【STB24N60M2 ， STI24N60M2 ，STP24N60M2 ， STW24N60M2N沟】,IC型号STP24N60M2,STP24N60M2 PDF资料,STP24N60M2经销商,ic,电子元器件-51电子网

STB24N60M2 ， STI24N60M2 ，

STP24N60M2 ， STW24N60M2

N沟道600 V ， 0.168

（典型值）， 18一个的MDmesh II加低Q

D中功率MOSFET

PAK ，我

PAK ，TO- 220和TO- 247封装

数据表

生产数据

特点

TAB

订购代码

@ T

JMAX

DS （ ON）

最大

PAK

TAB

STB24N60M2

STI24N60M2

STP24N60M2

STW24N60M2

650 V

0.19

18 A

特低栅极电荷

低

DS （ ON）

X区VS上一代

低门输入电阻

100％的雪崩测试

齐纳保护

TO-220

TO-247

图1.内部示意图

D（ 2 ， TAB ）

应用

切换应用程序

G(1)

描述

这些器件是N沟道功率MOSFET

采用了新一代的MDmesh 的开发

技术：的MDmesh II加低Q

。这些

革命性的功率MOSFET准一

垂直结构公司的条状布局

产生世界上最低的导通电阻之一，

栅极电荷。因此，它们适合于

最苛刻的高效率转换器。

S(3)

AM01476v1

表1.设备摘要

订购代码

STB24N60M2

STI24N60M2

24N60M2

STP24N60M2

STW24N60M2

TO-220

TO-247

管

记号

包

PAK

包装

磁带和卷轴

2013年5月

这是在满负荷生产一个产品信息。

DocID023964版本4

1/22

www.st.com

STB24N60M2 ， STI24N60M2 ， STP24N60M2 ， STW24N60M2

电气额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

电特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

2.1

电特性（曲线）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 6

测试电路

.............................................. 9

包装机械的数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 10

包装机械数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 19

修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 21

2/22

DocID023964版本4

STB24N60M2 ， STI24N60M2 ， STP24N60M2 ， STW24N60M2

电气额定值

表2.绝对最大额定值

符号

糖尿病（1）

合计

dv / dt的

(2)

dv / dt的

(3)

英镑

参数

栅源电压

漏电流（连续）在T

= 25 °C

漏电流（连续）在T

= 100 °C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25 °C

峰值二极管恢复电压斜率

MOSFET的dv / dt坚固

储存温度

- 55 150

马克斯。工作结温

°C

价值

± 25

150

单位

V / ns的

1.脉冲宽度有限的安全工作区。

2. I

≤

18 A， di / dt的

≤

400 A / μs的; V

DS高峰

＆ LT ; V

（ BR ） DSS

, V

=400 V.

3. V

≤

480 V

表3.热数据

价值

符号

参数

PAK

单位

TO-220

TO-247

° C / W

62.5

° C / W

THJ情况

热阻结案件最大

THJ -PCB

THJ - AMB

热阻结到PCB最大

(1)

热阻结到环境最大

0.83

1.当安装在1英寸2 FR- 4 ， 2盎司纯铜电路板

表4.雪崩特性

符号

参数

雪崩电流，重复或不

重复（脉冲宽度限制T

JMAX

)

单脉冲雪崩能量（首发

= 25 ° C，I

= I

; V

=50)

价值

3.5

180

单位

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3/22

电气特性

STB24N60M2 ， STI24N60M2 ， STP24N60M2 ， STW24N60M2

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

表5的开/关状态

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

漏源

击穿电压

测试条件

= 1毫安， V

= 0

分钟。

600

100

±10

0.168

0.19

典型值。

马克斯。

单位

零栅极电压

= 600 V

漏电流（V

= 0) V

= 600 V ，T

=125 °C

门体漏

电流（V

= 0)

= ± 25 V

栅极阈值电压V

= V

, I

= 250 A

静态漏源

导通电阻

= 10 V，I

= 9 A

表6.动态

符号

国际空间站

OSS

RSS

OSS当量（1）

参数

输入电容

输出电容

反向传输

电容

等效输出

电容

内在门

阻力

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 100 V，F = 1MHz时，

= 0

测试条件

分钟。

= 0 480 V ，V

= 0

F = 1MHz时，我

= 0

= 480 V，I

= 18 A,

= 10 V

（见

图17）

典型值。

1060

2.2

258

马克斯。

单位

1. C

OSS EQ 。

被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C

OSS

当V

增加了从0到80 ％的V

DSS

表7.开关时间

符号

D（上）

D（关闭）

F（ I）中

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

= 300 V，I

= 9 A,

= 4.7

Ω,

= 10 V

（见

图16

和

21)

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

4/22

DocID023964版本4

STB24N60M2 ， STI24N60M2 ， STP24N60M2 ， STW24N60M2

电气特性

表8.源漏二极管

符号

SDM （1）

SD(2)

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 18 A， di / dt的= 100 A / μs的

= 60 V ，T

= 150 °C

（见

图18）

= 18 A， di / dt的= 100 A / μs的

= 60 V （见

图18）

= 18 A，V

= 0

测试条件

分钟。

332

450

5.5

典型值。

MAX 。 UNIT

1.6

1.脉冲宽度有限的安全工作区。

2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％

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