N沟道60V - 0.06
- 20A TO-220 / TO- 220FP
的STripFET II功率MOSFET
表1 ：一般特点
TYPE
STP20NF06
STF20NF06
■
■
■
■
■
■
STP20NF06
STF20NF06
图1 ：包装
R
DS （ ON）
< 0.07
< 0.07
I
D
20 A
20 A(*)
V
DSS
60 V
60 V
典型
DS
（上） = 0.06
雪崩坚固的技术
100％的雪崩测试
175
o
C的工作温度
DV dt能力高/
面向应用
表征
3
1
2
1
2
3
TO-220
TO-220FP
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的可重复性制造
应用
■
直流电机控制
■
DC-DC & DC- AC转换器
图2 ：内部原理图
表2：
订购代码
产品型号
STP20NF06
STF20NF06
记号
P20NF06
F20NF06
包
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
表3：
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
T
英镑
T
j
以Rth的价值
参数
STP20NF06
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
工作结温
价值
STF20NF06
60
60
± 20
20
14
80
60
0.4
9
120
-55至175
20(*)
14(*)
80(*)
28
0.18
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
(*)
请参阅SOA对FP型由于最大允许电流值
十二月2004
(1) I
SD
≤20A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 10A ，V
DD
= 30V
启示录
1
1/10
STP20NF06
STF20NF06
N沟道60V - 0.06Ω - 20A - TO- 220 / TO- 220FP
的STripFET II功率MOSFET
特点
TYPE
STP20NF06
STF20NF06
V
DSS
60V
60V
R
DS （ ON）
<0.07
<0.07
I
D
20A
20A
(1)
3
1
2
1
3
2
1.参考SOA上的最大允许电流值
FP型由于Rth的价值
■
■
■
■
■
雪崩坚固的技术
100％的雪崩测试
175
o
C的工作温度
DV dt能力高/
面向应用的表征
TO-220
TO-220FP
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的"Single功能
尺寸 “带为基础的进程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此，一个显着的制造
重现。
内部原理图
应用
■
切换应用程序
订购代码
产品型号
STP20NF06
STF20NF06
记号
P20NF06
F20NF06
包
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
2007年5月
REV 3
1/14
www.st.com
14
目录
STP20NF06 - STF20NF06
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
STP20NF06 - STF20NF06
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM(2)
P
合计
dv / dt的
(3)
E
的AS （4）
V
ISO
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
绝缘材料来自三个耐受电压（有效值）
导致外部散热器（ T = 1秒;吨
C
=25°C)
储存温度
-55至175
马克斯。工作结温
°C
--
20
14
80
60
0.4
9
120
2500
60
± 20
20
(1)
14
(1)
80
(1)
28
0.18
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
V
单位
1.参考SOA对FP-类型的最大允许电流值，由于Rth的价值
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. I
SD
≤
20A ， di / dt的
≤200A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
T
JMAX
4.起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 10A ，V
DD
= 30V
表2中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
T
J
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
TO-220
2.5
62.5
300
TO-220FP
5.35
单位
° C / W
° C / W
°C
3/14
电气特性
STP20NF06 - STF20NF06
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
2
3
0.06
分钟。
60
1
10
±100
4
0.07
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 8A
分钟。
典型值。
10
400
100
40
5
15
15
5
14
3
5.5
18
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 30V ，我
D
= 10A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见
图15）
V
DD
= 30V ，我
D
= 20A,
V
GS
= 10V
（见
图16）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
4/14
STP20NF06 - STF20NF06
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 20A ，V
GS
= 0
50
88
3.2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
20
80
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
= 20A,
反向恢复时间
的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷
V
DD
= 20V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流
（见
图17）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/14
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