STB185N55
STP185N55
N沟道55V - 2.9mΩ - 120A - D
2
PAK/TO-220
的MDmesh 低电压功率MOSFET
目标特定网络阳离子
一般特点
TYPE
STB185N55
STP185N55
V
DSS
55V
55V
R
DS （ ON）
3.5m
3.8m
I
D
120A
(1)
120A
(1)
3
1
2
1.价值限于通过引线接合
■
■
3
1
超低导通电阻
100％的雪崩测试
TO-220
D
2
PAK
描述
这n沟道增强型功率
MOSFET是最新的细化
意法半导体独有的“单一特征尺寸 ”
条形基础的过程，那么关键aligment
步骤，因此，显着的制造
重现。由此产生的晶体管显示
极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
低栅极电荷。
内部原理图
应用
■
开关应用
汽车
订购代码
产品型号
STB185N55
STP185N55
记号
B185N55
P185N55
包
D
2
PAK
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
2006年8月
REV 3
1/12
www.st.com
12
这是要发展就预见到了新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
目录
STB185N55 - STP185N55
目录
1
2
3
4
5
6
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
测试电路
................................................ 6
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
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STB185N55 - STP185N55
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D (1)
I
DM （2）
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
55
± 20
120
120
480
315
2.1
待定
待定
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
dv / dt的
E
的AS （3）
T
j
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
1.电流限制的包。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3.启动TJ = 25°C ，ID = 60A ， VDD = 40V
表2中。
热数据
TO-220
DPAK
0.48
62.5
--
300
--
35
--
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
Rthj情况
Rthj -A
热阻结案件
热阻结到环境最大
RthJ -PCB
(1)
热阻结到环境最大
T
l
最大无铅焊接温度的
用途
1.当安装英寸2 FR4 2盎司铜。
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电气特性
STB185N55 - STP185N55
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， @ 125°C
分钟。
55
10
100
±
200
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
m
m
门体漏电流
V
GS
= ±20V
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 60A
DPAK
TO-220
2
4
3.5
3.8
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V
,
I
D
= 60A
分钟。
典型值。
待定
6200
1800
100
待定
待定
待定
待定
110
待定
待定
待定
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 27V ，我
D
= 60A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见
图1）
V
DD
= 44V ，我
D
= 120A,
V
GS
= 10V ，R
G
= 4.7
（见
图2）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
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STB185N55 - STP185N55
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 120A ，V
GS
=0
I
SD
= 120A ，V
DD
= 30V
的di / dt = 100A / μs的， TJ = 150℃
（参见图6）
待定
待定
待定
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
120
480
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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