STF19NM50N
STP19NM50N ， STW19NM50N
N沟道500 V ， 0.2
,
14一个的MDmesh II 功率MOSFET
在TO- 220FP ，TO- 220和TO- 247
特点
TYPE
STF19NM50N
STP19NM50N
STW19NM50N
■
■
■
V
DSS @
T
JMAX
550 V
R
DS （ ON）
最大
＆ LT ; 0.25
I
D
2
3
1
3
2
14 A
1
TO-247
TO-220
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
1
2
3
TO-220FP
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这第二代的MDmesh 技术，
适用的多漏极过程所带来的好处
以意法半导体知名的PowerMESH
横向布局结构。将所得产物
导通电阻提供完善，低栅极电荷，
高dv / dt性能和出色的雪崩
的特点。
表1中。
设备简介
记号
包
TO-220FP
19NM50N
TO-220
TO-247
管
包装
订购代码
STF19NM50N
STP19NM50N
STW19NM50N
2010年2月
文档ID 17079牧师1
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15
目录
STF19NM50N ， STP19NM50N ， STW19NM50N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
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文档ID 17079牧师1
STF19NM50N ， STP19NM50N ， STW19NM50N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
- 55 150
150
14
9
56
110
15
2500
TO-247
500
± 25
14
(1)
9
(1)
56
(1)
30
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
V / ns的
V
°C
°C
单位
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
14 A， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
PEAK
＆ LT ; V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
T
l
热数据
价值
参数
TO-220
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
62.5
TO-247
1.14
50
300
TO-220FP
4.17
62.5
° C / W
° C / W
°C
单位
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
价值
7
208
单位
A
mJ
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电气特性
STF19NM50N ， STP19NM50N ， STW19NM50N
2
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
500
1
10
10
2
3
0.2
4
0.25
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 25 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 7 A
表6 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
(1)
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
当量
电容时间
相关
当量
电容能源
相关
内在门
阻力
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 0 400 V ，V
GS
= 0
-
51
-
pF
测试条件
分钟。
典型值。
1000
72
3
马克斯。
单位
pF
pF
pF
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
C
O（ TR ）
-
104
-
pF
C
o(er)(2)
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 400 V，I
D
= 14 A,
V
GS
= 10 V
（见
图19）
-
4.4
34
5
18
-
nC
nC
nC
-
-
1.时间有关的被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当
V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
2.能源有关的被定义为一个常数等效电容给出相同存储的能量为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
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STF19NM50N ， STP19NM50N ， STW19NM50N
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 250 V，I
D
= 7 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图20）
分钟。
典型值。
12
16
61
17
最大
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 14 A，V
GS
= 0
I
SD
= 14 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V （见
图23）
I
SD
= 14 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V ，T
j
= 150 °C
（见
图23）
测试条件
分钟。
-
-
-
296
3.5
23
346
4
24
典型值。
MAX 。 UNIT
14
56
1.5
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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