STP20NE10
N - CHANNEL 100V - 0.07Ω - 20A - TO- 220
的STripFET MOSFET
TYPE
ST P20NE10
s
s
s
s
V
DSS
100 V
R
DS ( ON)
& LT ; 0.1
I
D
20 A
典型
DS ( ON)
= 0.07
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100%的雪崩测试
面向应用
表征
2
3
描述
这是功率MOSFET的最新发展
SGS - THOMSON独有的“单一特征尺寸 ”
条形基础process.The导致晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性,坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整,因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
电磁阀和继电器驱动器
s
电机控制,音频放大器
s
DC- DC转换器
s
汽车环境
1
TO-220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
吨OT
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流(连续)在T
c
= 25 C
漏电流(连续)在T
c
= 100
o
C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25 C
降额F演员
的dv / dt (
1
)
T
英镑
T
j
1998年7月
峰值二极管恢复电压斜率
存储牛逼emperature
马克斯。操作摄像结温
o
o
价值
100
100
±
20
20
14
80
90
0.6
7
-65 175
175
(
1
) I
SD
≤
20 A , di / dt的
≤
300 A / μs的,V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, T
j
≤
T
JMAX
UNI吨
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V / ns的
o
o
C
C
1/8
( )脉冲宽度有限的安全工作区