STI260N6F6
STP260N6F6
N沟道60 V , 0.0024
Ω
120一个的STripFET VI DeepGATE
,
在TO-220和IPAK包功率MOSFET
特点
订购代码
STI260N6F6
STP260N6F6
■
■
■
V
DSS
60 V
R
DS ( ON)
最大
< 0.003
Ω
I
D
TAB
TAB
120 A
低栅电荷
非常低的导通电阻
高雪崩坚固耐用
IPAK
TO-220
3
12
3
1
2
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这些器件是N沟道功率MOSFET
采用第6代的STripFET 的开发
DeepGATE 技术,以崭新的门
结构。由此产生的功率MOSFET展品
在低R
DS ( ON)
在所有的包。
表1中。
设备简介
记号
260N6F6
包
IPAK
管
TO-220
包装
订购代码
STI260N6F6
STP260N6F6
2012年1月
文档ID 17467第5版
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14
目录
STI260N6F6 , STP260N6F6
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................. 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
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文档ID 17467第5版
STI260N6F6 , STP260N6F6
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM (1)
V
的SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 120 A,V
GS
= 0
I
SD
= 120 A,V
DD
= 48 V
的di / dt = 100 A / μs的,
T
j
= 150 °C
(参见图15)
测试条件
分钟。
-
-
-
55.6
116
3.8
典型值。
最大
120
480
1.1
单位
A
A
V
ns
nC
A
-
1.电流限制的包。
2.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
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