S
=-1.0A,V
GS
=0V
-30
-1.0
-3.0
±
100
-1
-10
-10
0.041 0.055
0.058 0.075
V
V
Na
UA
A
Ω
S
V
10
-0.8 -1.2
V
DS
=-15V
V
GS
=-10V
I
D
-4.0A
V
DS
=-15V
V
GS
=0V
F=1MH
z
V
DD
=-15V
R
L
=15
Ω
I
D
=-1.0A
V
根
=-10V
R
G
=6
Ω
14
1.9
3.7
540
131
105
10
15
32
21
21
nC
pF
16
25
50
32
nS
t
D（关闭）
tf
3
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STP3481 2006 V1
P沟道增强型MOSFET
STP3481
-5.2A
典型CHARACTERICTICS
(25
℃
除非另有说明）
4
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(25
℃
除非另有说明）
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