STB160N75F3
STP160N75F3 - STW160N75F3
N沟道75V - 3.5mΩ - 120A - TO- 220 - TO- 247 - D
2
PAK
的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STB160N75F3
STP160N75F3
STW160N75F3
V
DSS
75V
75V
75V
R
DS （ ON）
（ MAX 。 ）
3.7 m
4 m
4 m
I
D
120 A
(1)
1
3
2
1
2
3
120
A
(1)
TO-220
TO-247
120 A
(1)
3
1
1.电流限制通过包装
■
■
超低导通电阻
100％的雪崩测试
DPAK
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这n沟道增强型功率
MOSFET是意法半导体的最新细化
的STripFET 工艺。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低的
性，坚固耐用的雪崩特性和
低栅极电荷。
表1中。
设备简介
记号
160N75F3
160N75F3
160N75F3
包
DPAK
TO-220
TO-247
包装
磁带&卷轴
管
管
订购代码
STB160N75F3
STP160N75F3
STW160N75F3
2007年10月
REV 2
1/16
www.st.com
16
目录
STB160N75F3 - STP160N75F3 - STW160N75F3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
2/16
STB160N75F3 - STP160N75F3 - STW160N75F3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D (1)
I
DM(2)
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
75
± 20
120
120
480
330
2.2
20
600
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
dv / dt的
(3)
E
的AS （4）
T
j
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
1.电流限制通过包装
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
< 120A ， di / dt的< 1100 A / μs的，V
DD
< 60V ，T
J
＆ LT ;吨
JMAX
4.启动TJ = 25 ° C，I
D
= 60A ，V
DD
= 25V
表3中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
RthJ -PCB
(1)
T
l
热阻
价值
参数
TO-220
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
热阻结到PCB
最大无铅焊接温度的
用途
62.5
--
TO-247
0.45
50
--
300
--
50
DPAK
° C / W
° C / W
° C / W
°C
单位
1.当安装在1英寸
FR4 2盎司铜
3/16
电气特性
STB160N75F3 - STP160N75F3 - STW160N75F3
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
MIN 。 TYP 。
75
10
100
±
200
最大单位
V
A
A
nA
V
m
m
I
DSS
V
DS
=最大额定值，
零栅极电压
V =最大
漏电流（V
GS
= 0)
DS
rating,@125°C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ±20V
2
TO-220
TO-247
DPAK
3.5
3.2
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
静态漏源
V
GS
= 10V ，我
D
= 60A
阻力
4
4
3.7
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
民
典型值
6750
1080
40
85
27
26
最大单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 37.5V ，我
D
= 120A
V
GS
=10V
（参见图16）
4/16
STB160N75F3 - STP160N75F3 - STW160N75F3
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
电气特性
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 37.5 V，I
D
= 60A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V,
（参见图18）
分钟。
典型值。
22
65
100
15
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 120A ，V
GS
=0
I
SD
= 120A ，V
DD
= 20 V,
的di / dt = 100 A / μs的， TJ = 25°C
（参见图17）
70
150
4.2
测试条件
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
120
480
1.5
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲与受安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/16
STB160N75F3
STP160N75F3 - STW160N75F3
N沟道75V - 3.5mΩ - 120A - TO- 220 - TO- 247 - D
2
PAK
的MDmesh 低电压功率MOSFET
目标特定网络阳离子
一般特点
TYPE
STB160N75F3
STP160N75F3
STW160N75F3
V
DSS
75V
75V
75V
R
DS （ ON）
4.2m
4.5m
4.5m
I
D
120A
(1)
3
120A
(1)
1
2
TO-220
120A
(1)
TO-247
1.电流限制通过包装
■
■
超低导通电阻
100％的雪崩测试
3
1
DPAK
描述
这n沟道增强型功率
MOSFET是最新的细化
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程不太重要
调整步骤，因此显着
制造重复性。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特性和低栅极电荷
.
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB160N75F3
STP160N75F3
STW160N75F3
记号
160N75F3
160N75F3
160N75F3
包
DPAK
TO-220
TO-247
包装
磁带&卷轴
管
管
2007年2月
REV 1
1/13
www.st.com
13
这是要发展就预见到了新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
目录
STB160N75F3 - STP160N75F3 - STW160N75F3
目录
1
2
3
4
5
6
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
测试电路
................................................ 6
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
2/13
STB160N75F3 - STP160N75F3 - STW160N75F3
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D (1)
I
DM(2)
P
TOT （3）
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
75
± 20
120
96
480
315
2.1
待定
待定
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
dv / dt的
E
AS
T
j
T
英镑
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
1.电流限制通过包装
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.根据Rthj情况评分
表2中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
价值
0.48
62.5
300
单位
° C / W
° C / W
°C
3/13
电气特性
STB160N75F3 - STP160N75F3 - STW160N75F3
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏
当前
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， @ 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 60A
DPAK
2
3.5
3.2
分钟。典型值。最大单位
75
10
100
±
200
V
A
A
nA
V
m
m
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
4
4.5
4.2
表4 。
符号
g
fs(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 4.5A
I
D
= 10A
民
典型值
待定
7000
1100
32
110
待定
待定
待定
最大单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 44V ，我
D
= 60A
V
GS
=10V
（参见图2）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/13
STB160N75F3 - STP160N75F3 - STW160N75F3
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
电气特性
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 35 V，I
D
= 60A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V,
（见图4）
分钟。
典型值。
待定
待定
待定
待定
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 120A ，V
GS
=0
I
SD
= 120A ，的di / dt =
100A / μs的，V
DD
=30 V,
Tj=150°C
（参见图3）
75
195
5
测试条件
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
120
480
1.5
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲与受安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/13
QQ：2881677436 复制
