STP21NM60N-F21NM60N-STW21NM60N
STB21NM60N-STB21NM60N-1
N沟道600 V - 0.17
- 17 A TO - 220 - TO- 220FP - D
2
PAK -
I
2
PAK - TO-247第二代的MDmesh 功率MOSFET
特点
TYPE
STB21NM60N
STB21NM60N-1
STF21NM60N
STP21NM60N
STW21NM60N
V
DSS
（ @Tjmax ）
650 V
650 V
650 V
650 V
650 V
R
DS （ ON）
最大
< 0.22
< 0.22
< 0.22
< 0.22
< 0.22
I
D
3
3
3
1
2
17 A
17 A
17 A
(1)
17 A
17 A
1
2
1
TO-220
D
2
PAK
TO-220FP
1.最高温度的限制使
■
■
■
3
12
2
1
3
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
图1 。
I
2
PAK
TO-247
应用
■
内部原理图
切换应用程序
描述
该系列器件实现第二
新一代的MDmesh 技术。这
革命性的功率MOSFET相关联的新
垂直结构公司的条状布局
产生世界上最低的导通电阻之一，
栅极电荷。因此，适合于最
需要高效率的转换器。
表1中。
设备简介
记号
B21NM60N
B21NM60N
F21NM60N
P21NM60N
W21NM60N
包
D
2
PAK
I
2
PAK
TO-220FP
TO-220
TO-247
包装
磁带和卷轴
管
管
管
管
订购代码
STB21NM60N
STB21NM60N-1
STF21NM60N
STP21NM60N
STW21NM60N
2008年2月
第七版
1/18
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18
目录
STP / F21NM60N - STB21NM60N - STB21NM60N - 1 - STW21NM60N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/18
STP / F21NM60N - STB21NM60N - STB21NM60N - 1 - STW21NM60N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220/D
2
PAK
I
2
PAK / TO-247
600
±25
17
10
68
140
15
--
-55到150
150
2500
17
(1)
10
(1)
68
(1)
30
单位
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
V / ns的
V
°C
°C
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.
I
SD
≤
17 A， di / dt的
≤
480 A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB
R
THJ - AMB
T
l
热数据
参数
热电阻junction-
最大的情况下
热电阻junction-
PCB最大
热电阻junction-
环境最大
最大的铅温度
焊接用途
--
62.5
的TO-220 DPAK IPAK
0.89
30
--
300
--
62.5
TO- 220FP TO-247
4.21
--
0.89
--
50
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
表4 。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AS
, V
DD
= 50 V)
最大值
8.5
610
单位
A
mJ
3/18
电气特性
STP / F21NM60N - STB21NM60N - STB21NM60N - 1 - STW21NM60N
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
开/关状态
价值
参数
漏源
击穿电压
漏源电压斜率
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
V
48
1
100
100
2
3
0.170
4
0.220
V / ns的
A
A
nA
V
单位
V
（ BR ） DSS
dv / dt的
(1)
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DD
= 480 V，I
D
= 17 A,
V
GS
= 10 V
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.5 A
600
1.特征值在关闭感性负载
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 15 V
,
I
D
= 8.5 A
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
12
1900
110
15
282
22
15
84
31
66
10
33
2
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
GS
= 0, V
DS
= 0 480 V
V
DD
= 300 V，I
D
= 8.5 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（参见图23） ，
（参见图18）
V
DD
= 480 V，I
D
= 17 A,
V
GS
= 10 V,
（参见图19）
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ
。被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/18
STP / F21NM60N - STB21NM60N - STB21NM60N - 1 - STW21NM60N
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 17 A，V
GS
= 0
I
SD
= 17 A，V
DD
= 100 V
的di / dt = 100 A / μs的
（参见图20）
I
SD
= 17 A，V
DD
= 100 V
的di / dt = 100 A / μs的，
T
j
= 150 °C
（参见图20）
372
4.6
25
486
6.3
26
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
17
68
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
5/18
STP21NM60N-STF21NM60N-STW21NM60N
STB21NM60N - STB21NM60N - 1
N沟道600V - 0.19
- 17 A TO - 220 / FP / D / IPAK / TO- 247
第二代的MDmesh MOSFET
表1 ：一般特点
TYPE
STB21NM60N
STB21NM60N-1
STF21NM60N
STP21NM60N
STW21NM60N
■
■
图1 ：包装
R
DS （ ON）
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
