STB22NS25Z - STP22NS25Z
N沟道250V - 0.13Ω - 22A - TO- 220 / D
2
PAK
齐纳保护MESH OVERLAY 功率MOSFET
一般特点
TYPE
STB22NS25Z
STP22NS25Z
■
■
V
DSS
250V
250V
R
DS （ ON）
<0.15
<0.15
I
D
22A
22A
3
100％的雪崩测试
DV dt能力极高/
TO-220
1
2
3
1
DPAK
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中，意法半导体设计了一个
功率MOSFET具有先进的家庭
出色的表现。新专利
带布局再加上公司
专有的边缘终端结构，使得它
适合于coverters用于照明应用。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB22NS25Z
STP22NS25Z
记号
B22NS25Z
P22NS25Z
包
DPAK
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
2006年6月
REV 2
1/14
www.st.com
14
目录
STB22NS25Z - STP22NS25Z
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/14
STB22NS25Z - STP22NS25Z
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
250
250
± 20
22
13.9
88
135
1.07
2500
5
-55到150
马克斯。工作结温
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
V
ESD （G -S ）
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
dv / dt的
(2)
T
英镑
T
j
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2. I
SD
< 22A ， di / dt的< 200A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表2中。
热数据
0.93
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
Rthj外壳热阻结案件最大
Rthj - AMB热阻结到环境的最大
T
l
最大无铅焊接温度的目的
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50V ，R
g
= 47)
最大值
22
350
单位
A
mJ
3/14
电气特性
STB22NS25Z - STP22NS25Z
2
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125°C
V
GS
= ±18V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 11A
2
3
0.13
分钟。
250
10
100
±10
4
0.15
典型值。
MAX 。 UNIT
V
A
A
A
V
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 11A
分钟。
典型值。
22
2400
340
120
108
11
40
151
MAX 。 UNIT
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时， V
GS
= 0
V
DD
= 200V ，我
D
= 20A,
V
GS
= 10V
（参见图13）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
4/14
STB22NS25Z - STP22NS25Z
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（ Voff时）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
开启OFF-延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 125V ，我
D
= 11A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（参见图12）
V
DD
= 125V ，我
D
= 11 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图12）
V
钳
= 200V ，我
D
= 22 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图12）
分钟。
典型值。
20
30
100
78
37
65
110
最大单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 22 A，V
GS
= 0
I
SD
= 22 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 50V ，T
j
= 150°C
（参见图17）
292
3065
21
测试条件
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
22
88
1.6
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表8 。
符号
BV
GSO(1)
门源稳压二极管
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 500μA （漏极开路）
民
20
典型值
最大单位
V
1.内置背到背的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
外部元件的使用情况
5/14
STP22NS25Z
STB22NS25Z
N沟道250V - 0.13Ω - 22A TO- 220 / D
2
PAK
齐纳保护的MESH OVERLAY MOSFET
TYPE
STP22NS25Z
STB22NS25Z
s
s
s
V
DSS
250 V
250 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 0.15
＆ LT ; 0.15
I
D
22 A
22 A
典型
DS
（上） = 0.13
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
TO-220
3
1
2
3
1
D
2
PAK
描述
采用了最新的高电压MESH OVERLAY
过程中，意法半导体设计了一个AD-
vanced系列功率MOSFET具有突出的
性能。新专利带布局cou-
PLED与本公司专有的边缘端接
化结构，使得它适合于coverters的
照明应用。
内部原理图
应用
s
大电流，高开关速度
s
SWITH模式电源（ SMPS ）
s
DC- DC转换器，用于电信，
工业，照明设备
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
l
)
P
合计
V
ESD （G -S ）
dv / dt的（ 1 ）
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
价值
250
250
± 20
22
13.9
88
135
1.07
2500
5
-55到150
(1) I
SD
≤22A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
2002年1月
1/10
STP22NS25Z / STB22NS25Z
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 125 V，I
D
= 11 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 200V ，我
D
= 20 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
20
30
108
11
40
151
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（ Voff时）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
开启OFF-延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 125V ，我
D
= 11 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图3 ）
V
钳
= 200V ，我
D
= 22 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
100
78
37
65
110
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 22 A，V
GS
= 0
I
SD
= 22 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 50V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
292
3065
21
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
22
88
1.6
单位
A
A
V
ns
nC
A
门源稳压二极管
符号
BV
GSO
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ± 500μA （漏极开路）
分钟。
20
典型值。
马克斯。
单位
V
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
栅 - 源齐纳二极管保护功能
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从大门到烃源应用。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和成本
有效的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免了使用
的外部元件。
3/10
QQ：2880707522 复制
