STD16NF25
STF16NF25 - STP16NF25
N沟道250V - 0.195Ω - 13A - DPAK / TO- 220 / TO- 220FP
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
特点
TYPE
STD16NF25
STF16NF25
STP16NF25
V
DSS
250V
250V
250V
R
DS （ ON）
最大
<0.235
<0.235
<0.235
I
D
13A
13A
(1)
13A
P
w
3
90W
25W
90W
TO-220
1
2
3
1
DPAK
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用的表征
1
3
2
TO-220FP
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与
意法半导体独有的STripFET 工艺
有专门设计以减少输入
电容和栅极电荷。因此，它是
适合作为先进的高初级开关
效率，高频隔离直流 - 直流
转换器电信和计算机
应用程序。它也适用于任何
应用具有低栅极驱动要求。
表1中。
设备简介
记号
16NF25
16NF25
16NF25
包
DPAK
TO-220FP
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
管
订购代码
STD16NF25
STF16NF25
STP16NF25
2007年10月
REV 2
1/16
www.st.com
16
目录
STD16NF25 - STF16NF25 - STP16NF25
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
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STD16NF25 - STF16NF25 - STP16NF25
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
绝对最大额定值
价值
符号
参数
DPAK
TO-220
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM(2)
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
从绝缘耐受电压（有效值）
所有这三个导到外部的散热器
(t=1s;T
C
=25°C)
储存温度
-55到150
马克斯。工作结温
°C
--
13
8.19
52
90
0.72
15
2500
250
± 20
13
(1)
8.19
(1)
52
(1)
25
0.2
单位
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. I
SD
≤
如图13A所示， di / dt的
≤
300A / μs的，V
DD
≤
80% V
（ BR ） DSS
， TJ
≤
T
JMAX
表3中。
符号
Rthj情况
RthJ -PCB
Rthj - AMB
T
J
热数据
价值
参数
TO-220
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
--
62.5
DPAK
TO-220FP
5
50
100
300
--
62.5
° C / W
° C / W
° C / W
°C
1.39
单位
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25℃时，ID = 13A ， VDD = 50V ）
价值
13
100
单位
A
mJ
3/16
电气特性
STD16NF25 - STF16NF25 - STP16NF25
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 6.5A
2
3
0.195
分钟。
250
1
10
±100
4
0.235
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
内在的栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 6.5A
分钟。
典型值。
10
680
125
20
48
2.1
9
17
35
17
18
3
8
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DS
= 0V至200V ，
V
GS
= 0
F = 1MHz时，漏极开路
V
DD
= 125V ，我
D
= 6.5A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见
图18）
V
DD
= 200V ，我
D
= 6.5A,
V
GS
= 10V
（见
图19）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
从0增加到80％
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STD16NF25 - STF16NF25 - STP16NF25
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 13A ，V
GS
= 0
133
651
10
157
895
11
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
13
52
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
= 13A,
反向恢复时间
的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷
V
DD
= 60V
反向恢复电流
（见
图20）
I
SD
= 13A,
反向恢复时间
的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷
V
DD
= 60V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流
（见
图20）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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