STP180NS04ZC
N沟道钳位3.5毫欧 - 120 A TO -220
充分保护SAFeFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STP180NS04ZC
■
■
■
V
DSS
夹
R
DS （ ON）
最大
< 4.2毫欧
I
D
120 A
低电容和栅极电荷
100％的雪崩测试
175 ° C最高结温
1
3
2
TO-220
应用
■
开关应用
描述
这充分钳位功率MOSFET产生
通过使用最新的先进公司的网
这是基于一种新的叠加过程
带状布局。新的固有的优势
技术，再加上额外的夹紧
功能让这款产品特别适合
在最恶劣的工作条件，如
那些在汽车遇到
环境。任何其他应用程序需要额外的
耐用性也推荐。
图1 。
内部原理图
表1中。
设备简介
记号
P180NS04ZC
包
TO-220
包装
管
订货编号
STP180NS04ZC
2008年4月
REV 1
1/12
www.st.com
12
目录
STP180NS04ZC
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
........................... 6
3
4
5
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
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STP180NS04ZC
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
DG
V
GS
I
D (2)
I
D (2)
I
DG
I
GS
I
DM （3）
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
=100 °C
栅漏极电流（连续）
栅极 - 源极电流（连续）
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
价值
33
(1)
33
(1)
± 20
(1)
120
120
±50
±50
480
300
2
±8
±8
±8
-55至175
单位
V
V
V
A
A
mA
mA
A
W
W / ℃，
kV
kV
kV
°C
V
ESD （G -S ）
V
ESD（ G- D）
V
静电放电（D- S）
T
J
T
英镑
门源ESD（ HBM -C = 100 pF的， R = 1.5千欧）
栅漏ESD（ HBM -C = 100 pF的， R = 1.5千欧）
漏源ESD（ HBM -C = 100 pF的， R = 1.5千欧）
工作结温
储存温度
1.电压由齐纳二极管限制
2.电流限制通过引线键合
3.脉冲宽度有限的安全工作区
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
T
l
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
价值
0.50
62.5
300
单位
° C / W
° C / W
°C
表4 。
符号
I
AS
雪崩数据
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJMAX
δ
＆ LT ; 1％）的
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C，I
D
=I
AS
, V
DD
=21 V)
（见图17 ，图14）。
价值
80
单位
A
E
AS
1000
mJ
3/12
电气特性
STP180NS04ZC
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DG
V
DSR （CL）的
开/关状态
参数
钳位电压
漏极 - 源极钳位
电压（直流）
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
内部栅极电阻
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
-40 < < TJ 175℃
I
GS （ CL ）
= -2毫安，我
D
= 1 A
V
DS
= 16 V
V
DS
= 16 V ，T
j
= 150 °C
V
DS
= 16 V ，T
j
= 175 °C
V
GS
= ±10 V
V
GS
= ± 10 V ，T
j
= 175 °C
V
GS
= ± 16 V ，T
j
= 175 °C
I
GS
= ±100 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A
18
2
3
3.5
14
分钟。
33
41
1
50
100
2
50
150
25
4
4.2
典型值。
马克斯。
41
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
V
V
m
I
DSS
I
GSS
(1)
V
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
R
G
1.门栅氧化层，没有齐纳二极管，在晶圆测试分选（我
GSS
< ± 100 nA的@ ± 20 V TJ = 25 ° ） 。
图17 ：
非钳位电感负载测试电路
电气原理图
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 40 A
分钟。
典型值。
95
4560
1700
550
250
115
290
110
29
40
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
钳
= 30 V，I
D
=80 A,
V
GS
= 10 V ，R
G
=4.7
（参见图16）
V
DD
= 20 V，I
D
= 120 A
V
GS
=10 V
（参见图15）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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STP180NS04ZC
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 120 A，V
GS
=0
I
SD
= 120 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
DD
= 32 V ， TJ = 150℃
（参见图16）
56
70
12
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
120
480
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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QQ：2881677436 复制
