STB30N65M5 ， STF30N65M5 ， STI30N65M5
STP30N65M5 ， STW30N65M5
N沟道650 V， 0.125
Ω
22 A，的MDmesh V功率MOSFET
,
DPAK ，TO- 220FP ， IPAK ，TO- 220，TO- 247
特点
订购代码
STB30N65M5
STF30N65M5
STI30N65M5
STP30N65M5
STW30N65M5
V
DSS
@
T
JMAX
710 V
710 V
710 V
710 V
710 V
R
DS （ ON）
马克斯。
< 0.139
Ω
< 0.139
Ω
< 0.139
Ω
< 0.139
Ω
< 0.139
Ω
I
D
1
3
3
1
2
22 A
22 A
(1)
22 A
22 A
22 A
3
12
DPAK
TO-220FP
IPAK
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
■
■
■
3
1
2
2
1
3
在全球最佳R
DS （ ON）
*区
较高的V
DSS
等级
出色的开关性能
易驱
100％的雪崩测试
DV dt能力高/
TO-220
TO-247
图1 。
内部原理图
应用
■
切换应用程序
描述
这些设备是N沟道的MDmesh V
基于创新的功率MOSFET
专有的垂直处理技术，该技术是
结合意法半导体的知名
的PowerMESH 水平布局结构。该
所得产品具有极低的导通
电阻，这是其中硅无与伦比
基于功率MOSFET ，使其特别
适合应用需要卓越
功率密度和效率出众。
表1中。
设备简介
订购代码
STB30N65M5
STF30N65M5
STI30N65M5
STP30N65M5
STW30N65M5
2011年9月
记号
30N65M5
30N65M5
30N65M5
30N65M5
30N65M5
包
DPAK
TO-220FP
IPAK
TO-220
TO-247
包装
磁带和卷轴
管
管
管
管
1/22
www.st.com
22
文档ID 15331牧师3
目录
STB/F/I/P/W30N65M5
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
.......................... 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 21
2/22
文档ID 15331牧师3
STB/F/I/P/W30N65M5
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220， DPAK
的TO- 247 ， IPAK
± 25
22
13
88
140
7
500
15
2500
- 55 150
150
22
(1)
13
(1)
88
(1)
30
单位
TO-220FP
V
A
A
A
W
A
mJ
V / ns的
V
°C
°C
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
I
AR
E
AS
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
在重复或单脉冲最大电流
雪崩（脉冲宽度限制T
JMAX
)
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50V)
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
21 A， di / dt的= 400 A / μs的，V
PEAK
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
热数据
价值
参数
DPAK TO- 220FP IPAK的TO-220 TO-247
热电阻junction-
最大的情况下
热电阻junction-
环境最大
热阻结到PCB
最大
铅的最大温度
焊接用途
30
300
单位
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
THJ -PCB
T
l
0.83
3.6
62.5
0.83
50
° C / W
° C / W
° C / W
°C
文档ID 15331牧师3
3/22
电气特性
STB/F/I/P/W30N65M5
2
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
(V
GS
= 0)
测试条件
I
D
= 1毫安
分钟。
650
1
100
100
3
4
0.125
5
0.139
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
Ω
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS
= 650 V
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
= 650 V，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 25 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 11 A
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
o(tr)(1)
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
当量
电容时间
相关
当量
电容能源
相关
内在门
阻力
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
分钟。
典型值。
2880
68
5
马克斯。
单位
pF
pF
pF
V
DS
= 100 V，F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
V
GS
= 0, V
DS
= 0至520伏特
-
190
-
pF
C
O（ ER ）
(2)
V
GS
= 0, V
DS
= 0至520伏特
-
65
-
pF
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 520 V，I
D
= 11 A,
V
GS
= 10 V
（见
图20）
-
1.6
64
16
25
-
Ω
nC
nC
nC
-
-
1. C
OSS EQ 。
时间相关的被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
2. C
OSS EQ 。
能量相关的被定义为一个常数等效电容给出相同存储的能量作为
C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
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文档ID 15331牧师3
STB/F/I/P/W30N65M5
电气特性
表6 。
符号
t
D（关闭）
t
r
t
c
t
f
开关时间
参数
打开-O FF延迟时间
上升时间
跨时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 400 V，I
D
= 14 A,
R
G
= 4.7
Ω,
V
GS
= 10 V
（见
图21）
分钟。
典型值。
50
8
20
10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 22 A，V
GS
= 0
I
SD
= 22 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V （见
图21）
I
SD
= 22 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V ，T
j
= 150 °C
（见
图21）
测试条件
分钟。
-
-
-
336
6
32
395
7
34
典型值。
MAX 。 UNIT
22
88
1.5
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档ID 15331牧师3
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