STP22NM50 - STP22NM50FP
STB22NM50 - STB22NM50-1
N沟道500V - 0.16Ω - 20A TO- 220 / FP / D
2
PAK / I
2
PAK
的MDmesh 功率MOSFET
高级数据
TYPE
STP22NM50
STP22NM50FP
STB22NM50
STB22NM50-1
s
s
s
s
s
V
DSS
500 V
500 V
500 V
500 V
R
DS （ ON）
<0.215
<0.215
<0.215
<0.215
R
DS （ ON）
*Q
g
6.4
Ω * NC
6.4
Ω * NC
6.4
Ω * NC
6.4
Ω * NC
I
D
20 A
20 A
20 A
20 A
3
1
D
2
PAK
TO-220
3
1
2
典型
DS
（上） = 0.16Ω
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
TO-220FP
12
3
描述
该的MDmesh 是一个新的革命MOSFET技
术相关联的多个排水过程
该公司的PowerMESH 水平布局。该
得到的产品具有出色的低导通电阻
tance ，令人印象深刻的高dv / dt和优异的雪崩
的特点。通过本公司的propri-的
etary条技术产量整体动态perfor-
曼斯是比类似显著更好
竞争的产品。
应用
在的MDmesh 系列是非常适合增加
高电压转换器允许系功率密度
统的小型化和更高的效率。
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
q
)
P
合计
dv/dt(1)
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘Winthstand电压（DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
IPAK
（无接头的TO-220 ）
国内
原理图
价值
STP(B)22NM50(-1)
500
500
±30
20
12.6
80
192
1.2
15
--
-65到150
150
(1)I
SD
≤20A,
的di / dt
≤400A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（*）限定仅由最大允许温度
单位
STP22NM50FP
V
V
V
20(*)
12.6(*)
80(*)
45
0.36
2000
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
2003年1月
1/10
STP22NM50 / STP22NM50FP / STB22NM50 / STB22NM50-1
热数据
TO-220/I
2
PAK /
D
2
PAK
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
0.65
62.5
300
TO-220FP
2.8
° C / W
° C / W
°C
最大无铅焊接温度的目的
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 5 A，V
DD
= 50 V)
最大值
10
650
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ±30V
分钟。
500
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
分钟。
3
典型值。
4
0.16
马克斯。
5
0.215
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(2)
R
g
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
测试条件
V
DS
＆ GT ;我
D（上）
个R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 10A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
10
1480
285
34
130
1.6
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
V
DSS
.
2/10
STP22NM50 / STP22NM50FP / STB22NM50 / STB22NM50-1
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 250 V，I
D
= 10 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 400 V，I
D
= 20 A,
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
24
16
40
13
19
56
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 400 V，I
D
= 20 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10 V
（见测试电路，图5 ）
分钟。
典型值。
9
8.5
23
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 20 A，V
GS
= 0
I
SD
= 20 A， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 100 V，T
j
= 25°C
（见测试电路，图5 ）
I
SD
= 20 A， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 100 V，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
350
4.6
26
435
5.9
27
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
20
80
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
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STP22NM50 / STP22NM50FP / STB22NM50 / STB22NM50-1
图。 1 ：
非钳位电感负载测试电路
图。 2 ：
非钳位感应波形
图。 3 ：
开关时间测试电路，用于
阻性负载
图。 4 ：
栅极电荷测试电路
图。 5 ：
测试电路感应负载开关
和二极管恢复时间
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STP22NM50 / STP22NM50FP / STB22NM50 / STB22NM50-1
TO- 220机械数据
DIM 。
分钟。
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA 。
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
16.4
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
4.40
1.23
2.40
1.27
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.645
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
mm
典型值。
马克斯。
4.60
1.32
2.72
分钟。
0.173
0.048
0.094
0.050
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
寸
典型值。
马克斯。
0.181
0.051
0.107
A
C
D1
L2
F1
D
G1
E
DIA 。
L5
L7
L6
L4
P011C
L9
F2
F
G
H2
5/10
QQ：2881677436 复制
