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STP210N75F6
N沟道75 V， 3 mΩ的120 A TO -220
,
的STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET
特点
订货编号
STP210N75F6
■
■
■
V
DSS
75 V
R
DS （ ON）
最大
< 3.7毫欧
I
D
120 A
低栅电荷
非常低的导通电阻
高雪崩坚固耐用
TO-220
1
2
3
应用
切换应用程序
描述
本产品为75 V的N沟道的STripFET VI
基于ST的专有功率MOSFET
的STripFET 技术，以崭新的栅极结构。
将所得的功率MOSFET显示最低
R
DS （ ON）
在所有的包。
图1 。
内部原理图
表1中。
设备简介
记号
210N75F6
包
TO-220
包装
管
订货编号
STP210N75F6
2011年5月
文档编号018507版本1
1/13
www.st.com
13
目录
STP210N75F6
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
文档编号018507版本1
STP210N75F6
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
价值
75
± 20
120
120
480
300
2
- 55 175
工作结温
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
T
英镑
T
j
储存温度
1.电流限制的包。
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -A
T
l
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
价值
0.5
62.5
300
单位
° C / W
° C / W
°C
文档编号018507版本1
3/13
电气特性
STP210N75F6
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
=125 °C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 60 A
2
3.0
分钟。
75
1
100
100
4
3.7
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
mΩ
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
测试条件
分钟。
典型值。
11800
1060
394
V
DD
= 37.5 V，I
D
= 120 A,
V
GS
= 10 V
（参见图14）
171
-
50
36
-
-
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
4/13
文档编号018507版本1
STP210N75F6
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 40 V，I
D
= 60 A
R
G
= 4.7
Ω
V
GS
= 10 V
（参见图13）
分钟。
-
-
典型值。
34
70
154
71
马克斯。
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 120 A，V
GS
= 0
I
SD
= 120 A，V
DD
= 60 V
的di / dt = 100 A / μs的，
T
j
= 150 °C
（参见图15）
测试条件
分钟。
-
-
-
60
144
4.8
典型值。
最大
120
480
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
-
1.电流限制的包。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档编号018507版本1
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