STB30NF10
STP30NF10 STP30NF10FP
N沟道100V - 0.038
- 35A TO- 220 / TO- 220FP / D
2
PAK
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STB30NF10
STP30NF10
STP30NF10FP
s
s
s
s
V
DSS
100 V
100 V
100 V
R
DS （ ON）
<0.045
<0.045
<0.045
I
D
35 A
35 A
18 A
3
1
2
s
典型
DS
（上） = 0.038
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
表面安装
2
PAK （ TO-263 ）
电力包装管（没有后缀）或
在磁带&卷轴（后缀“ T4 ” ）
3
1
TO-220FP
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
3
1
2
TO-220
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整，因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
高效率的DC -DC转换器
s
UPS和电机控制
绝对最大额定值
符号
参数
内部原理图
价值
STB30NF10
STP30NF10
STP30NF10FP
100
100
± 20
35
25
140
115
0.77
28
275
------
-55至175
2000
18
13
72
30
0.2
单位
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
绝缘耐压（ DC ）
储存温度
工作结温
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
V
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
2002年5月
.
(1) I
SD
≤30A,
的di / dt
≤400A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 15A ，V
DD
= 30V
1/11
STB30NF10 STP30NF10 STP30NF10FP
热数据
D
2
PAK
TO-220
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
1.30
62.5
300
TO-220FP
5
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值牛逼
C
= 125°C
V
GS
= ± 20 V
分钟。
100
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
I
GSS
ON
(*)
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
I
D
= 250 A
I
D
= 15 A
分钟。
2
典型值。
3
0.038
马克斯。
4
0.045
单位
V
动态
符号
g
飞秒（*）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 15 V
I
D
= 15 A
分钟。
典型值。
10
1180
180
80
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
2/11
STB30NF10 STP30NF10 STP30NF10FP
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 15 A
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 80 V I
D
= 30 A V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
15
40
40
8.0
15
55
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 15 A
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
45
10
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30 A
V
GS
= 0
110
390
7.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
35
140
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 30 A
V
DD
= 55 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(
)
脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区TO- 220
安全工作区TO- 220FP
3/11
STB30NF10 STP30NF10 STP30NF10FP
热阻抗
热阻抗对于TO- 220FP
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
4/11
STB30NF10 STP30NF10 STP30NF10FP
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
归栅极阈值电压与温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
归一化的击穿电压温度
5/11
STB30NF10
STP30NF10 - STP30NF10FP
N沟道100V - 0.038Ω - 35A - D
2
PAK/TO-220/TO-220FP
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB30NF10
STP30NF10
STP30NF10FP
■
■
■
V
DSS
100V
100V
100V
R
DS （ ON）
<0.045
<0.045
<0.045
I
D
35A
35A
35A
TO-220
1
2
3
3
1
D
2
PAK
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用的表征
3
1
2
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。
TO-220FP
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
销售类型
STB30NF10T4
STP30NF10
STP30NF10FP
记号
B30NF10
P30NF10
P30NF10FP
包
D
2
PAK
TO-220
TO-220FP
包装
磁带&卷轴
管
管
2006年6月
REV 2
1/16
www.st.com
16
目录
STB30NF10 - STP30NF10 - STP30NF10FP
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
2/16
STB30NF10 - STP30NF10 - STP30NF10FP
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
绝对最大额定值
参数
D
2
PAK
TO-220
价值
TO-220FP
100
100
± 20
35
25
140
115
0.77
28
275
--
2500
-55至175
马克斯。工作结温
18
13
72
30
0.2
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
V
°C
单位
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM(1)
P
合计
dv / dt的
(2)
E
的AS （3）
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
绝缘耐压（ DC ）
储存温度
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2. I
SD
≤
30A ， di / dt的
≤
400A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
T
JMAX
3.起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 15A ，V
DD
= 30V
表2中。
热数据
D
2
PAK
TO-220
TO-220FP
5
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
Rthj情况
Rthj - AMB
T
J
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1.30
3/16
电气特性
STB30NF10 - STP30NF10 - STP30NF10FP
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 15A
2
3
0.038
分钟。
100
1
10
±100
4
0.045
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 15A
分钟。
典型值。
10
1180
180
80
15
40
45
10
40
8
15
55
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 50V ，我
D
= 15A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见
图15）
V
DD
= 80V ，我
D
= 12A,
V
GS
= 10V
（见
图16）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
4/16
STB30NF10 - STP30NF10 - STP30NF10FP
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 30A ，V
GS
= 0
110
390
7.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
35
140
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
= 30A,
反向恢复时间
的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷
V
DD
= 55V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流
（见
图17）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/16
QQ：2880707522 复制