0.24
0.24
0.24
0.24
0.24
I
D
17 A
17 A
17 A (*)
17 A
17 A
TO-220
V
DSS
660
660
660
660
660
V
V
V
V
V
3
1
3
1
2
3
1
2
D
PAK
■
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极
收费
低门输入电阻
TO-220FP
描述
该
STx21NM60N
实现与第二
新一代的MDmesh技术。这种革命
tionary MOSFET关联一个新的垂直struc-
TURE本公司带布局，以产生一
世界上最低的导通电阻和栅极电荷。
因此，适用于最苛刻的高
转换效率
3
12
3
2
1
I
PAK
TO-247
图2 ：内部原理图
应用
在的MDmesh II系列是非常适合IN-
高电压转换器压痕功率密度
使系统小型化和更高的艾菲
ciencies 。
表2 ：订购代码
销售类型
STB21NM60N
STB21NM60N-1
STF21NM60N
STP21NM60N
STW21NM60N
记号
B21NM60N
B21NM60N
F21NM60N
P21NM60N
W21NM60N
包
D
2
PAK
I
2
PAK
TO-220FP
TO-220
TO-247
包装
磁带&卷轴
管
管
管
管
Rev.3
2005年10月
1/16
STP21NM60N - STF21NM60N - STB21NM60N - STB21NM60N - 1 - STW21NM60N
表3 ：绝对最大额定值
符号
参数
价值
TO- 220 / D
2
PAK /
I
2
PAK / TO-247
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv/dt(1)
VISO
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘Winthstand电压（DC ）
储存温度
马克斯。工作结温
--
-55到150
150
17
10
64
140
1.12
15
2500
600
600
±25
17 (*)
10 (*)
64 (*)
30
0.23
TO-220FP
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
单位
( )
脉冲宽度有限的安全工作区
（*）限定仅由最大允许温度
(1) I
SD
≤
16 A ， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
DD
=80% V
（ BR ） DSS
表4 ：热数据
的TO- 220 / DPAK /
IPAK / TO-247
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
0.89
62.5
300
TO-220FP
4.21
° C / W
° C / W
°C
表5：雪崩特征
符号
I
AS
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AS
, V
DD
= 50 V)
最大值
8.5
610
单位
A
mJ
2/16
STP21NM60N - STF21NM60N - STB21NM60N - STB21NM60N - 1 - STW21NM60N
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表6 ：开/关
符号
V
（ BR ） DSS
dv/dt(2)
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源
击穿电压
漏源电压
坡
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
分钟。
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
VDD = 480V ，ID = 17A ， VGS = 10V
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.5 A
2
3
0.190
600
48
1
10
100
4
0.24
价值
典型值。
马克斯。
V
V / ns的
A
A
nA
V
单位
（ 2 ）特征值在关闭感性负载
表7 ：动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(*)
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
导通延迟时间
上升时间
离voltageRise时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
12
1950
508
38.4
282
22
15
84
31
66.6
9.9
33
2
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
正向跨导V
DS
= 15 V
,
I
D
= 8 A
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400V
V
DD
= 300 V，I
D
= 8.5 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
（参见图20）
V
DD
= 480V ，我
D
= 17 A,
V
GS
= 10V,
（参见图23）
F = 1MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
(*) C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
表8 ：源极漏极二极管
符号
I
SD
I
SDM
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 17 A，V
GS
= 0
I
SD
= 17 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 25°C
（参见图21）
I
SD
= 17A ，的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 150°C
（参见图21）
372
4.6
25
486
6.3
26
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
16
64
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
3/16
STP21NM60N - STF21NM60N - STB21NM60N - STB21NM60N - 1 - STW21NM60N
图3 ：安全工作区的TO- 220 /
IPAK / DPAK
图6 ：热阻抗TO- 220 / IPAK /
DPAK
图4 ：安全工作区TO- 220FP
图7 ：热阻抗对于TO- 220FP
图5 ：安全工作区的TO- 247
图8： TO- 247热阻抗
4/16
STP21NM60N - STF21NM60N - STB21NM60N - STB21NM60N - 1 - STW21NM60N
图9 ：输出特性
输出特性
图12 ：传输特性
图10：跨导
图13 ：静态漏源导通电阻
图11 ：栅极电荷VS栅源电压
图14 ：电容变化
5/16
QQ：2881677436 复制
