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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1015页 > STP120NF10
STP120NF10 - STB120NF10
STW120NF10
N沟道100V - 0.009Ω - 110A - TO- 247 - TO- 220 - DPAK
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STW120NF10
STP120NF10
STB120NF10
■
■
■
V
DSS
100V
100V
100V
R
DS （ ON）
<0.0105
<0.0105
<0.0105
I
D
110A
110A
110A
3
1
DPAK
TO-247
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用的表征
1
3
2
描述
该电源MOSFET系列产品实现了与
意法半导体独有的STripFET 工艺
有专门的设计，以尽量减少
导通电阻。因此，适合于作为主
开关在先进的高效率，高频率
隔离式DC -DC转换器，电信和
计算机应用。它也适用于任何
应用具有低栅极驱动要求。
TO-220
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STW120NF10
STP120NF10
STB120NF10
记号
W120NF10
P120NF10
B120NF10
包
TO-247
TO-220
DPAK
包装
管
管
磁带&卷轴
2006年10月
REV 6
1/15
www.st.com
15
目录
STW120NF10 - STP120NF10 - STB120NF10
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/15
STW120NF10 - STP120NF10 - STB120NF10
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
dv / dt的
(2)
E
AS(3)
T
J
T
英镑
T
L
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
最大无铅焊接温度的目的
价值
100
± 20
110
77
440
312
2.08
10
550
-55至175
300
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
°C
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2. I
SD
< 120A ， di / dt的< 300A / μs的，V
DD
= 80%V
（ BR ） DSS
3.启动TJ = 25 ° C，I
D
= 60A ，V
DD
= 50V
表2中。
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热阻
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
价值
0.48
62.5
单位
° C / W
° C / W
3/15
电气特性
STW120NF10 - STP120NF10 - STB120NF10
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 60A
2
0.009
分钟。
100
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
4
0.0105
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25V ，我
D
= 60A
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
=0
V
DD
= 80V ，我
D
= 120A
V
GS
=10V
（参见图13）
分钟。
典型值。
90
5200
785
325
172
32
64
233
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/15
STW120NF10 - STP120NF10 - STB120NF10
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 50V ，我
D
= 60A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图12）
分钟。
典型值。
25
90
132
68
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 120A ，V
GS
=0
I
SD
=120A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 40V ， TJ = 150℃
（参见图17）
152
760
10
测试条件
民
典型值。
最大
110
440
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/15
N沟道100V - 0.009
- 120A DPAK / TO-220
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STB120NF10
STP120NF10
s
s
s
s
STB120NF10
STP120NF10
V
DSS
100 V
100 V
R
DS （ ON）
< 0.0105
< 0.0105
I
D
120 A
120 A
s
典型
DS
（上） = 0.009
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
表面贴装D2PAK （ TO- 263 ）
电源包装在磁带& REEL
（后缀“ T4" ）
3
1
3
1
2
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
TO-220
描述
这实现了与意法半导体MOSFET系列产品
独特的STripFET进程专门设计
最大限度地减少导通电阻。因此，适合作为
在先进的高效率的初级开关，高
高频隔离DC -DC转换器和电信
计算机应用。它也适用于任何
应用具有低栅极驱动要求。
内部原理图
应用
s
音频放大器
s
电动工具
订购信息
销售类型
STB120NF10
STP120NF10
记号
B120NF10
P120NF10
包
TO-263
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS(2)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
工作结温
价值
100
100
± 20
120
85
480
312
2.08
10
550
-55至175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
2003年5月
(1) I
SD
≤120A,
的di / dt
≤300A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 60A ，V
DD
= 50V
1/10
STB120NF10 STP120NF10
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
0.48
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值牛逼
C
= 125°C
V
GS
= ± 20 V
分钟。
100
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
ON
(*)
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
I
D
= 250 A
I
D
= 60 A
分钟。
2
0.009
典型值。
马克斯。
4
0.0105
单位
V
动态
符号
g
飞秒（*）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 15 V
I
D
= 60 A
分钟。
典型值。
待定
5200
785
325
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25V F = 1MHz的V
GS
= 0
2/10
STB120NF10 STP120NF10
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 60 A
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 80 V I
D
= 120 A V
GS
=10 V
分钟。
典型值。
25
90
172
32
64
233
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 60 A
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
132
68
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
1.5 %.
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
120
480
单位
A
A
V
ns
nC
A
I
SD
= 120 A
V
GS
= 0
152
760
10
1.3
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 120 A
V
DD
= 40 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比
(
）脉冲
宽度由安全工作区的限制。
安全工作区
热阻抗
3/10
STB120NF10 STP120NF10
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/10
STB120NF10 STP120NF10
归栅极阈值电压与温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
归一化的击穿电压与温度
.
.
5/10
N沟道100V - 0.009
- 120A DPAK / TO-220
的STripFET II功率MOSFET
TYPE
STB120NF10
STP120NF10
s
s
s
s
STB120NF10
STP120NF10
V
DSS
100 V
100 V
R
DS （ ON）
< 0.0105
< 0.0105
I
D
120 A
120 A
s
典型
DS
（上） = 0.009
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
表面贴装D2PAK （ TO- 263 ）
电源包装在磁带& REEL
（后缀“ T4" ）
3
1
3
1
2
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
TO-220
描述
这实现了与意法半导体MOSFET系列产品
独特的STripFET进程专门设计
最大限度地减少导通电阻。因此，适合作为
在先进的高效率的初级开关，高
高频隔离DC -DC转换器和电信
计算机应用。它也适用于任何
应用具有低栅极驱动要求。
内部原理图
应用
s
音频放大器
s
电动工具
订购信息
销售类型
STB120NF10
STP120NF10
记号
B120NF10
P120NF10
包
TO-263
TO-220
包装
磁带&卷轴
管
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS(2)
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
工作结温
价值
100
100
± 20
120
85
480
312
2.08
10
550
-55至175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区。
2003年5月
(1) I
SD
≤120A,
的di / dt
≤300A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 60A ，V
DD
= 50V
1/10
STB120NF10 STP120NF10
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
0.48
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值牛逼
C
= 125°C
V
GS
= ± 20 V
分钟。
100
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
ON
(*)
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
I
D
= 250 A
I
D
= 60 A
分钟。
2
0.009
典型值。
马克斯。
4
0.0105
单位
V
动态
符号
g
飞秒（*）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 15 V
I
D
= 60 A
分钟。
典型值。
待定
5200
785
325
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25V F = 1MHz的V
GS
= 0
2/10
STB120NF10 STP120NF10
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
I
D
= 60 A
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 80 V I
D
= 120 A V
GS
=10 V
分钟。
典型值。
25
90
172
32
64
233
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 60 A
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
132
68
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SDM （
)
V
SD （*）
t
rr
Q
rr
I
RRM
I
SD
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
1.5 %.
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
120
480
单位
A
A
V
ns
nC
A
I
SD
= 120 A
V
GS
= 0
152
760
10
1.3
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 120 A
V
DD
= 40 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(*)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比
(
）脉冲
宽度由安全工作区的限制。
安全工作区
热阻抗
3/10
STB120NF10 STP120NF10
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/10
STB120NF10 STP120NF10
归栅极阈值电压与温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
归一化的击穿电压与温度
.
.
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