STP200N4F3
STB200N4F3
N沟道40V - 0.0035Ω - 120A - D
2
PAK - TO- 220
平面的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STB200N4F3
STP200N4F3
■
■
V
DSS
40V
40V
R
DS （ ON）
最大
<0.0040
<0.0044
I
D
120A
120A
P
w
300W
300W
3
1
1
2
3
100％的雪崩测试
标准阈DRIVE
DPAK
TO-220
应用
■
切换应用程序
汽车
描述
图1 。
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征尺寸 ”
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
因此不太严格的对准步骤
卓越的制造重复性。这
新改良的设备已经专门
专为汽车应用。
内部原理图
表1中。
设备简介
记号
200N4F3
200N4F3
包
DPAK
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
订购代码
STB200N4F3
STP200N4F3
2007年10月
REV 2
1/14
www.st.com
14
目录
STB200N4F3 - STP200N4F3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
电气特性
STB200N4F3 - STP200N4F3
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 80A
DPAK
TO-220
2
分钟。
40
10
100
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
4
0.0035 0.0040
0.0040 0.0044
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 10V ，我
D
= 80A
分钟。
典型值。
200
5100
1270
37
75
23
17
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 20V ，我
D
= 120A
V
GS
=10V
（参见图14）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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STB200N4F3 - STP200N4F3
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关闭电压上升时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 20 V，I
D
=60A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图13）
V
DD
= 20 V，I
D
=60A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图13）
民
典型值
19
180
90
65
最大
单位
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 120A ，V
GS
=0
I
SD
= 120A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20 V ， TJ = 150℃
（参见图18）
67
130
4
测试条件
民
典型值
最大
120
480
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
5/14
QQ：2881677436 复制
