STP14NF12
STP14NF12FP
N沟道120V - 0.16Ω - 14A TO- 220 / TO- 220FP
低栅电荷的STripFET 功率MOSFET
TYPE
STP14NF12
STP14NF12FP
s
s
s
V
DSS
120 V
120 V
R
DS （ ON）
< 0.18
< 0.18
I
D
14 A
14 A
典型
DS
（上） = 0.16Ω
DV dt能力EXCEPTIONAL /
面向应用
表征
TO-220
3
1
2
1
3
2
TO-220FP
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与STMicro-
电子产品独有的STripFET进程specifical-
LY旨在最大限度地减少输入电容和
栅极电荷。因此，适合于作为主
开关在先进的高效率隔离直流 - 直流
转换器电信和计算机应用。它
也适用于具有低门的任何应用程序
负责驱动要求
内部原理图
应用
高效率的DC -DC转换器
s
UPS和电机控制
s
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv / dt的（ 1 ）
E
AS
(2)
V
ISO
T
j
T
英镑
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
绝缘耐压（ DC ）
工作结温
储存温度
-
-55至175
(1) I
SD
≤14A,
的di / dt
≤300A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（ 2 ）起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 14A ，V
DD
= 50V
价值
STP14NF12
120
120
±20
14
9
56
60
0.4
9
60
2500
8.5
6
34
25
0.17
STP14NF12FP
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
V
°C
(
q
）脉冲宽度有限的安全工作区
2002年8月
1/9
STP14NF12/STP14NF12FP
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 50 V，I
D
= 7 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（阻性负载，请参阅图3 ）
V
DD
= 80 V，I
D
= 14 A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
16
25
15.5
3.7
4.7
21
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 50 V，I
D
= 7 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（阻性负载，请参阅图3 ）
分钟。
典型值。
32
8
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 14 A，V
GS
= 0
I
SD
= 14 A， di / dt的= 100A / μs的，
V
DD
= 50 V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
92
230
5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
14
56
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区TO- 220
安全工作区TO- 220FP
3/9
STP14NF12
STP14NF12FP
N沟道120V - 0.16Ω - 14A - TO- 220 / TO- 220FP
低栅电荷的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STP14NF12
STP14NF12FP
■
■
V
DSS
120V
120V
R
DS （ ON）
<0.18
<0.18
I
D
14A
14A
3
1
2
1
3
2
DV dt能力EXCEPTIONAL /
面向应用的表征
TO-220
TO-220FP
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与
意法半导体独有的STripFET进程
专门设计以减少输入
电容和栅极电荷。因此，它是
适合作为先进的高初级开关
效率的隔离式DC -DC转换器，电信
和计算机应用。它也被用于
低栅极电荷驱动的应用程序
需求
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STP14NF12
STP14NF12FP
记号
P14NF12
P14NF12
包
TO-220
TO-220FP
包装
管
管
2006年8月
REV 2
1/14
www.st.com
14
目录
STP14NF12 - STP14NF12FP
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
电气特性
STP14NF12 - STP14NF12FP
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，
T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 7A
2
3
0.16
分钟。
120
1
10
±100
4
0.18
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 7A
分钟。
典型值。
4
460
70
30
16
25
32
8
15.5
3.7
4.7
21
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
V
DD
= 50V ，我
D
= 7A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见
图15）
V
DD
= 80V ，我
D
= 14A,
V
GS
= 10V
（见
图16）
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
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STP14NF12 - STP14NF12FP
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 14A ，V
GS
= 0
92
230
5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
14
56
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
= 14A,
反向恢复时间
的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷
V
DD
= 50V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流
（见
图17）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/14
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