STB12NM60N / -1 - STF12NM60N
STP12NM60N - STW12NM60N
N沟道600V - 0.35Ω - 10A - D
2
/I
2
PAK - TO- 220 / FP - TO- 247
第二代的MDmesh 功率MOSFET
特点
TYPE
STB12NM60N
STB12NM60N-1
STF12NM60N
STP12NM60N
STW12NM60N
V
DSS
（ @Tjmax ）
650V
650V
650V
650V
650V
R
DS （ ON）
< 0.41Ω
< 0.41Ω
< 0.41Ω
< 0.41Ω
< 0.41Ω
I
D
1
3
3
12
10A
10A
10A
(1)
10A
10A
DPAK
IPAK
TO-247
3
1
2
3
1
2
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
TO-220
TO-220FP
内部原理图
描述
该系列器件实现第二
新一代的MDmesh 技术。这
革命性的功率MOSFET相关联的新
垂直结构公司的条状布局
产生世界上最低的导通电阻之一，
栅极电荷。因此，适合于最
需要高效率的转换器。
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB12NM60N
STB12NM60N-1
STF12NM60N
STP12NM60N
STW12NM60N
记号
B12NM60N
B12NM60N
F12NM60N
P12NM60N
W12NM60N
包
DPAK
IPAK
TO-220FP
TO-220
TO-247
包装
磁带&卷轴
管
管
管
管
2007年4月
REV 2
1/18
www.st.com
18
目录
STB12NM60N / -1 - STF12NM60N - STP12NM60N - STW12NM60N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
2/18
STB12NM60N / -1 - STF12NM60N - STP12NM60N - STW12NM60N
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
DPAK / IPAK
TO-220FP
TO-220/TO-247
600
± 25
10
6.3
40
90
15
--
2500
10
(1)
6.3
(1)
40
(1)
25
单位
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
(t=1s;T
C
=25°C)
工作结温
储存温度
V
V
A
A
A
W
V / ns的
V
-55到150
°C
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.
I
SD
≤
图10A中， di / dt的
≤
400A / μs的，V
DD
=80%
V
（ BR ） DSS
表2中。
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结- AMB最大
最大无铅焊接温度的
用途
DPAK / IPAK
TO-220FP
TO-220/TO-247
1.38
62.5
300
5
单位
° C / W
° C / W
°C
表3中。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C，I
D
=I
AS
, V
DD
= 50V)
最大值
3.5
200
单位
A
mJ
3/18
电气特性
STB12NM60N / -1 - STF12NM60N - STP12NM60N - STW12NM60N
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
dv / dt的
(1)
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
漏源电压斜率
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DD
= 400V ，我
D
= 10A,
V
GS
= 10V
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， @ 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 5A
2
3
0.35
分钟。
600
41
1
10
100
4
0.41
典型值。
马克斯。
单位
V
V / ns的
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
1.
特征值在关闭感性负载
表5 。
符号
g
fs(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 5A
V
DS
= 50V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
分钟。
典型值。
8
960
65
7
180
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0, V
DS
= 0V至480V
F = 1MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
V
DD
= 480V ，我
D
= 10A
V
GS
= 10V
（参见图18）
Rg
5
nC
nC
nC
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
30.5
5
16
脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
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STB12NM60N / -1 - STF12NM60N - STP12NM60N - STW12NM60N
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300V ，我
D
= 5A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图17）
民
典型值
15
9
60
10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
2.
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 10A ，V
GS
=0
I
SD
= 10A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 100V ， TJ = 25°C
（参见图19）
V
DD
= 100V
的di / dt = 100A / μs的，我
SD
= 10A
TJ = 150℃
（参见图19）
360
3.5
20
530
5.20
20
测试条件
民
典型值
最大
10
40
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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