STB18NM80 ， STF18NM80 ，
STP18NM80 ， STW18NM80
N沟道800 V ， 0.25
Ω
17 A，的MDmesh 功率MOSFET
,
在DPAK ，TO- 220FP ，TO- 220和TO- 247封装
数据表 - 生产数据
特点
订购代码
STB18NM80
STF18NM80
STP18NM80
STW18NM80
V
DSS
800 V
800 V
800 V
800 V
R
DS （ ON）
最大
< 0.295
Ω
< 0.295
Ω
< 0.295
Ω
< 0.295
Ω
I
D
3
3
1
2
17 A
17 A
(1)
17 A
17 A
1
DPAK
TO-220FP
1.有限只能由最高允许温度
3
■
■
■
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
1
2
2
1
3
TO-220
TO-247
应用
■
图1 。
内部原理图
切换应用程序
描述
这些N沟道功率MOSFET
采用意法半导体的开发
革命性的MDmesh 技术，该技术
相关联的多个排水过程中
公司的PowerMESH 水平布局。
这些器件均提供极低的导通电阻，
高dv / dt和优异的雪崩
的特点。采用意法半导体独有的带
技术，这些功率MOSFET拥有一个
整体的动态性能，优于
同类产品在市场上。
表1中。
设备简介
记号
包
DPAK
TO-220FP
18NM80
STP18NM80
STW18NM80
TO-220
TO-247
管
包装
磁带和卷轴
订购代码
STB18NM80
STF18NM80
2012年5月
这是在满负荷生产一个产品信息。
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目录
STB18NM80 ， STF18NM80 ， STP18NM80 ， STW18NM80
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
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电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220
漏源电压
栅源电压
漏极电流（连续）在
T
C
= 25 °C
漏极电流（连续）在
T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
绝缘耐受电压（有效值）
来自所有三个导到外部的热
水槽（T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
-65到150
150
17
10.71
68
190
DPAK
的TO- 247 TO- 220FP
800
± 30
17
(1)
10.71
(1)
68
(1)
40
2500
V
V
A
A
A
W
V
°C
°C
单位
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
表3中。
符号
热数据
价值
参数
TO-220
DPAK
0.66
62.5
30
300
50
的TO- 247 TO- 220FP
3.13
62.5
° C / W
° C / W
° C / W
°C
单位
R
THJ情况
热阻结案件
R
THJ - AMB
热阻结大使
R
THJ -PCB
热阻结到PCB
T
l
铅的最大温度
焊接用途
表4 。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C，I
D
= I
AS
, V
DD
= 50 V)
最大值
4
600
单位
A
mJ
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电气特性
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电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
= 800 V,
V
DS
= 800 V ，TC = 125°C
V
GS
= ± 30 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.5 A
3
4
分钟。
800
10
100
±100
5
典型值。
MAX 。 UNIT
V
A
A
nA
V
Ω
0.25 0.295
表6 。
符号
g
fs(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 8.5 A
分钟。典型值。马克斯。
-
14
2070
210
29
316
-
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
DS
= 50 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
-
-
V
GS
= 0, V
DS
= 0至640 V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
V
DD
= 640 V，I
D
= 17 A
V
GS
= 10 V
（见
图17）
-
-
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.
-
4
70
13
40
-
Ω
nC
nC
nC
-
-
脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ
。被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
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电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 400 V，I
D
= 8.5 A,
R
G
= 4.7
Ω,
V
GS
= 10 V
（见
图16
和
图21）
分钟。
典型值。
18
28
96
50
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 17 A，V
GS
= 0
I
SD
= 17 A， di / dt的= 100
A / μs的，V
DD
= 100 V,
（见
图18）
I
SD
= 17 A,
的di / dt = 100 A / μs的，
V
DD
= 100 V， TJ = 150℃
（见
图18）
测试条件
分钟。
-
-
-
618
9.6
31.2
822
13
31.8
典型值。
马克斯。
17
68
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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