STB30NM60N,STI30NM60N,STF30NM60N
STP30NM60N ， STW30NM60N
N沟道600 V ， 0.1
,
25 A ，的MDmesh II 功率MOSFET
的TO-220 ，TO- 220FP ，TO- 247 ，D
2
PAK ，我
2
PAK
特点
TYPE
STB30NM60N
STI30NM60N
STF30NM60N
STP30NM60N
STW30NM60N
V
DSS @
T
JMAX
650 V
650 V
650 V
650 V
650 V
R
DS （ ON）
最大
<0.13
<0.13
<0.13
<0.13
<0.13
I
D
25A
25A
25A
(1)
25A
25A
P
W
190 W
190 W
40 W
190 W
190 W
3
1
2
1
3
2
3
1
3
12
DPAK
2
1
3
IPAK
TO-247
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
TO-220
TO-220FP
应用
■
图1 。
内部原理图
切换应用程序
描述
这一系列的设备使用的是设计
第二代的MDmesh 技术。
这一革命性的功率MOSFET关联一个
新的垂直结构给公司带
布局产生了世界上最低的导通之一
电阻和栅极电荷。因此，较为合适
为最苛刻的高效率
转换器。
表1中。
设备简介
记号
30NM60N
30NM60N
30NM60N
30NM60N
30NM60N
包
DPAK
IPAK
TO-220FP
TO-220
TO-247
包装
磁带和卷轴
管
管
管
管
订购代码
STB30NM60N
STI30NM60N
STF30NM60N
STP30NM60N
STW30NM60N
2008年7月
REV 2
1/18
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18
目录
STB30NM60N,STI30NM60N,STF30NM60N,STP30NM60N,STW30NM60N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/18
STB30NM60N,STI30NM60N,STF30NM60N,STP30NM60N,STW30NM60N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220
IPA
K
单位
的TO- 247 DPAK TO- 220FP
600
± 30
25
25
(1)
15.8
(1)
100
(1)
40
15
--
-55到150
150
2500
V
V
A
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏极电流（连续）在
T
C
= 25 °C
漏极电流（连续）在
T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
15.8
100
190
A
A
W
V / ns的
V
°C
°C
dv / dt的
(3)
峰值二极管恢复电压斜率
V
ISO
T
英镑
T
j
绝缘耐受电压（有效值）
来自所有三个导到外部的热
水槽（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
储存温度
马克斯。工作温度juncion
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
25A ， di / dt的
≤
400A / μs的，V
DD
=80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB
R
THJ - AMB
T
l
热数据
参数
热阻结案件
最大
热阻结到PCB
最大
热阻结大使
最大
铅的最大温度
焊接用途
--
62.5
--
的TO-220 IPAK的TO- 247 DPAK TO- 220FP
0.66
--
50
300
30
--
3.1
--
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复（脉冲
宽度为T的限制
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50V)
最大值
12
900
单位
A
mJ
3/18
电气特性
STB30NM60N,STI30NM60N,STF30NM60N,STP30NM60N,STW30NM60N
2
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （上
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
600
1
100
100
2
3
0.1
4
0.13
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值，T
C
=125°C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 12.5 A
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 12.5 A
分钟。
典型值。
25
2700
210
22
66
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
DS
= 50 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
V
GS
= 0, V
DS
= 0 480 V
F = 1MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
V
DD
= 480 V，I
D
= 25 A,
V
GS
= 10 V
（参见图19）
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
3
91
14
50
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 12.5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图18）
分钟。
典型值。
20
24
125
70
最大单位
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 25 A，V
GS
= 0
I
SD
= 25 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V
（参见图23）
I
SD
= 25 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V TJ = 150℃
（参见图23）
540
10
36
630
12
36
测试条件
民
典型值。
最大单位
25
100
1.3
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/18
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