STF15NM65N-STI15NM65N-STW15NM65N
STB15NM65N-STP15NM65N
N沟道650V - 0.25Ω - 15.5A - TO- 220 / FP - D
2
/I
2
PAK - TO- 247
第二代的MDmesh 功率MOSFET
特点
TYPE
STB15NM65N
STF15NM65N
STI15NM65N
STP15NM65N
STW15NM65N
V
DSS
R
DS （ ON）
最大
（ @Tjmax ）
710 V
710 V
710 V
710 V
710 V
< 0.27
< 0.27
< 0.27
< 0.27
< 0.27
I
D
3
15.5 A
15.5 A
(1)
15.5 A
15.5 A
15.5 A
1
2
3
12
TO-220
3
1
2
IPAK
TO-220FP
3
1
2
3
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
DPAK
1
TO-247
图1 。
内部原理图
应用
■
切换应用程序
描述
该系列器件实现第二
新一代的MDmesh 技术。这
革命性的功率MOSFET相关联的新
垂直结构公司的条状布局
产生世界上最低的导通电阻之一，
栅极电荷。因此，适合于最
要求高效率的转换器
表1中。
设备简介
订购代码
STI15NM65N
记号
15NM65N
15NM65N
15NM65N
15NM65N
15NM65N
包
IPAK
TO-220FP
TO-220
DPAK
TO-247
包装
管
管
管
磁带&卷轴
管
STF15NM65N
STP15NM65N
STB15NM65NT4
STW15NM65N
2007年9月
REV 1
1/18
www.st.com
18
目录
STB15NM65N-STI15NM65N-STF15NM65N-STP/W15NM65N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/18
STB15NM65N-STI15NM65N-STF15NM65N-STP/W15NM65N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220/IPAK
TO-220FP
DPAK/TO-247
650
± 25
15.5
10
62
150
15
--
-55到150
2500
15.5
(1)
10
(1)
62
(1)
35
单位
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘材料来自三个耐受电压（有效值）
导致外部散热器（ T = 1秒;吨
C
=25°C)
工作结温
储存温度
V
V
A
A
A
W
V / ns的
V
°C
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
15.5A ， di / dt的
≤
400A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
热数据
价值
参数
TO-220/IPAK
TO-220FP
DPAK/TO-247
0.83
62.5
300
3.6
单位
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结- AMB最大
最大无铅焊接温度的
用途
° C / W
° C / W
°C
表4 。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C，I
D
= I
AS
, V
DD
= 50 V)
最大值
4
400
单位
A
mJ
3/18
电气特性
STB15NM65N-STI15NM65N-STF15NM65N-STP/W15NM65N
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
dv / dt的
(1)
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
漏源电压斜率
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
VDD = 520 V ，ID = 15.5 A，
VGS = 10 V
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值， @ 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.75 A
2
3
0.25
分钟。
650
30
1
100
±100
4
0.27
典型值。
马克斯。
单位
V
V / ns的
A
A
nA
V
1.特征值在关闭感性负载
表6 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
=15 V
,
I
D
=7.75 A
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 0V至520 V
V
DD
= 520 V，I
D
= 15.5 A,
V
GS
= 10 V,
（参见图19）
分钟。
典型值。
15
1900
110
10
230
55
9
30
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/18
STB15NM65N-STI15NM65N-STF15NM65N-STP/W15NM65N
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 325 V，I
D
= 7.75 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（参见图18）
民
典型值
25
8
80
26
最大
单位
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 15.5 A，V
GS
= 0
I
SD
= 15.5 A,
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 25 °C
（参见图20）
I
SD
= 15.5 A,
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 150°C
（参见图20）
460
6
27
600
8
27
测试条件
民
典型值
最大
15.5
62
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/18
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