【STP17NK40Z - STP17NK40ZFPN沟道400V - 0.23Ω - 15A TO-】,IC型号STP17NK40Z,STP17NK40Z PDF资料,STP17NK40Z经销商,ic,电子元器件-51电子网

STP17NK40Z - STP17NK40ZFP

N沟道400V - 0.23Ω - 15A TO- 220 / TO- 220FP

齐纳保护的超网功率MOSFET

TYPE

STP17NK40Z

STP17NK40ZFP

DSS

400 V

DS （ ON）

＆ LT ; 0.25

15 A

150 W

35 W

典型

（上） = 0.23

DV dt能力极高/

100％的雪崩测试

栅极电荷最小化

非常低的固有电容

VERY GOOD MANUFACTURING

重复性

TO-220

TO-220FP

描述

在超网系列是通过获得

ST的确立带钢的极端优化

基础的PowerMESH 布局。除了推

导通电阻显著下降，特别护理着以

恩，确保了很好的dv / dt能力

最苛刻的应用。这种系列完井

ments ST全系列高电压MOSFET的IN-

cluding革命性的MDmesh 产品。

内部原理图

应用

大电流，高开关速度

IDEAL离线电源，

转接器和PFC

灯光

订购信息

销售类型

STP17NK40Z

STP17NK40ZFP

记号

P17NK40Z

P17NK40ZFP

包

TO-220

TO-220FP

包装

管

2002年10月

1/10

STP17NK40Z - STP17NK40ZFP

绝对最大额定值

符号

DGR

(

)

合计

ESD （G -S ）

dv / dt的（ 1 ）

VISO

英镑

参数

STP17NK40Z

价值

STP17NK40ZFP

单位

15 (*)

9.4 (*)

60 (*)

0.28

W / ℃，

V / ns的

2500

°C

漏源电压（V

= 0)

漏，栅极电压（R

= 20 k)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

= 25°C

漏电流（连续）在T

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

降额因子

栅极 - 源极电流（ DC ）

门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）

峰值二极管恢复电压斜率

绝缘耐压（ DC ）

工作结温

储存温度

9.4

150

1.2

400

± 30

± 20

4500

4.5

-55到150

(

）脉冲宽度有限的安全工作区

(1) I

≤15A,

的di / dt

≤200A/s,

≤

（ BR ） DSS

, T

≤

JMAX 。

（*）限定仅由最大允许温度

热数据

TO-220

Rthj情况

Rthj - AMB

热阻结案件最大

热阻结到环境最大

最大无铅焊接温度的目的

0.83

62.5

300

TO-220FP

3.6

° C / W

°C

雪崩特性

符号

参数

雪崩电流，重复或不重复

（脉冲宽度限制T

MAX ）

单脉冲雪崩能量

（起始物为

= 25 ° C，I

= I

, V

= 50 V)

最大值

450

单位

门源稳压二极管

符号

GSO

参数

栅源击穿

电压

测试条件

IGS = ± 1毫安（漏极开路）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

栅 - 源齐纳二极管保护功能

所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的

ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会

从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和

具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免

使用外部元件。

2/10

STP17NK40Z - STP17NK40ZFP

电气特性

例

= 25 ° C除非另有规定编）

开/关

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

= 0)

门体漏

电流（V

= 0)

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= 1毫安， V

= 0

=最大额定值

=最大额定值，T

= 125 °C

= ± 20 V

= V

, I

= 100 A

= 10 V，I

= 7.5 A

3.75

0.23

分钟。

400

±10

4.5

0.25

典型值。

马克斯。

单位

动态

符号

(1)

国际空间站

OSS

RSS

OSS EQ 。

(3)

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

等效输出

电容

参数

导通延迟时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

=15 V

= 7.5 A

= 25 V ， F = 1兆赫，V

= 0

分钟。

典型值。

10.6

1900

271

175

马克斯。

单位

= 0V, V

= 0V至400V

接通

符号

D（上）

测试条件

= 200 V，I

= 7.5 A

= 4.7 V

= 10 V

（阻性负载参见图3 ）

= 320 V，I

= 15 A,

= 10 V

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

关闭

符号

D（关闭）

R（ Voff时）

参数

打开-O FF延迟时间

下降时间

关闭电压上升时间

下降时间

交叉时间

测试条件

= 200 V，I

= 7.5 A

= 4.7 V

= 10 V

（阻性负载参见图3 ）

= 320 V，I

= 15 A,

= 4.7, V

= 10 V

（感性负载参见图5 ）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

源漏二极管

符号

SDM

(2)

(1)

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 15 A，V

= 0

= 15 A， di / dt的= 100 A / μs的

= 100 V，T

= 150°C

（见测试电路，图5 ）

332

2650

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

1.6

单位

注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％。

2.脉冲宽度有限的安全工作区。

3. C

OSS EQ 。

被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C

OSS

当V

从0增加到80％

DSS

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STP17NK40Z - STP17NK40ZFP

安全工作区TO- 220

安全工作区TO- 220FP

对于TO- 220热阻抗

热阻抗对于TO- 220FP

输出特性

传输特性

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STP17NK40Z - STP17NK40ZFP

跨

静态漏源导通电阻

栅极电荷VS栅源电压

电容变化

归栅极阈值电压随温度。

归一通电阻与温度

5/10

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